本发明专利技术提供相比以往能够降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法。该方法包括下述工序：回收等离子蚀刻装置用硅制零件的硅制废料的工序；根据所回收的硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据在测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将硅制废料、硅原料和杂质以在投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。技术背景以往，例如在半导体装置的制造领域等中，使用等离子蚀刻装置，该装置用于对半 导体晶圆、液晶显示装置用的玻璃基板等实施蚀刻处理等规定的等离子处理。考虑到要对硅制的半导体晶圆、各种硅膜等进行处理，在等离子蚀刻装置中使用 各种硅制零件。例如，在等离子蚀刻装置中，以往使用硅制的聚焦环(focus ring)作为以 围绕被载置在载置台上的半导体晶圆的方式配置的聚焦环。另外，也使用硅制的电极板作 为与载置台对置设置的对置电极的电极板。在上述等离子蚀刻装置中，上述硅制的聚焦环等硅制零件因暴露在等离子体中而 消耗、劣化，形状发生变化等。因此，工艺的再现性逐渐恶化，若仍继续使用上述零件，则所 要执行的工艺将偏离管理值。那么，在达到了一定程度的消耗、劣化的时刻，上述零件将被 视作使用寿命已到，作为工业废弃物而被废弃。但是，由于上述等离子蚀刻装置用硅制零 件是昂贵的零件，因此成为与等离子蚀刻装置的运转相对应的消耗品成本(C0C(Cost of Consumables))增加的一个原因。作为上述问题的解决对策，有人提出了下述方法，即、对使用完毕的硅制聚焦环实 施机械加工而获得第1环和第2环，将该第1环和第2环组合起来从而再生与使用前的硅 制聚焦环具有形状互换性的组合型硅制聚焦环(例如参照专利文献1。)。但是，在将实施 了机械加工的环组合起来的方法中，只限于组合具有相同的电学特性、形状等的环，因此存 在只能再生非常有限的环的问题。另外，例如在太阳能电池的制造领域中，有人提出了下述方法，S卩、针对含有特性 不良的太阳能电池单元的硅晶圆，进行利用氢氟酸处理将该晶圆的防反射膜和背面的银电 极膜除去的工序、利用盐酸处理将铝电极层除去的工序，然后进行利用硝酸与氢氟酸的混 合液处理或氢氧化钠处理将杂质层除去的工序，从而返回到可重新形成硅制太阳能电池单 元的状态(例如参照专利文献2。)。但是，这样将含有特性不良的太阳能电池单元的硅晶 圆再生的方法，例如并不能应用于再生各种使用完毕的等离子蚀刻装置用硅制零件。专利文献1 日本特开2004-79983号公报专利文献2 日本特开2005-166814号公报如上所述，在等离子蚀刻装置中，昂贵的等离子蚀刻装置用硅制零件成为消耗品 成本增加的一个原因。另外，以往没有能够再生各种使用完毕的等离子蚀刻装置用硅制零 件等的有效方法，所以成为工业废弃物的产生量增加的一个原因。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述以往的问题而做成的，目的在于提供相比以往能够降低等 离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法和等离子蚀刻装置用硅制零件。本专利技术提供一种等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，该等离子蚀刻装置用硅 制零件配置在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其 特征在于，该方法包括回收等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的 硅制废料的工序；根据所回收的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根 据上述测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废 料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将上述硅制废料、硅原料 和杂质以在上述投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。本专利技术提供一种等离子蚀刻装置用硅制零件，该等离子蚀刻装置用硅制零件配置 在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其特征在于， 该零件含有利用等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法再生得到的硅，该方法包括回收 等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的硅制废料的工序；根据所回收 的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据上述测量工序中求得的杂质 的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废料的投入量、硅原料的投入量和 杂质的投入量的投入量决定工序；将上述硅制废料、硅原料和杂质以在上述投入量决定工 序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。采用本专利技术，能够提供相比以往可以降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能 够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方 法和等离子蚀刻装置用硅制零件。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法的工 序的流程图。图2是示意性地表示等离子蚀刻装置的结构例的纵剖视图。具体实施方式下面，参照附图说明本专利技术的一实施方式。图1是表示本专利技术的一实施方式的等 离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法的工序的流程图，图2是示意性地表示等离子蚀刻装 置的结构例的纵剖视图。首先，参照图2说明等离子蚀刻装置的结构。等离子蚀刻装置1构成为电极板上 下平行地对置、且与等离子体形成用电源相连接的电容耦合型平行平板蚀刻装置。等离子蚀刻装置1具有例如表面被实施了阳极氧化处理的、由铝等构成且成形为 圆筒状的处理腔室(处理室)2，该处理腔室2接地。在处理腔室2内的底部隔着由陶瓷等构 成的绝缘板3设置有用于载置被处理物、例如半导体晶圆W的大致圆柱状的基座支承台4。 此外，在该基座支承台4上设置有兼用作下部电极的基座(载置台)5。高通滤波器(HPF)6 与该基座5相连接。在基座支承台4的内部设置有制冷剂室7，制冷剂经过制冷剂导入管8被导入该制 冷剂室7中而在该制冷剂室7循环、之后自制冷剂排出管9被排出。于是，该制冷剂的制冷 作用借助基座5传递给半导体晶圆W，由此能够将半导体晶圆W控制成期望的温度。基座5被成形为上侧中央部为凸状的圆板状，在该基座5上设置有圆形且直径与 半导体晶圆W基本相同的静电吸盘11。在绝缘材料间配置电极12而构成静电吸盘11。于 是，通过自与电极12相连接的直流电源13施加例如1. 5kV的直流电压，能够利用例如库仑 力静电吸附半导体晶圆W。在绝缘板3、基座支承台4、基座5和静电吸盘11中形成有用于将传热介质(例如 氦(He)气等)供给到半导体晶圆W的背面的气体通路14，借助该传热介质将基座5的热量 传递给半导体晶圆W，从而能够将半导体晶圆W维持在规定温度。在基座5的上端周缘部以围绕被载置在静电吸盘11上的半导体晶圆W的方式配 置有环状的聚焦环15。该聚焦环15由导电性材料构成，且具有提高蚀刻均勻性的作用。在 等离子蚀刻装置1中，利用硅制成该聚焦环15，该硅制的聚焦环15是能够应用本实施方式 中的再生方法的等离子蚀刻装置用硅制零件的1种。在基座5的上方与该基座5平行且对置地设置有上部电极21。该上部电极21借 助绝缘件22被支承在处理腔室2的上部。上部电极21包括电极板M、和用于支承该电极 板M的由导电性材料构成的电极支承体25。电极板M具有许多排出孔23，且形成与基座 5对置的对置面。在等离子蚀刻装置1中，利用硅制成该电极板对，该硅制的电极板对作 为能够应用本实施方式中的再生方法的等离子蚀刻装置用硅制零件的1种。在上部电极21中的电极支承体25的中央设置有气体导入口沈，气体供给管27与 该气体导入口沈相连接。此外，处理气体供给源30借助阀观和质量流量控制器四与该气 体供给管27相连接。自处理气体供给源30供给用于进行等离子蚀刻处理的蚀本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，该等离子蚀刻装置用硅制零件配置在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其特征在于，该方法包括：回收等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的硅制废料的工序；根据所回收的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据上述测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将上述硅制废料、硅原料和杂质以在上述投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：今福光祐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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