倍频器制造技术

本发明专利技术是一种倍频器，用于对一正相振荡信号与一反相振荡信号进行处理，以于输出端产生更高频的信号。该倍频器包括一第一、一第二晶体管与一第一、一第二电感。第一与第二晶体管的第一端处于共电位。上述正相与反相振荡信号分别由第一与第二晶体管的控制端输入该倍频器。上述第一与第二电感分别将第一与第二晶体管的第二端耦接至该倍频器的输出端。第一与第二电感可用各自独立的电感元件实现，也可由具有互感效应的一对称型电感实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为有关于一种倍频器(frequency doubler)。
技术介绍
无线通讯技术日益发达，使用的频率范围已经来到十亿赫兹(GigaHertz)。图1 列举数种目前常见的无线通讯应用，其中，标号102 116分别为地面中继无线通讯系统 (TETRA)、全球行动通讯系统900(GSM900)、GSM 1800、第三代行动通讯技术(3G)、无线局域网络802. llb/g(WLAN 802. llb/g)、WLAN 802. 11a、超频宽(UffB)、以及无线高画质通讯 (wireless HD)。可发现目前无线通讯的使用频率甚至上达60GHz。如此高的通讯频率会使得无线信号的接收器与发送器必须以相当高阶的工艺技术实现，成本高昂。此外，除了上述高频需求，频宽是否足够也是一项重要课题。兼顾高频且宽频的振荡器设计是相当昂贵且困难的。
技术实现思路
本专利技术公开一种倍频器，可用于对一振荡器所提供的一正相振荡信号与一反相振荡信号进行处理，以于输出端产生高频的信号。在一种实施方式中，所公开的倍频器包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第一电感以及一第二电感。以下详述该些元件的结构。上述第一晶体管具有一第一端、一第二端以及一控制端。上述第二晶体管同样具有一第一端、一第二端以及一控制端。上述第一与第二晶体管的上述第一端处于共电位。上述正相振荡信号与反相振荡信号分别由上述第一与第二晶体管的上述控制端输入该倍频器。上述第一电感将该第一晶体管的上述第二端耦接至该倍频器的输出端，且上述第二电感将该第二晶体管的上述第二端耦接至该倍频器的输出端。上述第一与第二电感元件可以多种方式实现。例如，上述第一与第二电感可以两独立电感元件实现，该两电感元件还可彼此提供互感效应。在另一种实施方式中，上述第一与第二电感由一对称型电感实现，该对称型电感的一第一侧的一第一连结端与一第二连结端分别耦接该第一晶体管的上述第二端与该第二晶体管的上述第二端，且该对称型电感的一第二侧的连结端耦接该倍频器的上述输出端。以下列举多个实施方式与相关图示以帮助了解本专利技术。附图说明图1图解数种目前常见的无线通讯技术的使用频率；图2图解本专利技术倍频器的一种实施方式；图3a、3b、3c列举本专利技术倍频器其它几种实施方式；图4显示对称型电感元件的一示意图；以及图5以图2的实施方式为例，说明其输出端信号Out与其输入端信号h与Inb的关系，并显示第一与第二晶体管Ml与M2的动作。主要元件符号说明102 地面中继无线通讯系统；104 全球行动通讯系统900 ；106 GSM 1800;108第三代行动通讯技术；110 无线局域网络802. llb/g ；112 WLAN 802. Ila ；114 超频宽；116 无线高画质通讯(wireless HD)；200 倍频器；202 滤波器；302 阻抗单元；304 电流源；400 对称型电感；402、404 对称型电感400第一侧的第一、第二连结端；406 对称型电感400第二侧的连结端；502、504、506 各种实施方式的倍频输出波形；C 电容；h 正相振荡信号；Inb 反相振荡信号；Li、L2、L3 第一、第二、第三电感；M1、M2 第一、第二晶体管；以及Out 倍频输出。具体实施例方式以下内容包括本专利技术多种实施方式，其内容并非用来限定本专利技术范围。本专利技术实际的范围仍应当以申请专利范围的叙述为主。图2图解本专利技术倍频器的一种实施方式。倍频器200包括两个输入端以及一输出端，其两个输入端可用于接收一振荡器(未显示在图中)所提供的一正相振荡信号h与一反相振荡信号hb，上述正相与反相振荡信号h与Inb彼此拥有180度相位差。倍频器200 在上述正相与反相振荡信号^与Inb操作下会在输出端产生更高频的振荡信号Out。