基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置及基板处理方法，所述基板处理装置无需对常压搬运室采取大规模的防腐蚀对策，并且也不会降低生产率。设置迂回路径（２４），该迂回路径（２４）用于将基板（Ｗ）在不经由作为常压搬运室的装载组件（１５）的情况下从装载锁定室（１４ｂ）搬运至贮存器（２６）。在该迂回路径（２４）中配置有副搬运单元（３６），该副搬运单元（３６）将处理完的基板（Ｗ）从装载锁定室（１４ｂ）搬运至贮存器（２６）。通过该副搬运单元（３６）将处理完的基板（Ｗ）从装载锁定室（１４ｂ）搬运至贮存器（２６），并通过装载组件（１５）的主搬运单元（１８）将处理完的基板（Ｗ）从贮存器（２６）送回到载置台（２２ａ～２２ｃ）的搬运容器中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体晶片、液晶用基板、有机EL元件等基板实施真空处理的基 板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
在制造半导体器件、FPD (Flat Panel Display ；平板显示器)时，对半导体晶片(以下，简称为“晶片”)、液晶用基板等实施成膜、蚀刻、氧化、扩散等各种处理。为 了以高生产率(high through-put)进行这些处理，使用称作多室系统的基板处理装置。作为这种基板处理装置的一个例子，如图9所示，公知有以下装置，该装置包 括前开式统集盒载置台1，其用于载置前开式统集盒(FrontOpening Unified Pod)，该前 开式统集盒是收纳多个晶片的搬运容器；传送组件(Transfer Module TM) 2,其具有搬 运晶片W的搬运臂5，并处于真空气氛中；多个工艺组件(Process Module PM) 3,配置 在该传送组件2的周围，并在真空气氛下对晶片W施加预定的处理；装载组件(Loader Module LM)4,其具有主搬运单元，并处于常压气氛中，该主搬运单元具有搬运晶片 W的搬运臂；两个装载锁定组件(Load LockModule LLM) 6a、6b，配置在装载组件4 和传送组件2之间，并能够在真空气氛与常压气氛之间进行切换；以及未图示的定向器 (ORT)，其被设置成与装载组件4相邻，并预调准晶片W的方向。该基板处理装置中的晶片的搬运路径例如如下载置在前开式统集盒载置台1 上的未处理的晶片W被按照LM4 — ORT — LLM6a — TM2 — PM3这一顺序搬运。然 后，通过工艺组件3在预定的处理气体气氛下例如施加蚀刻处理之后，处理完的晶片W 被按照TM2 — LLM6b — LM4 —前开式统集盒载置台1这一顺序搬运。近年来，根据所使用的处理气体的种类，有时会发生以下问题处理完的晶片 W当返回到装载组件4时与空气中的水分发生反应，向其周边释放出腐蚀性气体。另 夕卜，由于生成腐蚀性气体的反应会持续一定时间，还会发生在返回来的前开式统集盒内 腐蚀性气体污染未处理的晶片的问题。举出一个例子，在工艺组件3中，有时例如对HBr 气体、CI2气体等处理气体进行等离子化，对形成在晶片W上的多晶硅膜进行蚀刻。在此 情况下，蚀刻处理带来的生成物(溴化硅、氯化硅等)残留在晶片W上。近年来，晶片 W的设计规则变得更细化，图案的线宽也正变窄，因此副生成物容易残留在晶片W上所 形成的构造之间等处。一旦将该晶片W运入处于常压气氛的装载组件4内，则溴化硅、 氯化硅等与大气中的水分反应而生成溴化氢、氯化氢等腐蚀性气体并扩散，或者这些腐 蚀性气体再与大气中存在微量的氨气反应而生成溴化铵、氯化铵等微粒子，而在装载组 件4内扩散。为了解决上述的问题，如图9所示，在基板处理装置上安装清洁贮存器7，该清 洁贮存器7在常压气氛下临时保管处理完的晶片。由于可通过清洁贮存器7来清除处理 完的晶片W由于与大气反应而生成的腐蚀性气体，因此能够防止从返回到前开式统集盒 内的晶片释放出腐蚀性气体。但是，当从装载锁定组件6b向清洁贮存器7搬运处理完的晶片W时，晶片W 会通过装载组件4。装载组件4是在常压气氛下搬运晶片W的房间，因此晶片W进入 装载组件4的瞬间就有可能从晶片4释放出腐蚀性气体。结果，装载组件4的金属部 分例如搬运室的壁部、搬运单元等会被腐蚀，其腐蚀部分例如通过机械运动被摩擦并引 起金属污染。为了防止该情况，对装载组件4实施加强排气、搬运室壁部的表面处理 (TEFLON(注册商标)镀覆、氧化铝膜加工等)、耐蚀材料的选择等大规模的防腐蚀对 策。该大规模的防腐蚀对策导致装载组件的成本上升。在对近年来的基板处理装置 要求低成本、可靠性高、加强安全、降低保养费等的情况下，对于装载组件，希望能够 取消或减轻防腐蚀对策。为了降低腐蚀性气体对装载组件的影响，专利文献1公开了一 种基板处理装置，其中，邻接装载锁定组件配置清洁贮存器，并通过装载组件的主搬运 单元从装载锁定组件向清洁贮存器搬运处理完的基板。(现有技术文献)专利文献1 日本专利文献特开2008-53550号公报。
