本发明专利技术公开一种晶片清洗方法与清洗装置。该晶片清洗方法是：首先提供一平台，用以承载并旋转一晶片，其中晶片具有一待洗表面，一喷嘴设于晶片的上方，用于喷洒一清洗液于待洗表面，然后进行一清洗步骤，旋转晶片，并且非等速移动喷嘴由待洗表面上的一第一给定点至一第二给定点，使得第一给定点曝露在清洗液的时间与第二给定点曝露在清洗液的时间相同。此外，喷嘴在靠近晶片边缘时移动较慢，靠近晶片圆心时移动较快。
Wafer cleaning method and cleaning device
The invention discloses a wafer cleaning method and a cleaning device. The wafer cleaning method is: first to provide a platform for bearing and rotating a wafer, the wafer has a surface to be cleaned, above a nozzle arranged on the chip, used for spraying a cleaning liquid on the surface to be cleaned, and then a cleaning step, rotating the wafer, and non constant movement from the nozzle to be cleaned on the surface the first point to the second point, the first point to exposure time and second in the cleaning solution to the fixed-point exposure in the cleaning solution at the same time. In addition, the nozzle moves slower near the edge of the wafer and moves faster near the center of the wafer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶片清洗方法，尤其是涉及一种能够维持晶片表面均勻度的清洗 方法。
技术介绍
半导体装置是由半导体晶片经历数个处理操作而制得。这些操作包含有诸如掺质 注入、栅极氧化物产生、层间介电层形成、金属化沉积、线路图案化、蚀刻操作、化学机械化 研磨(CMP)等等。通常在化学机械化研磨、蚀刻、或光致抗蚀剂显影之后，晶片表面会有残 留物余留，如化学液体成分或是化学聚合物，因此，为了保持晶片表面的清洁，需要适当地 对晶片施予洗净处理。通常利用液体喷洒装置，使用一冲洗液体，如特定的清洗液或是去离 子水进行冲洗处理的程序，以移除停留在晶片上的化学液体成分或是化学聚合物，并且经 由旋转将晶片表面的残留物和冲洗液体甩离晶片表面。在冲洗处理时，除了表面的残留物 会被被移除之外，晶片表面的材料层也会少量被冲洗液体去除。现有晶片清洗装置包含有一壳体内含液体喷洒设备，一液体供给系统内含多个输 送线以及设于其下侧的多个喷嘴，一驱动装置用来带动喷洒运动。然而，因为在旋转时，晶 片上离圆心不同距离的区域，其切线速度不相同，因而造成不同区域曝露在冲洗液体的时 间不同，例如，晶片边缘的切线速度较晶片圆心的切线速度大，因此在晶片边缘的冲洗液体 会较快被甩离晶片表面，而在晶片圆心的冲洗液体会停留较久。如此，则会造成在晶片不同 位置的表面的残留物和表面的材料层被冲洗液体移除的程度不一，使得晶片表面的均勻度 不佳。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供了新颖的清洗方法及清洗装置来解决上述问 题。根据本专利技术的较佳实施例，一种晶片清洗方法，首先提供一平台，用以承载并旋转 一晶片，其中晶片具有一待洗表面，一喷嘴设于晶片的上方，用于喷洒一清洗液于待洗表 面，然后进行一清洗步骤，旋转晶片，并且非等速移动喷嘴由待洗表面上的一第一给定点至 一第二给定点，使得第一给定点曝露在清洗液的时间与第二给定点曝露在清洗液的时间相 同。值得注意的是喷嘴在靠近晶片边缘时移动较慢，靠近晶片圆心时移动较快。根据本专利技术的另一较佳实施例，一种晶片清洗方法，首先提供一平台，用以承载并 旋转一晶片，其中晶片具有一待洗表面，一第一喷嘴设于晶片的上方，用于喷洒一清洗液于 该待洗表面，接着，进行一清洗步骤，旋转该晶片，并且以第一喷嘴喷洒清洗液在待洗表面 上的一第一给定点和一第二给定点，其中当该第一喷嘴由该第一给定点移至该第二给定点 时该清洗液的流速为非等流速，使得第一给定点曝露在该清洗液的时间与第二给定点曝露 在该清洗液的时间相同。值得注意的是第一喷嘴可在待洗表面往返移动，而当第一喷嘴在 靠近晶片边缘时其清洗液的流速较快，靠近晶片圆心时其清洗液的流速较慢。