参阅图2的实施方式，倍频器200的基本元件包括一第一晶体管Ml、一第二晶体管 M2—第一电感Ll以及一第二电感L2。以下详述该些元件的结构。上述第一与第二晶体管 Ml与M2各自具有一第一端、一第二端以及一控制端。例如，此实施方式以两个相同尺寸的 N型金氧半晶体管(NMOQ实现上述第一与第二晶体管Ml与M2，上述第一、第二端与控制端即NMOS的源极、漏极与栅极。以图中所示实施方式为例，第一与第二晶体管Ml与M2的第一端(源极)处于共电位(皆接地)。第一与第二晶体管Ml与M2的控制端(栅极)分别接收前级一振荡器(未显示在图中)所提供的正相振荡信号^与反相振荡信号hb。第一晶体管Ml的第二端(漏极)乃经由第一电感Ll耦接至倍频器200的输出端(Out)，且第二晶体管M2的第二端(漏极)乃经由第二电感L2耦接至倍频器200的输出端(Out)。除了上述第一、第二晶体管Ml与M2以及第一、第二电感Ll与L2，倍频器200还包括一滤波器202供使用者选用。滤波器202包括一第三电感L3以及一电容C，用以滤除信号h与hb内的噪声。第三电感L3耦接在倍频器200的电源与输出端(Out)之间。电容 C耦接于倍频器200的输出端(Out)与接地点之间。图2倍频器200仅为本专利技术一种实施方式，其中元件还可以其它类似装置取代。例如，第一与第二晶体管Ml与M2除了如图2以金氧半晶体管实现，亦可以改由双载子接面晶体管或其它晶体管元件实现。例如，在第一与第二晶体管Ml与M2为双载子接面晶体管的例子中，上述第一、第二端与控制端即双载子接面晶体管的射极、集极与基极。此外，本专利技术倍频器的输出端也不一定是耦接图2所示的滤波器202，也可能是任何阻抗单元。图3c列举本专利技术倍频器其它几种实施方式。观察图3a…3c，可发现其中除了具有基本的结构 (包含第一、第二晶体管Ml与M2以及第一、第二电感Ll与L2)外，也可视使用者需求作出各种变形。参阅图3a，其中显示图2滤波器202也可为任何电子元件所组成的阻抗单元302。 参阅图北，其中还显示第一与第二晶体管Ml与M2共电位的第一端(源极)还可耦接一电流源304。参阅图3c，其中还显示第一与第二晶体管Ml与M2不限定为NM0S，也可为P型金氧半晶体管PM0S。必须声明的是，图3a…3c仅为其中几种实施方式，并非用来限定本专利技术范围。任何具有本专利技术倍频器基本结构(包含第一、第二晶体管Ml与M2以及第一、第二电感Ll与L2)的倍频电路，皆属本专利技术所欲保护的范围。此外，图2所示的第一与第二电感Ll与L2也有多种实现方式。例如，第一与第二电感Ll与L2可单纯为两个电感元件，各自独力将第一与第二晶体管Ml与M2的第二端 (漏极)耦接至倍频器200的输出端(Out)。或者，第一与第二电感Ll与L2之间可存在互感效应。更甚者，以一对称型电感元件取代第一与第二电感Ll与L2。图4显示对称型电感元件的一示意图。对称型电感在结构上具有两圈电感(对应本专利技术前述的第一与第二电感 Ll与L2)，彼此具有互感效应。图4所示的对称型电感400具有一第一侧以及一第二侧，第一侧具有一第一连结端402以及一第二连结端404，且第二侧具有单一连结端406。以图2 为例，图4对称型电感的第一侧的第一与第二连结端402与404分别耦接第一与第二晶体管Ml与M2的第二端(漏极)，且第二侧的连结端406耦接该倍频器200的输出端(Out)。上述各种实施方式皆本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种倍频器，其特征在于，包括：一第一晶体管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，该第一晶体管的上述控制端接收一正相振荡信号；一第二晶体管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，该第二晶体管的上述控制端接收一反相振荡信号，且该第二晶体管的上述第一端与该第一晶体管的上述第一端共电位；一第一电感，耦接于该第一晶体管上述第二端与该倍频器一输出端之间；一第二电感，耦接于该第二晶体管上述第二端与该倍频器上述输出端之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张智翔，林荣茂，杨清渊，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]