公开一种磁读取头。在某些示例中，一种系统包括具有磁存储介质的数据存储部件，该磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴，其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲。该系统还包括磁读取头，该磁读取头具有第一屏蔽层、第二屏蔽层以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈，其中磁性读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场。在某些示例中，屏蔽层和读取传感器堆栈被配置成提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数。
【技术实现步骤摘要】
磁读取头
技术介绍
磁数据存储装置通常包括检测及更改磁存储介质的磁性属性以存储数据的磁记 录头。例如，记录头可以包括写入头，该写入头通过将磁存储介质的离散畴磁定向到通常两 种磁性方向之一以表示值“0”或“1”来“写入”数据。通常地，相应磁定向的畴排列在分割 磁存储介质的数据道上。记录头还可以包括通过检测从磁存储介质的相应离散畴发出的变 化磁场来“读取”数据的读取头。为了提高磁数据存储装置的存储容量，磁存储介质的相应数据道的宽度，即道间 距缩小，从而提高了磁存储介质的面密度。然而，随着道间距的缩小，对应于写入到存储数 据的每个道的数据的各个比特的磁畴之间的过渡边界处的弯曲度，即过渡弯曲增大。在某 些情况下，由于写入到数据道的比特存在过渡弯曲度，读取头进行数据重放过程的分辨率 由此降低。
技术实现思路
本公开涉及一种系统，包括包括磁存储介质的数据存储部件，该磁存储介质具有 排列在至少一条数据道上的多个磁比特畴，其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯 曲。该系统还包括包括第一屏蔽层、第二屏蔽层以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传 感器堆栈的磁读取头，其中读取头根据读取重放灵敏度函数感测多个磁比特畴的每一个的 磁场，其中至少屏蔽层和读取传感器堆栈被配置成提供与相应磁比特畴的形状基本对应的 读取器重放灵敏度函数。本公开的一个或多个实施例的细节在以下描述和附图中阐述。通过阅读以下详细 描述，这些特征和优点以及各种其它特征和优点显而易见。附图说明图1是根据本公开一个方面的包括示例性磁读取/写入头的示例性磁性硬盘驱动 器的示意图。图2A和2B是图示两条示例性数据道的部分的示意图。图3是图示具有弯曲过渡边界的示例磁数据道的微磁性模拟图。图4是图示示例性读取头的示例性读取灵敏度函数的图示。图5是图示的根据本公开一个实施例的示例性读取头的示例性读取灵敏度函数 的图示。图6是图示根据本公开一个实施例的示例性读取头的示意图。图7A-7F图示根据本公开一个实施例的可以用于制造图6的示例性读取头的示例 性技术。图8是示例性读取头的透射电子显微镜(TEM)显微图，该示例性读取头与图6所 示的应用图7A-7F所示的示例性技术的示例性读取头基本相似。图9是图示根据本公开一个实施例的另一示例性读取头的示意图。4图10A-10D图示用于制造具有曲面的示例性屏蔽层的示例性技术。图11是图示根据本公开一个实施例的另一示例性读取头的示意图。图12是示例性读取传感器的透射电子显微镜(TEM)显微图。具体实施例方式通常，本公开涉及一种用于感测例如与磁存储应用相关的磁场的系统、装置以及 方法。例如，说明了配置成提供经剪裁的读取器重放灵敏度函数的磁读取头。读取头可以 根据与读取头相关联的读取器重放灵敏度函数，检测磁存储介质发出的磁场。该读取头可 以结合到硬盘驱动器所用的一个或多个磁记录头中。然而，虽然本公开的实施例针对硬盘 驱动器中所用的读取头描述了磁场的感测，然而实施例不限于这些应用，而是替代地，还可 以结合到其它适合的应用中，例如那些需要精确检测磁场的应用。图1图示根据本公开一方面的包括示例性磁记录头112的示例性磁性硬盘驱动器 100。盘驱动器100包括基座102和示图中被部分切除的顶盖104。基座102结合顶盖104 形成盘驱动器100的壳体106。盘驱动器100还包括一个或多个磁存储部件，该磁存储部件 包括磁存储介质，图1中磁存储部件是包括磁存储介质的一个或多个可旋转的磁性数据盘 108。数据盘108附连到轴114，该轴114用于绕中心轴旋转盘108。磁记录头112与数据 盘108相邻。致动臂110承载磁记录头112以与每一数据盘108通信。