The invention discloses a transient voltage suppression diode transistor and Schottky diode combination, the transient voltage suppression diode chip and Schottky diode chip bipolar lead parallel packaged in a body, to form a new diode transistor. The invention has the advantages that the space of the downstream product can be greatly saved, the repeated product production can be avoided, the filling speed is improved, the production efficiency is improved, and the production cost is lowered.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成的二极晶体管，特别涉及一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管。
技术介绍
目前，此类产品只有单一种类芯片，下游客户产品需要一个瞬变电压抑制二极管 (Transient Voltage Suppression Diode)禾口一个肖特基二极管(Schottky Rectifier Diode)来实现功能，从而占用了下游产品的大量空间，同时增加了生产成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是要提供一种将一个瞬变电压抑制二极管和一个肖 特基二极管集成为一种新的二极晶体管，提高了生产效率，且降低了生产成本。为了解决以上的技术问题，本专利技术提供了一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极 管组合的晶体管，将瞬变电压抑制二极管芯片和肖特基二极管芯片的两极引线并联后封装 于一个本体中，构成一个新的二极晶体管。本专利技术适用于轴向二极管产品。本专利技术的优越功效在于1)本专利技术能大量节省下游产品的空间；2)避免重复的产品生产，提升了装填速度，提高了生产效率，同时降低了生产成本。附图说明 图1为本专利技术的原理电路图 图2为本专利技术的封装结构图； 图3为焊接台的示意图； 图中标号说明 卜本体； 3—上引线；5—瞬变电压抑制二极管芯片； 7—上焊片；2—下引线； 4一肖特基二极管芯片 6—下焊片； 8—焊接台。具体实施例方式请参阅附图所示，对本专利技术作进一步的描述。如图1所示，本专利技术提供了一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体 管，将瞬变电压抑制二极管芯片5和肖特基二极管芯片4的两极引线并联后封装于一个本 体1中，构成一个新...
【技术保护点】
１．一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管，其特征在于：将瞬变电压抑制二极管芯片和肖特基二极管芯片的两极引线并联后封装于一个本体中，构成一个新的二极晶体管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨坤，常彩青，徐进寿，
申请(专利权)人：上海旭福电子有限公司，敦南微电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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