磁屏式磁控电抗器铁芯制造技术

磁屏式磁控电抗器铁芯，包括上铁轭和下铁轭，以及连接上、下铁轭的铁芯柱，其特征在于所述的铁芯柱包括交替分布的近饱和区域铁芯和不饱和区域铁芯，以及中间的铁饼和气隙组成，近饱和区域铁芯和不饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面积和不饱和区域铁芯截面积。本方案通过减少近饱和区域面积，增加不饱和区域面积，这样就减少不饱和区域的磁密，同时增大了漏磁通，减少了气隙高度；减少了损耗，降低了噪音。通过增加铁饼数量，减少气隙高度，减少了漏磁，使得局部励磁均匀，谐波量小，避免了局部过流，增加了工作寿命。并且有控制能量低，可以带电检修等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁控电抗器铁芯，特别是涉及一种磁路并联漏磁屏蔽式可控电抗 器铁芯，属于电网和输变电设备节能领域。
技术介绍
随着超高压大电网的形成和城市电网中电缆线路剧增，电网中的无功功率变化和 电压波动等问题日益突出。实施无功功率动态平衡和电压波动的动态抑制、加强电网谐波 治理、抑制超高压输电长线路末端电压升高和减少线路单相接地时的潜供电流、消除发电 机自励磁等措施，对电网的安全经济运行、促进电网节能，具有重要意义。随着电网中冲击 性负荷(如电弧炉、电解铝、轧钢、电气化铁路、城市地铁，煤矿提升设备等)逐渐增多，电力 电子技术和装置在电网中的广泛应用，动态无功补偿和滤波装置对可控电抗器的安全可靠 性等技术经济指标，提出了更高的要求。目前，磁屏式磁控电抗器的铁芯芯柱有等截面的不 饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域 铁芯的漏磁通形成自屏蔽，使铁芯的损耗、噪音、谐波含量降低，但是，负载噪音大，附加损 耗高，谐波量较大，漏磁大，局部过流，工作寿命低等问题依然没有得到有效的控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服已有技术的缺点，提供一种损耗小、噪声低，铁芯截面积 充分利用，制造成本低、能够可靠高效地应用于超高压电网的磁屏式磁控电抗器铁芯。本专利技术磁屏式磁控电抗器铁芯的技术方案是包括上铁轭和下铁轭，以及连接上、 下铁轭的铁芯柱，其特征在于所述的铁芯柱包括交替分布的近饱和区域铁芯和不饱和区域 铁芯，以及中间的铁饼和气隙组成，近饱和区域铁芯和不饱和区域铁芯交错排列组成并联 磁路，在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面积和不饱和区域铁芯截面积。本专利技术的磁屏式磁控电抗器铁芯，所述的铁芯柱包括交替分布的近饱和区域铁芯 和不饱和区域铁芯，以及中间的铁饼和气隙组成，采用小气隙多铁饼的结构，勻化了铁芯气 隙结构，减少了单个气隙的高度，有效地降低了噪音及铁芯、线圈的附加损耗。不饱和区域 铁芯和近饱和区域铁芯沿主磁通方向左右相邻或前后相邻交错排列(所述交错排列指动 作，交错排列成一个系统)，近饱和区域铁芯由较小的截面积或导磁率低的导磁材料或气隙 构成，在并联磁路中按一定比例设定不饱和区域铁芯和近饱和区域铁芯面积，通过不饱和 区域铁芯吸收近饱和近区域铁芯的漏磁通形成自屏蔽，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭 合形成回路。本方案通过减少近饱和区域面积，增加不饱和区域面积，这样就减少不饱和区 域的磁密，同时增大了漏磁通，减少了气隙高度；减少了损耗，降低了噪音。通过增加铁饼数 量，减少气隙高度，减少了漏磁，使得局部励磁均勻，谐波量小，避免了局部过流，增加了工 作寿命。并且有控制能量低，可以带电检修等优点。本专利技术的磁屏式磁控电抗器铁芯，所述的近饱和区域铁芯截面积比例为40%左 右，不饱和区域铁芯截面积比例为60%左右，通过减少近饱和区域的截面积，使附加损耗减少20%左右，噪音减少5dB左右；增大不饱和区域截面积，进而增加了漏磁截面积，相对减 少了气隙高度，使得噪音再次减少。附图说明图1是本专利技术的磁屏式磁控电抗器铁芯结构示意图；图2是图1的B-B截面示意图；图3是图1的A向示意图。