单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛（１）和引脚（２），所述基岛（１）正面中央区域下沉，在所述引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），基岛（１）和引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），在所述引脚（２）外围、基岛（１）与引脚（２）之间的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），所述无填料的塑封料（３）将引脚（２）下部外围、基岛（１）与引脚（２）的下部以及引脚（２）与引脚（２）的下部连接成一体，且使所述基岛（１）和引脚（２）背面尺寸小于基岛（１）和引脚（２）正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构，所述基岛（１）有一个，引脚（２）有多圈。本实用新型专利技术的有益效果是：塑封体与金属脚的束缚能力大。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构。属于半导体封装

技术介绍
传统的单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构主要有二种第一种采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，在金属基板的背面 贴上一层耐高温的胶膜形成可以进行封装过程的引线框载体(如图2所示)；第二种采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，即完成引线框的制 作(如图3所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行背面蚀刻。而上述的二种引线框在封装过程中存在了以下的不足点第一种1)此种的引线框架因背面必须要贴上一层昂贵可抗高温的胶膜。所以直接增加了 高昂的成本。2)也因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在封装过 程中的装片工艺只能使用导电或是不导电的树脂工艺，而完全不能采用共晶工艺以及软焊 料的工艺进行装片，所以可选择的产品种类就有较大的局限性。3)又因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程 中的球焊键合工艺中，因为此可抗高温的胶膜是软性材质，所以造成了球焊键合参数的不 稳定，严重的影响了球焊的质量与产品可靠度的稳定性。4)再因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程 中的塑封工艺过程，因为塑封的高压关系很容易造成引线框架与胶膜之间渗入塑封料，而 将原本应属金属脚是导电的型态因为渗入了塑封料反而变成了绝缘脚(如图4所示)。第二种此种的引线框架结构在金属基板正面进行了半蚀刻工艺，虽然可以解决第一种引 线框架的问题，但是因为只在金属基板正面进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封料只 有包覆住半只脚的高度，所以塑封体与金属脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB 板上不是很好时，再进行返工重贴，就容易产生掉脚的问题(如图5所示)。尤其塑封料的种类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴 装的应力变化关系，会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越 硬越脆越容易产生裂缝。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种降低封装成本、可选择的产品种 类广、球焊的质量与产品可靠度的稳定性好、塑封体与金属脚的束缚能力大的单个下沉基 岛露出型多圈引脚引线框结构。3本技术的目的是这样实现的一种单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结 构，包括基岛和引脚，所述基岛正面中央区域下沉，在所述引脚的正面设置有第一金属层， 基岛和引脚的背面设置有第二金属层，所述基岛有一个，引脚有多圈，在所述引脚外围、基 岛与引脚之间的区域以及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料，所述无填料的塑 封料将引脚下部外围、基岛与引脚的下部以及引脚与引脚的下部连接成一体，且使所述基 岛和引脚背面尺寸小于基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。本技术的有益效果是1)此种的引线框的背面不须要贴上一层昂贵可抗高温的胶膜。所以直接降低了高 昂的成本。2)也因为此种的引线框架的背面不须要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在封装过 程中的装片工艺除了能使用导电或是不导电的树脂工艺外，还能采用共晶工艺以及软焊料 的工艺进行装片，所以可选择的产品种类就广。3)又因为此种的引线框架的背面不须要贴上一层可抗高温的胶膜，确保了球焊键 合参数的稳定性，保证了球焊的质量与产品可靠度的稳定性。4)再因为此种的引线框架不须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程中的塑 封工艺过程，完全不会造成引线框与胶膜之间渗入塑封料。5)由于在所述金属脚(引脚)与金属脚间的区域嵌置有无填料的软性填缝剂，该 无填料的软性填缝剂与在塑封过程中的常规有填料塑封料一起包覆住整个金属脚的高度， 所以塑封体与金属脚的束缚能力就变大了，不会再有产生掉脚的问题。6)由于采用了正面与背面分开蚀刻作业的方法，所以在蚀刻作业中可形成背面基 岛的尺寸稍小而正面基岛尺寸稍大的结构，而同个基岛的上下大小不同尺寸在被无填料的 塑封料所包覆的更紧更不容易产生滑动而掉脚。附图说明图1为本技术单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构示意图。图2为以往在金属基板的背面贴上一层耐高温的胶膜图作业。图3为以往采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层作业图。图4为以往形成绝缘脚示意图。图5为以往形成的掉脚图。图中附图标记基岛1、引脚2、无填料的塑封料3、第一金属层4、第二金属层5。具体实施方式参见图1，图1为本技术单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构示意图。由 图1可以看出，本技术单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛1和引脚2， 所述基岛1正面中央区域下沉，在所述引脚2的正面设置有第一金属层4，基岛1和引脚2 的背面设置有第二金属层5，所述基岛1有一个，引脚2有多圈，在所述引脚2外围、基岛1 与引脚2之间的区域以及引脚2与引脚2之间的区域嵌置有无填料的塑封料3，所述无填料 的塑封料3将引脚2下部外围、基岛1与引脚2的下部以及引脚2与引脚2的下部连接成4一体，且使所述基岛1和引脚2背面尺寸小于基岛1和引脚2正面尺寸，形成上大下小的基 岛和引脚结构。权利要求一种单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)正面中央区域下沉，在所述引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，基岛(1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，其特征在于所述基岛(1)有一个，引脚(2)有多圈，在所述引脚(2)外围、基岛(1)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将引脚(2)下部外围、基岛(1)与引脚(2)的下部以及引脚(2)与引脚(2)的下部连接成一体，且使所述基岛(1)和引脚(2)背面尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。专利摘要本技术涉及一种单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)正面中央区域下沉，在所述引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，基岛(1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在所述引脚(2)外围、基岛(1)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将引脚(2)下部外围、基岛(1)与引脚(2)的下部以及引脚(2)与引脚(2)的下部连接成一体，且使所述基岛(1)和引脚(2)背面尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构，所述基岛(1)有一个，引脚(2)有多圈。本技术的有益效果是塑封体与金属脚的束缚能力大。文档编号H01L23/495GK201681846SQ20102017319公开日2010年12月22日 申请日期2010年4月21日 优先权日2010年4月21日专利技术者梁志忠, 王新潮 申请人:江苏长电科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单个下沉基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛（１）和引脚（２），所述基岛（１）正面中央区域下沉，在所述引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），基岛（１）和引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），其特征在于：所述基岛（１）有一个，引脚（２）有多圈，在所述引脚（２）外围、基岛（１）与引脚（２）之间的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），所述无填料的塑封料（３）将引脚（２）下部外围、基岛（１）与引脚（２）的下部以及引脚（２）与引脚（２）的下部连接成一体，且使所述基岛（１）和引脚（２）背面尺寸小于基岛（１）和引脚（２）正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]