多晶硅原料水洗槽制造技术

多晶硅原料水洗槽，涉及多晶硅清洗设备，清洗槽下部为支架，清洗槽上面开口、四周及底面为槽壁，其特征在于：清洗槽被下隔板分离为若干槽间，下隔板的下部与底面的槽壁连接；在清洗槽的首槽间的上部设有进水口，进水口与进水管相接，在中间槽间下隔板的前部还设有上隔板，上隔板的下部不与底面的槽壁连接，在每个槽间下部设有排水口，排水口通向排水管。本实用新型专利技术具有以下有益效果：１、省水，由于原料的清洗方向与水流方向相反，清水先经过最后需清洗的原料，最后经过刚需清洗的原料，从而可有效地节省水资源。２、清洗效果好。各槽间漂浮物相互不影响，整体为活水，重杂物与轻杂物均可通过水洗槽得到彻底的清洗，从而确保多晶硅原料的纯净度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅生产
，尤其是涉及多晶硅原料的水洗槽。技术背景现有的多晶硅原料处理过程中，设有原料清洗工序，目的是清洗原料中含有的酸 碱及其它杂质，该工序通常的做法是将原料放入清洗槽内通入清水进行清洗。由于目前清 洗槽设计大多不合理，如设计成阶梯状，存在着两个主要问题其一，漂浮物流动相互影响， 其二，下部水成为死水，起不到清洗作用。这样，清洗效果不理想，因而造成水资源浪费严重。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种多晶硅原料水洗槽，它可克服现有技术的缺陷，做 到漂浮物不相互影响，将整个清洗水的形成活动水系，从而既保证清洗效果，又节省水资 源。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案多晶硅原料水洗槽，清洗槽下部 为支架，清洗槽上面开口、四周及底面为槽壁，其特征在于清洗槽被下隔板分离为若干槽 间，下隔板的下部与底面的槽壁连接；在清洗槽的首槽间的上部设有进水口，进水口与进水 管相接，在中间槽间下隔板的前部还设有上隔板，上隔板的下部不与底面的槽壁连接，在每 个槽间下部设有排水口，排水口通向排水管。本技术还可通过以下方案进一步实现防水上隔板的上端还设有上隔板上沿。上隔板与下隔板间相距1-6厘米。上隔板上沿的宽度为5-10厘米。本技术具有以下有益效果1、省水，由于原料的清洗方向与水流方向相反，清 水先经过最后需清洗的原料，最后经过刚需清洗的原料，从而可有效地节省水资源。2、清洗 效果好。各槽间漂浮物相互不影响，整体为活水，重杂物与轻杂物均可通过水洗槽得到彻底 的清洗，从而确保多晶硅原料的纯净度。附图说明图1为本技术结构示意图。图中1为排水管，2为排水口，3为支架，4为上隔板，5为上隔板上沿，6为下隔板， 7为槽壁。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，并使本技术的上述目 的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合附图和实施例对本技术作进一步详细的说明。如图1所示，清洗槽为立方体结构，清洗槽下部为支架3，清洗槽上面开口、四周及 底面为槽壁7 ；清洗槽被下隔板6分离为A、B、C、D等槽间，在B槽间、C槽间的前部还设有 上隔板4，上隔板4的下部不与底面的槽壁7连接，下隔板6的下部与底面的槽壁7连接，上 隔板4与下隔板6间相距一定的距离(如1-6厘米)，在每个槽间下部设有排水口 2，排水 口 2通向排水管1。为防各相邻的槽间的水互溅，防水上隔板4的上端还设有上隔板上沿 5，上隔板上沿5为水平放置的板，宽度可设置为5-10厘米。在清洗槽A槽间的上部设有进 水口，进水口与进水管相接。作业时，将待清洗的多晶硅原料放入C槽间，关闭A、B、C各槽间的排水口，向A槽 间内通水，此时，水经A槽间的上隔板4的下部流向下隔板6，经下隔板6的上部流入B槽 间，再从B槽间的上隔板4的下部流向下隔板6，经下隔板6的上部流入C槽间，各槽间的漂 浮物相互不影响，而C槽间上部的漂浮物(轻杂物)通过上隔板4，经D槽间的排水口 2流 入排水管1。这样，原料的清洗方向与水流方向相反，清水先经过最后需清洗的原料，最后经 过刚需清洗的原料，从而可有效地节省水资源。当原料在C槽间放置5分钟左右时，取出原 料，转入B槽间，再放置5分左右，取出原料转入A槽间，在A槽间放置5分钟左右，即可，完 成清洗。当出现重杂物时，可打开各槽间的排水口 2，将重杂物导入排水管1。以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限 于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变 化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权 利要求所界定的保护范围为准。权利要求多晶硅原料水洗槽，清洗槽下部为支架，清洗槽上面开口、四周及底面为槽壁，其特征在于清洗槽被下隔板分离为若干槽间，在清洗槽的首槽间的上部设有进水口，进水口与进水管相接，在中间槽间下隔板的前部还设有上隔板，上隔板的下部不与底面的槽壁连接，下隔板的下部与底面的槽壁连接，在每个槽间下部设有排水口，排水口通向排水管。2.根据权利要求1所述的多晶硅原料水洗槽，其特征在于防水上隔板的上端还设有 上隔板上沿。3.根据权利要求1所述的多晶硅原料水洗槽，其特征在于上隔板与下隔板间相距1-6 厘米。4.根据权利要求2所述的多晶硅原料水洗槽，其特征在于上隔板上沿的宽度为5-10 厘米。专利摘要多晶硅原料水洗槽，涉及多晶硅清洗设备，清洗槽下部为支架，清洗槽上面开口、四周及底面为槽壁，其特征在于清洗槽被下隔板分离为若干槽间，下隔板的下部与底面的槽壁连接；在清洗槽的首槽间的上部设有进水口，进水口与进水管相接，在中间槽间下隔板的前部还设有上隔板，上隔板的下部不与底面的槽壁连接，在每个槽间下部设有排水口，排水口通向排水管。本技术具有以下有益效果1、省水，由于原料的清洗方向与水流方向相反，清水先经过最后需清洗的原料，最后经过刚需清洗的原料，从而可有效地节省水资源。2、清洗效果好。各槽间漂浮物相互不影响，整体为活水，重杂物与轻杂物均可通过水洗槽得到彻底的清洗，从而确保多晶硅原料的纯净度。文档编号C30B29/06GK201660715SQ201020171190公开日2010年12月1日 申请日期2010年4月27日 优先权日2010年4月27日专利技术者刘茂华, 孙嘉, 孙志刚, 霍立 申请人:安阳市凤凰光伏科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
多晶硅原料水洗槽，清洗槽下部为支架，清洗槽上面开口、四周及底面为槽壁，其特征在于：清洗槽被下隔板分离为若干槽间，在清洗槽的首槽间的上部设有进水口，进水口与进水管相接，在中间槽间下隔板的前部还设有上隔板，上隔板的下部不与底面的槽壁连接，下隔板的下部与底面的槽壁连接，在每个槽间下部设有排水口，排水口通向排水管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：霍立，孙嘉，孙志刚，刘茂华，
申请(专利权)人：安阳市凤凰光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：41