带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法，所述带有切割片的胶粘薄膜在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，即使在半导体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯片与该胶粘薄膜一体剥离时的剥离性优良。本发明专利技术的带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Ｓｉ－Ｋα射线强度为０．０１～１００ｋｃｐｓ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在将用于固着半导体芯片和电极构件固着的胶粘剂在切割前附着在 半导体晶片上的状态下供给半导体晶片的切割的。另 外，本专利技术涉及使用所述带有切割片的胶粘薄膜制造的半导体装置。
技术介绍
形成有电路图案的半导体晶片在根据需要通过背面研磨调节厚度后，切割为半导 体芯片(切割工序)。在切割工序中，为了除去切割层，一般通过适度的液压(通常约2kg/ cm2)清洗半导体晶片。然后，利用胶粘剂将所述半导体芯片固着到引线框等被粘物上(安装 工序)后，移送到接合工序。所述安装工序中，将胶粘剂涂布到引线框或半导体芯片上。但 是，该方法难以实现胶粘剂层的均勻化，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此， 提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片、并且也提供安装工序所需的芯片固着用胶粘剂 层的切割/芯片接合薄膜(例如，参考专利文献1)。专利文献1中所述的切割/芯片接合薄膜，在基材1上设置有可以剥离的胶粘剂 层。即，在胶粘剂层的保持下将半导体晶片切割后，对基材1进行拉伸而将半导体芯片与胶 粘剂层一起剥离，将其逐个回收后通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。这种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，为了不产生无法切割或尺寸误差等问题， 希望具有对半导体晶片的良好保持力以及能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地 从基材1上剥离的良好剥离性。但是，这两种特性不容易达到平衡。因此，为了克服这样的问题，提出了各种改良方法。例如，在下述专利文献2中，提 出了使基材1与胶粘剂层之间夹设可以紫外线固化的粘合剂层，在切割后将其进行紫外线 固化，从而使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，通过两者间的剥离容易地拾取半导 体芯片的方法。但是，随着半导体晶片的大型化(IOmmXlOmm以上)、薄型化(约15μπι 约 100 μ m)，现有的切割/芯片接合薄膜难以同时满足切割时所需的高胶粘性和拾取时所需 的剥离性，难以将带有胶粘剂的半导体芯片从切割片上剥离。结果，有时产生拾取不良或芯 片变形导致破损的问题。专利文献1 日本特开昭60-57642号公报专利文献2 日本特开平2-248064号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种带有切割片的胶粘薄膜，在基材上具有粘合剂层，在 该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，该带有切割片的胶粘薄膜即使在半导 体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯 片与该胶粘薄膜一体地剥离时的剥离性优良；还提供该胶粘薄膜的制造方法。本专利技术人为了解决上述现有问题对进行了研究，结果发现，通过采用下述构成可以实现前述目的，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的带有切割片的胶粘薄膜，为了解决上述问题，在基材上依次层压有粘 合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的 Si-Ka射线强度为0. 01 IOOkcps0所述构成中的Si-Ka射线强度，可以作为所述粘合剂层的粘贴面中硅原子以何 种程度存在的指标。通过对所述粘贴面进行表面改性使Si-K α射线强度为0. Olkcps以上， 可以保持对所述胶粘剂层的剥离性。