一种用于１０Ｇ激光器ＴＯ封装的新型陶瓷片制造技术

本实用新型专利技术公开一种用于１０Ｇ激光器ＴＯ封装的新型陶瓷片，用于承载主芯片并实现主芯片与管脚之间的连接，包括陶瓷本体以及设置在陶瓷本体上的金属镀层，该金属镀层具有供主芯片设置的第一镀层以及分别布设在第一镀层周边并分别供与激光器正极管脚、ＭＰＤ正极管脚和激光器负极管脚经金属导线相连的第二镀层、第三镀层和第四镀层。本实用新型专利技术减少因金属导线过长而使得激光器的高频信号衰减，进而确保高频信号能正常通过。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电子器件领域，更具体地说涉及一种用于IOG激光器TO封装的 新型陶瓷片。
技术介绍
世界通信领域发展最快的是光纤通信技术与无线通信技术，而半导体激光器是光 纤通信用的主要光源，是光电子元器件的核心器件，其中IOG半导体激光器更是超长距离、 超大容量光纤通信系统的关键器件。如图1所示，其为现有半导体激光器9的结构示意图，该半导体激光器9包括主芯 片91以及作外部封装用的管脚92和管座931，同时为了实现光功率正常输出以及对电流进 行监控，该半导体激光器9还包括MPD (即Monitoring Photodiode监控光电二极管)94，该 MPD94用于接收管座931上方分光片(图中未示出)反射回来的光而起到反馈作用，具体的， 该管座931上方还设置有陶瓷片932，该管座931为整个半导体激光器9的承载主体，该陶 瓷片932则用于放置主芯片91和MPD，该主芯片91和MPD则直接通过金属导线的方式而与 管脚92相连。但是，当上述封装结构适用于IOG半导体激光器9时，此时前述金属导线的方式会 产生较大干扰，并使得高频信号衰减，进而使得高速信号无法正常的输出。有鉴于此，本专利技术人针对现有激光器9中的上述缺陷深入研究，遂有本案产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，以解决现 有技术中的封装结构应用在IOG激光器时因高频信号衰减而使得信号无法正常输出的问 题。为了达成上述目的，本技术的解决方案是一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，用于承载主芯片并实现主芯片与管脚 之间的连接，其中，包括陶瓷本体以及设置在陶瓷本体上的金属镀层，该金属镀层具有供主 芯片设置的第一镀层以及分别布设在第一镀层周边并分别供与激光器正极管脚、MPD正极 管脚和激光器负极管脚经金属导线相连的第二镀层、第三镀层和第四镀层。进一步，该第一镀层与第四镀层之间还设置有对地匹配的薄膜电阻。进一步，该金属导线采用并排设置的两条线。进一步，该金属导线采用的为金线。进一步，该金属镀层为镀金层。进一步，该陶瓷本体采用的为氧化铝陶瓷。采用上述结构后，本技术涉及的一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片， 其由于增设有金属镀层，并且该金属镀层具有位于第一镀层周边的第二镀层、第三镀层和 第四镀层，由此从第二镀层、第三镀层和第四镀层分别到激光器正极管脚、MPD正极管脚和激光器负极管脚之间距离得到了很大程度上的缩短，从而减少因金属导线过长而使得激光 器的高频信号衰减，进而确保高频信号能正常通过。附图说明图1为现有技术中半导体激光器的结构示意图；图2为本技术涉及的一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片的立体结构 示意图；图3为图2的俯视图；图4为图2中示出的新型陶瓷片应用在半导体激光器中时的结构示意图。图中激光器100管脚2MPD正极管脚22MPD 3陶瓷本体41第一镀层421第三镀层423金属导线43半导体激光器9管脚92管座931MPD 94。具体实施方式为了进一步解释本技术的技术方案，下面通过具体实施例来对本技术进 行详细阐述。如图2至图4所示，其示出的为本技术涉及的一种用于IOG激光器TO封装的 新型陶瓷片4，其用于承载主芯片1，并且同时实现主芯片1与管脚2(具体为下述的激光器 正极管脚21)之间的连接。