具体实施例方式本专利技术涉及一种磁屏式磁控电抗器铁芯，如图1-图3所示，包括上铁轭3和下铁 轭4，以及连接上、下铁轭3、4的铁芯柱5，其特征在于所述的铁芯柱5包括交替分布的近饱 和区域铁芯7和不饱和区域铁芯6，以及中间的铁饼1和气隙2组成，近饱和区域铁芯7和 不饱和区域铁芯6交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面 积和不饱和区域铁芯截面积。本技术方案所述的铁芯柱5包括交替分布的近饱和区域铁芯 7和不饱和区域铁芯6，以及中间的铁饼1和气隙2组成，采用小气隙多铁饼的结构，勻化了 铁芯气隙结构，减少了单个气隙的高度，有效地降低了噪音及铁芯、线圈的附加损耗。不饱 和区域铁芯6和近饱和区域铁芯7沿主磁通方向左右相邻或前后相邻交错排列(所述交错 排列指动作，交错排列成一个系统)，近饱和区域铁芯7由较小的截面积或导磁率低的导磁 材料或气隙构成，在并联磁路中按一定比例设定不饱和区域铁芯和近饱和区域铁芯面积， 通过不饱和区域铁芯吸收近饱和区域铁芯的漏磁通形成自屏蔽，铁芯芯柱的主磁通经过上 下铁轭闭合形成回路。本方案通过减少近饱和区域面积，增加不饱和区域面积，这样就减少 不饱和区域的磁密，同时增大了漏磁通，减少了气隙高度；减少了损耗，降低了噪音。通过增 加铁饼数量，减少气隙高度，减少了漏磁，使得局部励磁均勻，谐波量小，避免了局部过流， 增加了工作寿命。并且有控制能量低，可以带电检修等优点。所述的近饱和区域铁芯截面 积比例为40%左右，不饱和区域铁芯截面积比例为60%左右，通过减少近饱和区域的截面 积，使附加损耗减少20%左右，噪音减少5dB左右；增大不饱和区域截面积，进而增加了漏 磁截面积，相对减少了气隙高度，使得噪音再次减少。权利要求1.磁屏式磁控电抗器铁芯，包括上铁轭(3)和下铁轭G)，以及连接上、下铁轭(3、4) 的铁芯柱(5)，其特征在于所述的铁芯柱(5)包括交替分布的近饱和区域铁芯(7)和不饱和 区域铁芯(6)，以及中间的铁饼(1)和气隙(2)组成，近饱和区域铁芯(7)和不饱和区域铁 芯(6)交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面积和不饱和 区域铁芯截面积。2.如权利要求1所述的磁屏式磁控电抗器铁芯，其特征在于所述的近饱和区域铁芯 (7)截面积比例为40%，不饱和区域铁芯(6)截面积比例为60%。全文摘要磁屏式磁控电抗器铁芯，包括上铁轭和下铁轭，以及连接上、下铁轭的铁芯柱，其特征在于所述的铁芯柱包括交替分布的近饱和区域铁芯和不饱和区域铁芯，以及中间的铁饼和气隙组成，近饱和区域铁芯和不饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面积和不饱和区域铁芯截面积。本方案通过减少近饱和区域面积，增加不饱和区域面积，这样就减少不饱和区域的磁密，同时增大了漏磁通，减少了气隙高度；减少了损耗，降低了噪音。通过增加铁饼数量，减少气隙高度，减少了漏磁，使得局部励磁均匀，谐波量小，避免了局部过流，增加了工作寿命。并且有控制能量低，可以带电检修等优点。文档编号H01F41/02GK102136350SQ20101010336公开日2011年7月27日 申请日期2010年1月26日 优先权日2010年1月26日专利技术者赵西平 申请人:浙江广天变压器有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．磁屏式磁控电抗器铁芯，包括上铁轭（３）和下铁轭（４），以及连接上、下铁轭（３、４）的铁芯柱（５），其特征在于所述的铁芯柱（５）包括交替分布的近饱和区域铁芯（７）和不饱和区域铁芯（６），以及中间的铁饼（１）和气隙（２）组成，近饱和区域铁芯（７）和不饱和区域铁芯（６）交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面积和不饱和区域铁芯截面积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵西平，
申请(专利权)人：浙江广天变压器有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]