真空溅射镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种真空溅射镀膜设备，涉及真空溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及对真空溅射镀膜设备中连接管的结构改造。包括真空测量装置、箱体、真空腔体，箱体内包裹有真空腔体，其特征在于：还包括连接管，所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接，所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。所述真空测量装置可以为真空计。本实用新型专利技术解决了现有技术真空溅射镀膜设备中，与真空测量装置连接的连接管为水平结构，靶材溅射时，中性的靶原子（或分子）容易通过连接管沉积于真空测量装置中的问题，本实用新型专利技术提供了一种新型连接管，在连接管上设计一个弯头结构、延长了管道，使飞溅的靶原子（或分子）不能直接沉积于真空测量装置中。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及真空溅射镀膜设备
，特别是涉及对真空溅射镀膜设备中 连接管的结构改造。
技术介绍
现代薄膜技术已在机械、航空、电子、能源、受控热反应堆、超导、声学等各个领域 广泛运用，集管理与真空装置控制于一体的计算机集成综合控制系统得已快度发展，在真 空装置自动控制中，往往要进行真空测量，并与上机位进行通信联系，实现远距离控制。目 前市场使用的与真空测量装置连接的连接管(如图1所示)，连接管为水平结构，连接管与 真空测量装置连接后，靶材溅射时，中性的靶原子(或分子)在沉积于基片上形成薄膜的同 时，也会通过连接管沉积于真空测量装置中，造成真空测量装置的失效或误判，影响到生产 出来产品的品质，并可造成相关联性设备的损坏。
技术实现思路
为了解决现有技术真空溅射镀膜设备中，与真空测量装置连接的连接管为水平结 构，靶材溅射时，中性的靶原子(或分子)容易通过连接管沉积于真空测量装置中的问题， 本技术提供了一种新型连接管，在连接管上设计一个弯头结构、延长了管道，使飞溅的 靶原子(或分子)不能直接沉积于真空测量装置中。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案是一种真空溅射镀膜设备，包括真空测量装置、箱体、真空腔体，箱体内包裹有真空 腔体，其特征在于还包括连接管，所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接，所述 连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。前述的一种真空溅射镀膜设备，其特征在于所述真空测量装置为真空计。本技术的有益效果是本技术对连接管的结构进行了改进，在水平结构 的连接管一端向上弯曲形成弯头结构，弯头结构与真空测量装置连接，本技术的连接 管向上弯曲延长了管道，使飞溅的靶原子(或分子)不能直接沉积于真空测量装置中，能避 免测量装置的失效或误判，延长真空计的寿命，降低维护成本，维护设备的正常运转，避免 了设备不安全因素的存在。附图说明图1是现有技术真空溅射镀膜设备中连接管的结构示意图；图2是本技术真空溅射镀膜设备中连接管的结构示意图；图3是本技术真空溅射镀膜设备的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术做进一步的描述。如图2和图3所示，一种真空溅射镀膜设备，包括箱体1、真空腔体2，真空计3，连 接管4，箱体1内包裹有真空腔体2，所述连接管4的一端通过箱体1与真空腔体2贯通连 接，所述连接管4的另一端向上弯曲与真空计3相连接。本技术的连接管4向上弯曲， 靶材溅射时，中性的靶原子(或分子)因为重力的原因，不容易通过连接管沉积于真空计3 中，能避免真空计3的失效或误判，维护真空计3的正常运转，同时也可以避免其它设备不 安全因素的存在。显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的 技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只 是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有 各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求 保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求一种真空溅射镀膜设备，包括真空测量装置、箱体、真空腔体，箱体内包裹有真空腔体，其特征在于还包括连接管，所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接，所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。2.根据权利要求1所述的一种真空溅射镀膜设备，其特征在于所述真空测量装置为真空计。专利摘要本技术公开了一种真空溅射镀膜设备，涉及真空溅射镀膜设备
，特别是涉及对真空溅射镀膜设备中连接管的结构改造。包括真空测量装置、箱体、真空腔体，箱体内包裹有真空腔体，其特征在于还包括连接管，所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接，所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。所述真空测量装置可以为真空计。本技术解决了现有技术真空溅射镀膜设备中，与真空测量装置连接的连接管为水平结构，靶材溅射时，中性的靶原子(或分子)容易通过连接管沉积于真空测量装置中的问题，本技术提供了一种新型连接管，在连接管上设计一个弯头结构、延长了管道，使飞溅的靶原子(或分子)不能直接沉积于真空测量装置中。文档编号C23C14/34GK201704398SQ20102018633公开日2011年1月12日 申请日期2010年5月11日 优先权日2010年5月11日专利技术者黄国兴 申请人:赫得纳米科技(昆山)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空溅射镀膜设备，包括真空测量装置、箱体、真空腔体，箱体内包裹有真空腔体，其特征在于：还包括连接管，所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接，所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国兴，
申请(专利权)人：赫得纳米科技昆山有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]