由此，例如在拾取半导体芯片时，可以防止产生胶糊残 留或拾取不良。另一方面，通过进行表面改性使所述粘贴面的Si-Ka射线强度为IOOkcps 以下，可以防止对胶粘剂层的胶粘性的过度下降。由此，例如在对粘贴在胶粘剂层上的半导 体晶片进行切割时，可以将由该工序得到的半导体芯片可靠地胶粘固定。结果，可以防止芯 片飞散或碎片的产生。所述构成中，优选在温度25°C、相对湿度55%、拉伸速度300mm/分钟、剥离角度 180°的条件下进行剥离时，所述区域对所述胶粘剂层的剥离粘合力为0. 01 0. 2N/20mm。 通过对所述粘合剂层的粘贴面的至少一部分进行表面改性使Si-Ka射线强度为0. 01 lOOkcps，可以将粘合剂层对胶粘剂层的剥离粘合力控制在0. 01 0. 2N/20mm的范围内。在 此，通过使所述粘合力为0. 01N/20mm以上，可以防止与胶粘剂层的胶粘性过度下降。另一 方面，通过使所述粘合力为0. 2N/20mm以下，可以防止与胶粘剂层的过度胶粘。由此，可以 在粘合剂层与胶粘剂层间保持良好的剥离性。结果，例如在拾取半导体芯片时，可以防止产 生胶糊残留或拾取不良。另外，所述构成中，所述区域优选为与所述胶粘剂层的工件粘贴区域对应的区域。 所述胶粘剂层的半导体晶片粘贴区域是指用来粘贴半导体晶片等半导体晶片的区域。通过 具有这样的构成，可以防止半导体晶片切割时半导体芯片的芯片飞散或产生碎片，并且可 以保持良好的拾取性。另外，本专利技术的带有切割片的胶粘薄膜的制造方法，为了解决上述问题，用于制 造在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层的带有切割片的胶粘薄膜，其特征在于，包括 如下工序在所述基材上形成粘合剂层的工序，对所述粘合剂层的表面的至少一部分区域 进行表面改性使Si-Ka射线强度为0. 01 IOOkcps的工序，和在所述粘合剂层中的经表 面改性后的表面上形成所述胶粘剂层的工序。所述方法中，通过对在基材上形成的粘合剂层的表面的至少一部分进行表面改性 使Si-Ka射线强度为0.01 lOOkcps，可以容易地使其对之后形成的胶粘剂层的胶粘性与 剥离性形成良好的平衡状态。结果，例如可以防止切割半导体晶片时半导体芯片的芯片飞 散或产生碎片，并且可以同时防止拾取该半导体芯片时的胶糊残留或拾取不良。所述粘合剂层的所述粘贴面的表面改性，优选通过将至少含有聚硅氧烷树脂的溶 液以雾状散布的方法、将在另一薄膜上涂布聚硅氧烷树脂而得到的涂层转印的方法、或者 在粘合剂层表面涂布聚硅氧烷分散体并使其干燥的方法来进行。特别是将至少含有聚硅氧 烷树脂的溶液以雾状散布的方法，可以简便地进行表面改性的工序，可以提高作业性。另外，本专利技术的半导体装置，为了解决上述问题，其特征在于，由上述的带有切割 片的胶粘薄膜制造。专利技术效果本专利技术通过前面说明过的手段，实现以下效果。即，根据本专利技术的带有切割片的胶粘薄膜，具有在基材上依次层压有粘合剂层和 胶粘剂层的结构，在该粘合剂层与胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域中实施了表面改 性。表面改性是进行处理使Si-Ka射线强度为0. 01 lOOkcps，因此，由此可以使粘合剂 层与胶粘剂层间的胶粘性和剥离性的平衡良好。结果，例如可以防止切割半导体晶片时半 导体芯片的芯片飞散或产生碎片，并且可以同时防止拾取该半导体芯片时的胶糊残留或拾 取不良的产生，提高制造上的生产量。附图说明图1是本专利技术一个实施方式的带有切割片的胶粘薄膜的示意剖面图。图2是本专利技术另一实施方式的带有切割片的胶粘薄膜的示意剖面图。图3是表示通过本专利技术一个实施方式的胶粘薄膜安装半导体芯片的例子的示意 剖面图。图4是表示通过所述胶粘薄膜三维安装半导体芯片的例子的示意剖面图。图5是表示使用所述胶粘薄膜，通过垫片三维安装两个半导体芯片的例子的示意 剖面图。标号说明1基材2粘合剂层3、13、21 胶粘剂层4半导体晶片5、15 半导体芯片6被粘物7焊线8密封树脂9垫片IOUl 带有切割片的胶粘薄膜具体实施例方式(带有切割片的胶粘薄膜)以下对本实施方式的带有切割片的胶粘薄膜进行说明。如图1所示，带有切割本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Ｓｉ－Ｋα射线强度为０．０１～１００ｋｃｐｓ。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅生悠树，天野康弘，松村健，村田修平，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]