磁记录头112包括可以通过生成足以磁化数据盘108的磁存储介质的离散畴的磁 场而向数据盘108写入数据的写入头(未示出)。如本文所使用的，磁介质上这些离散畴的 每一个被称为磁比特畴。数据盘108的磁存储介质分为多个同心圆数据道，其中排列有磁 比特畴。磁记录头112还包括能够检测磁存储介质的比特畴的磁场的读取头(未示出)。 例如，读取头可以包括感测比特畴磁场的读取传感器。随着读取传感器感测的磁场发生变 化，跨读取传感器施加的电流的电阻也发生变化。基于电阻的变化，读取头能够检测磁存储 介质比特畴的磁取向，这种磁取向对应于值“0”或“ 1 ”。通过这种方式，数据盘108将信息 存储为可由记录头112写入和读取的经磁取向的比特。图2A和2B是图示两条示例性数据道的部分的示意图。具体地，图2A图示数据道 200的一部分，图2B图示数据道250的一部分。数据道200和250是分割磁存储介质(例 如图1的磁数据盘108)的数据道示例。参照图2A，数据道200是分割磁数据盘的磁存储介质的多条同心圆数据道之一。 由此，数据道200的侧面202和204可以接近于或者形成分割磁存储介质的其它相似数据 道的侧面。如图所示，包括各个磁比特畴210A-210G的多个磁比特畴210排列在数据道200。 多个磁比特畴的每一个跨越数据道200的整个宽度212 (称为道间距)。此外，每个相应比特畴(210A-210G)基本上沿两种磁取向之一呈现出磁场，例如 由写入头的磁取向产生。例如，磁比特畴210C的磁取向与磁比特畴210D的磁取向基本相 反，如箭头尾部206和箭头头部208所示(例如，参照图2B的平面向内和向外)。磁比特畴210C和磁比特畴210D由边界214分隔。根据比特畴210C和210D的相 应磁取向，边界214可以视为过渡边界，就此来说，边界214表示从一种磁取向到基本相反 取向的过渡，与此相比，边界220分隔磁取向相似的磁比特畴210B和210C。相似地，边界218和216也是过渡边界，如图2A的相应磁取向指示符所示。参照图2B，数据道250是分隔数据盘的磁存储介质(例如图1的数据盘108)的 多条同心圆数据道之一。因此，数据道250的侧面252和邪4可以接近或形成分隔磁存储 介质的其它相似数据道的侧面。如图所示，包括各个磁比特畴^0A-260G的多个磁比特畴 260排列在数据道250上。多个磁比特畴的每一个跨越数据道250的整个宽度沈2。与磁比特畴210A-210G相似，道250的每个相应比特畴^0A_260G基本沿两种磁 取向之一呈现出磁场，例如由写入头磁取向产生。例如，磁比特畴^oc的磁取向与磁比特 畴^OD的磁取向基本相反，如箭头尾部256和箭头头部258所示(例如，参照图2B的平面 向内和向外)。磁比特畴^OC和磁比特畴^OD由边界264分隔。根据比特畴^OC和^OD的相 应磁取向，边界264可以视为过渡边界，就此来说，边界264表示从一种磁取向到基本相反 取向的过渡，与此相比，边界270分隔磁取向相似的磁比特畴^OB和^0C。相似地，边界 268和266也是过渡边界，如图2B的相应磁取向指示符所示。尽管图2A和2B将过渡边界214、216、218、264、266和268示为将一种磁取向的比 特畴与另一磁取向的比特畴分隔的清晰、平滑的边界线，然而应该认识到磁比特畴之间的 磁边界不是必须如此取向。例如，在某些情况下，磁比特畴可以包括多个磁粒，其中基本上 所有磁粒具有相同的磁取向。过渡边界可以根据各个微粒形成的边界形本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种系统，包括：包括磁存储介质的数据存储部件，所述磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴，其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲度；以及磁读取头，包括：第一屏蔽层；第二屏蔽层；以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈，其中磁读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场，其中至少屏蔽层和读取传感器堆栈被配置为提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高凯中，X·彭，Z·王，Y·陈，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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