技术实现思路
(专利技术所要解决的问题)但是，对于专利文献1中公开的基板处理装置来说，主搬运单元的一部分(例 如，搬运晶片的搬运臂单元)与腐蚀性气体接触，在清洁贮存器中产生的腐蚀性气体可 能会流入装载组件内，因此不能说是周全的防腐蚀对策。并且，由配置在装载组件上的 一个主搬运单元承担从装载锁定组件向清洁贮存器搬运晶片的作业、以及将晶片从清洁 贮存器送回前开式统集盒载置台的作业，因此还存在生产率下降的问题。因此，本专利技术的目的在于提供一种无需对装载组件采取大规模的防腐蚀对策并 且也不会降低生产率的。(用于解决问题的手段) 为了解决上述问题，本专利技术的一个方式提供一种基板处理装置，包括载置 台，载置搬运容器，该搬运容器可收纳多个基板；减压处理室，在减压气氛下对基板实 施处理；装载锁定室，在该装载锁定室与所述减压处理室之间进行基板的接收和交付， 并能够在减压气氛与常压气氛之间切换；大气搬运室，具有主搬运单元，该主搬运单元 在常压气氛中从所述载置台向所述装载锁定室搬运收纳在所述搬运容器中的基板；以及 贮存器，在压力比所述减压气氛高的气氛中保持处理完的基板；所述基板处理装置的特 征在于，在所述基板处理装置中设置有迂回路径，该迂回路径将处理完的基板在不经由 所述常压搬运室的情况下从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，在所述迂回路径中配置 副搬运单元，该副搬运单元将处理完的基板从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，通过 所述常压搬运室的所述主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器搬运至所述载置台的所 述搬运容器。本专利技术的另一个方式提供一种基板处理方法，包括以下步骤通过常压搬运室 的主搬运单元将收纳在载置台的搬运容器中的未处理的基板从所述载置台搬运到常压气 氛下的装载锁定室；将未处理的基板从所述装载锁定室搬运到减压处理室，通过减压处理室对基板实施处理；将处理完的基板从所述减压处理室搬运到减压气氛下的装载锁定 室；将所述装载锁定室内的气氛从减压气氛切换到常压气氛；将处理完的基板从所述装 载锁定室搬运到贮存器中；通过所述贮存器将处理完的基板保持在压力比所述减压气氛 高的气氛中；以及通过所述常压搬运室的主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器搬运 到所述载置台的所述搬运容器中；所述基板处理方法的特征在于，设置以下步骤通过 迂回路径的副搬运单元将处理完的基板在不经由所述常压搬运室的情况下从所述装载锁 定室搬运至所述贮存器，所述迂回路径使处理完的基板从所述装载锁定室迂回至所述贮 存器；以及通过所述常压搬运室的所述主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器送回到 所述载置台的所述搬运容器中。专利技术效果 根据本专利技术，由于在从装载锁定室至贮存器之间附加了使得处理完的基板不会 经由常压搬运室的迂回路径，因此无需对常压搬运室采取大规模的防腐蚀对策。并且， 由于使迂回路径的副搬运单元分担主搬运单元的作业，并能够使迂回路径的副搬运单元 和常压搬运室的主搬运单元同时工作，因此能够提高生产率。附图说明图1是本专利技术第一实施方式中的基板处理装置的简要俯视图；图2是上述基板处理装置的简要立体图；图3是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，包括：载置台，载置搬运容器，该搬运容器可收纳多个基板；减压处理室，在减压气氛下对基板实施处理；装载锁定室，在该装载锁定室与所述减压处理室之间进行基板的接收和交付，并能够在减压气氛与常压气氛之间切换；大气搬运室，具有主搬运单元，该主搬运单元在常压气氛中从所述载置台向所述装载锁定室搬运收纳在所述搬运容器中的基板；以及贮存器，在压力比所述减压气氛高的气氛中保持处理完的基板；所述基板处理装置的特征在于，在所述基板处理装置中设置有迂回路径，该迂回路径将处理完的基板在不经由所述常压搬运室的情况下从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，在所述迂回路径中配置副搬运单元，该副搬运单元将处理完的基板从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，通过所述常压搬运室的所述主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器搬运至所述载置台的所述搬运容器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：广木勤，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]