【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻胶组合物。
技术介绍
用于应用光刻过程的半导体微制造的光刻胶组合物含有树脂和产酸剂，所述产 酸剂包含通过辐射产生酸的化合物。US 2003/0099900 Al公开了包含树脂、产酸剂和溶剂的光刻胶组合物，所述树脂具有衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯的结构单元、衍生自甲基丙烯酸3-羟 基-1-金刚烷基酯的结构单元和衍生自α -甲基丙烯酰氧基-Y-丁内酯的结构单元。
技术实现思路
本专利技术提供一种光刻胶组合物。本专利技术涉及如下内容<1> 一种光刻胶组合物，包含产酸剂，和树脂，其含有衍生自式⑴表示的单体的结构单元权利要求1.一种光刻胶组合物，包含产酸剂和树脂，所述树脂含有衍生自式⑴表示的单体的 结构单元2.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中B1是式(1a)表示的基团，其中R3、R4和 R5各自独立地表示C1-C8脂肪族烃基或C3-C8饱和环烃基，并且R4和R5可以相互键 合以与键合R4和R5的碳原子一起形成C3-C10环，并且所述饱和环烃基和所述环可具有 C1-C8脂肪族烃基。3.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中B1是式(1a-1)或(la-2)表示的基团，4.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中B1是式(1b-1)或(lb-2)表示的基团，5.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中B1是式(Ic-I)表示的基团，6.根据权利要求5的光刻胶组合物，其中B1是式(lc-2)表示的基团，7.根据权利要求1-6中任一项的光刻胶组合物，其中A2和A3是单键。8.根据权利要求1或6中任一项的光刻胶组合物，其中所述树脂具有酸敏基团，并且...
【技术保护点】
一种光刻胶组合物，包含产酸剂和树脂，所述树脂含有衍生自式（Ⅰ）表示的单体的结构单元：＊＊＊（１）其中Ｒ↑［１］表示氢原子或Ｃ１－Ｃ４的烷基，Ｒ↑［２］表示氢原子或Ｃ１－Ｃ４烷基，Ａ↑［１］表示单键、－（ＣＨ↓［２］）↓［ｍ］－ＣＯ－Ｏ－Ａ↑［２］－＊或－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－ＣＯ－ＮＲ↑［３０］－Ａ↑［３］－＊，ｍ和ｎ各自独立地表示１至６的整数，Ｒ↑［３０］表示氢原子或Ｃ１－Ｃ４的烷基，Ａ↑［２］表示单键或Ｃ１－Ｃ３链烷二基，Ａ↑［３］表示单键或Ｃ１－Ｃ３链烷二基，＊表示与Ｂ１的键合位置，Ｂ↑［１］表示：式（１ａ）表示的基团：＊＊＊（１ａ）其中Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］和Ｒ↑［５］各自独立地表示Ｃ１－Ｃ１６脂肪族烃基，并且Ｒ↑［４］和Ｒ↑［５］可以相互键合以与键合Ｒ↑［４］和Ｒ↑［５］的碳原子一起形成Ｃ３－Ｃ１８环，具有内酯结构的Ｃ４－Ｃ２０饱和环状基团，或者具有至少一个羟基的Ｃ５－Ｃ２０饱和环烃基。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：市川幸司，坂本宏，杉原昌子，平冈崇志，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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