一种毫米波的一体化定向耦合器式矢量反射系数测量仪制造技术

技术编号:6172232 阅读:251 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种Ka波段的毫米波一体化定向耦合器式反射系数测量仪器。通过该一体化结构设计的反射测量仪可应用于作为毫米波波导器件反射系数或驻波比的前端测试系统。本仪器选用双定向耦合器式一体化设计,分为上下两部分波导通道,中间夹持有小孔耦合片,设计结构新颖紧凑,四端口分别为输入端口、输出端口、参考信号端口、测试信号端口。在输入端口波导处和两个定向耦合器中间处有吸收片构成的衰减器,减少系统内驻波和反射,提高校准精度和测量精度。本仪器具有以下特点:1、扫频矢量测量;2、一体化结构。通过此矢量反射系数测量仪器可以应用于作为Ka波段毫米波波导器件反射系数及驻波比的前端测试系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种Ka波段的毫米波一体化定向耦合器式反射系数测量仪器。通过 该一体化结构设计的反射测量仪可应用于作为毫米波波导器件反射系数或驻波比的前端 测试系统。
技术介绍
毫米波波导器件在微波各种领域都广泛使用,其反射参量是描述微波元器件或分 机失配程度的主要技术指标,也是微波测量系统中最重要最常见的测试指标。反射系数测 量仪是能实现测量反射参量的测试系统,其结构简单,测试精度高,具有以下特点1、扫频矢量测量扫频测试频段26.5GHz-40GHz应用单端口校准方法,可以通过测试得到反射系数的幅度和相位,实现矢量测量。2、一体化结构采用双层波导通道夹持耦合片的一体化的双定向耦合器形式,结构紧凑,加工容 易,同时降低器件连接处反射,测试结果精度高。
技术实现思路
本专利技术所涉及的Ka波段的毫米波一体化定向耦合器式反射系数测量仪器,可以 用于测量波导器件单端口矢量反射系数。本专利技术采用以下技术方案选用双定向耦合器形式,分别得到参考路信号和反射路信号,通过测试之前的单 端口校准方法,测量得到其矢量反射系数。该反射系数测量仪电气结构选用双层波导通道 形式,中间夹持有耦合片,降低加工的要求。附图说明图1为反射系数测量仪上层波导通道结构正视2为反射系数测量仪下层波导通道结构正视3为反射系数测量仪中间的定向耦合器片结构4为反射系数测量仪整体正视图具体实施例方式1反射系数测量仪四个端口分别为输入端口、输出端口、参考端口、测试端口,其中 输入端口接信号输入,输出端口接待测器件,参考端口和测试端口分别接混频器。2在测试通过单端口校准方法将输出端口分别接短路器匹配负载,通过参考端口 和测试端口的信号,得到端口校准矢量多项式。3将输出端口接上待测元件,将测量得到得参考和测试端口信号相位和幅度代入 矢量多项式从而得到待测物的矢量反射系数。权利要求一种Ka波段的毫米波一体化定向耦合器式矢量反射系数测量仪,其特征在于,采用结构一体化的双定向耦合器形式,即双层波导通道夹持耦合片形式,结构紧凑,加工容易,降低分体器件连接处反射,测试结果精度高。2.根据权利要求1所述的毫米波一体化定向耦合器式反射系数测量仪器,其特征为 选用0. 5mm厚的圆孔阵列耦合片,两个定向耦合器共用同一耦合片,装配简便,系统易于实 现。3.根据权利要求1所述的毫米波一体化定向耦合器式反射系数测量仪器,其特征为定 向耦合器片选用两列大小渐变的圆孔阵,根据每列渐变的孔大小和相应距离可以实现在宽 带内的稳定耦合度并相应提高耦合器的隔离度。4.根据权利要求1所述的毫米波一体化定向耦合器式反射系数测量仪器,其特征为输 入端和两定向耦合器之间波导内各加入一个吸收片所构成衰减器,从而减少系统内驻波和 反射,提高测试精度。全文摘要本专利技术涉及一种Ka波段的毫米波一体化定向耦合器式反射系数测量仪器。通过该一体化结构设计的反射测量仪可应用于作为毫米波波导器件反射系数或驻波比的前端测试系统。本仪器选用双定向耦合器式一体化设计,分为上下两部分波导通道,中间夹持有小孔耦合片,设计结构新颖紧凑,四端口分别为输入端口、输出端口、参考信号端口、测试信号端口。在输入端口波导处和两个定向耦合器中间处有吸收片构成的衰减器,减少系统内驻波和反射,提高校准精度和测量精度。本仪器具有以下特点1、扫频矢量测量;2、一体化结构。通过此矢量反射系数测量仪器可以应用于作为Ka波段毫米波波导器件反射系数及驻波比的前端测试系统。文档编号G01M11/02GK101986122SQ20101017693公开日2011年3月16日 申请日期2010年5月14日 优先权日2010年5月14日专利技术者刘金扬, 张勇芳, 肖亮, 苗俊刚 申请人:北京航空航天大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ka波段的毫米波一体化定向耦合器式矢量反射系数测量仪,其特征在于,采用结构一体化的双定向耦合器形式,即双层波导通道夹持耦合片形式,结构紧凑,加工容易,降低分体器件连接处反射,测试结果精度高。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:苗俊刚刘金扬肖亮张勇芳
申请(专利权)人:北京航空航天大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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