该新型陶瓷片4，包括陶瓷本体41以及金属镀层42，该金属镀层42设置在陶瓷本 体41上，该金属镀层42具有第一镀层421、第二镀层422、第三镀层423和第四镀层424，该 第一镀层421上设置有主芯片1，该第二镀层422、第三镀层423和第四镀层似4均布设在 第一镀层421的周边，其中，第二镀层422通过金属导线43而与激光器正极管脚21相连， 该第三镀层423上还设置有MPD3，并通过金属导线43而与MPD正极管脚22相连，从而能 便于MPD3进行监控，该第四镀层4M通过金属导线43而与激光器负极管脚23相连，优选 的，为了实现对地阻抗匹配，该第一镀层421与第四镀层似4之间还设置有薄膜电阻44，具 体该薄膜电阻44的参考阻值为30 Ω。而该金属导线43优选采用金线，该金属镀层42优 选采用镀金层，从而具有导电效果优良的功效，而该陶瓷本体41则优选为氧化铝陶瓷；同 时，为了尽量减小金属导线43长度过长所带来对高频信号衰减的影响，具体是寄生分布电主芯片1激光器正极管脚21 激光器负极管脚23 陶瓷片4 金属镀层42 第二镀层422 第四镀层似4 薄膜电阻44 主芯片91陶瓷片932感电容影响以及趋肤效应。这样，本技术由于增设有金属镀层42，并且该金属镀层42具有位于第一镀层 421周边的第二镀层422、第三镀层423和第四镀层424，由此从第二镀层422、第三镀层423 和第四镀层4M分别到激光器正极管脚21、MPD正极管脚22和激光器负极管脚23之间距 离得到了很大程度上的缩短，从而减少因金属导线43过长而使得整个激光器100的高频信 号衰减，由此能满足高频信号的传输要求。上述实施例和图式并非限定本技术的产品形态和式样，任何所属
的 普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本技术的专利范畴。权利要求1.一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，用于承载主芯片并实现主芯片与管脚之 间的连接，其特征在于，包括陶瓷本体以及设置在陶瓷本体上的金属镀层，该金属镀层具有 供主芯片设置的第一镀层以及分别布设在第一镀层周边并分别供与激光器正极管脚、MPD 正极管脚和激光器负极管脚经金属导线相连的第二镀层、第三镀层和第四镀层。2.如权利要求1所述的一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，其特征在于，该第 一镀层与第四镀层之间还设置有对地匹配的薄膜电阻。3.如权利要求1所述的一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，其特征在于，该金 属导线采用并排设置的两条线。4.如权利要求1所述的一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，其特征在于，该金 属导线采用的为金线。5.如权利要求1所述的一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，其特征在于，该金 属镀层为镀金层。6.如权利要求1所述的一种用于IOG激光器TO封装的新型陶瓷片，其特征在于，该陶 瓷本体采用的为氧化铝陶瓷。专利摘要本技术公开一种用于10G激光器TO封装的新型陶瓷片，用于承载主芯片并实现主芯片与管脚之间的连接，包括陶瓷本体以及设置在陶瓷本体上的金属镀层，该金属镀层具有供主芯片设置的第一镀层以及分别布设在第一镀层周边并分别供与激光器正极管脚、MPD正极管脚和激光器负极管脚经金属导线相连的第二镀层、第三镀层和第四镀层。本技术减少因金属导线过长而使得激光器的高频信号衰减，进而确保高频信号能正常通过。文档编号H01S5/022GK201904535SQ20102068447公开日2011年7月20日 申请日期2010年12月28日 优先权日2010年12月28日专利技术者邱名武, 饶华斌 申请人:厦门三优光机电科技开发有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于１０Ｇ激光器ＴＯ封装的新型陶瓷片，用于承载主芯片并实现主芯片与管脚之间的连接，其特征在于，包括陶瓷本体以及设置在陶瓷本体上的金属镀层，该金属镀层具有供主芯片设置的第一镀层以及分别布设在第一镀层周边并分别供与激光器正极管脚、ＭＰＤ正极管脚和激光器负极管脚经金属导线相连的第二镀层、第三镀层和第四镀层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：饶华斌，邱名武，
申请(专利权)人：厦门三优光机电科技开发有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92[中国|厦门]