另外，可增加一第二喷嘴设置于第一喷嘴旁，此时第二喷嘴喷洒出的清洗液的流速可为固定或为非等流 速。根据本专利技术的另一较佳实施例，一种晶片清洗装置，包含一平台，用以承载一晶 片，晶片具有一待洗表面包含一第一给定点和一第二给定点；一第一喷嘴设于晶片的上方， 距离晶片的中心较远处，用于喷洒一清洗液于待洗表面；以及一第二喷嘴设于晶片的上方， 距离晶片的中心较近处，用于喷洒清洗液于待洗表面，其中由第一喷嘴喷洒的清洗液的流 速和由第二喷嘴喷洒的清洗液的流速相异，以使得第一给定点曝露在清洗液的时间与第二 给定点曝露在该清洗液的时间相同。为了使晶片表面的均勻度增加，本专利技术利用非等速移动喷嘴，使得喷嘴在靠近晶 片边缘移动较慢，而靠近晶片圆心移动较快，如此，可使得各点曝露在清洗液中的时间相 同。此外，本专利技术另控制由喷嘴喷出的清洗液的流速，使在不同晶片半径位置的喷嘴喷出的 清洗液的流速不同，来达成使得各点曝露在清洗液中的时间相同的目的。附图说明图1为本专利技术的第一较佳实施例的晶片清洗方法示意图；图2为本专利技术的第一较佳实施例的喷嘴的移动速率VS喷嘴位置的折线图；图3为本专利技术的第二较佳实施例的晶片清洗方法示意图；图4为本专利技术的第二较佳实施例的喷嘴的移动速度VS喷嘴位置的折线图；图5为本专利技术的第二较佳实施例的喷嘴的停留时间VS喷嘴位置的折线图；图6为本专利技术的第三较佳实施例的清洗液流速VS喷嘴位置的折线图；图7为本专利技术的第四较佳实施例的晶片清洗方法和清洗方法装置。主要元件符号说明10平台12晶片14待洗表面16、17 喷嘴18、19 清洗液20控制臂具体实施例方式图1绘示本专利技术的第一较佳实施例的晶片清洗方法。图2绘示本专利技术的第一较佳 实施例的喷嘴的移动速率VS喷嘴位置的折线图。如图1所示，首先提供一平台10用以承 载并旋转一晶片12，其中晶片12具有一待洗表面14，一喷嘴16设于晶片12的上方，用于 喷洒一清洗液18于待洗表面14，喷嘴16固定在一控制臂20上，控制臂20可用来水平移动 喷嘴16。接着进行一清洗步骤，利用平台10逆时针或顺时针以转速300 IOOOrpm，较佳 为500rpm的转速旋转晶片12，并且，利用控制臂20轴向非等速移动喷嘴16，由待洗表面14 上的一第一给定点Pl移动到一第二给定点P2，第一给定点Pl的位置较靠近晶片12边缘， 第二给定点P2的位置较靠近晶片12圆心。根据本专利技术的第一实施例，第一给定点Pl可以 为晶片12边缘，第二给定点P2可以为晶片12圆心。进行清洗时，喷嘴16由第一给定点Pl 逐渐加速移动到第二给定点P2，而清洗液18则由喷嘴16以固定流速喷出，如图2所示，垂 直座标表示喷嘴16的移动速率，水平座标表示喷嘴16相对于晶片12的位置，喷嘴16由第 一给定点Pl持续加速移动到第二给定点P2，也就是说喷嘴16路径经过晶片12的一半径，在移动过程中喷嘴16在第二给定点P2的移动速率会较喷嘴16在第一给定点Pl的移动速 率快，然后，视情况需要，喷嘴16可再由第二给定点P2非等速移动回第一给定点P1，当然， 根据不同的清洗程序，喷嘴16可以在第一给定点Pl和第二给定点P2之间非等速来回移动 数次，直至待洗表面14被洗净。于图2所绘示的移动速率为变加/变减速度运动，然而，喷 嘴16的移动速率也可以为等加/等减速度运动。除此之外，喷嘴16在轴向移动时，也可以 视需要在晶片12上任一点停留一预定时间，之后再接续移动。根据本专利技术的第一较佳实施 例，喷嘴16移动速率介于0 100mm/S之间，移动速率可视晶片转速、清洗液18的流速以 及喷嘴16位置不同而调整，喷嘴16所喷出的清洗液18流速介于1 21/min之间，较佳为 1. 51/min。再者，喷嘴16也可以选择性地来回非等速移动经过晶片12的一直径，例如，如 图1、图2所示，待洗表面14上可另外设有一第三给定点P3，其和第一给定点Pl相对，较佳 是在晶片的另一侧边缘，清洗时，喷嘴16可以由第一给定点Pl加速移动到第二给定点P2， 再减速移动到第三给定点P3。当然，喷嘴16可以在第一给定点Pl和第三给定点P3之间非 等速来回移动数次，直至待洗表面14被洗净。由于晶片圆心处和晶片边缘处的切线速度不同，因此，清洗液在晶片圆心处和晶 片边缘处停留的时间也会不同，在晶片圆心处的清洗液会比晶片边缘处的清洗液停留较 久，如此一来，会造成待洗表面的各处残留物和材料层被清洗液去除的程度不一，最后造成 待洗表面的均勻度不佳。因此，本专利技术的第一较佳实施例利用调控喷嘴的移动速度来使得 待洗表面上本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种晶片清洗方法，包含：提供一平台，用以承载并旋转一晶片，其中该晶片具有一待洗表面，一喷嘴设于该晶片的上方，用于喷洒一清洗液于该待洗表面；以及进行一清洗步骤，旋转该晶片，并且非等速移动该喷嘴由该待洗表面上的一第一给定点至一第二给定点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：简金城，吴俊元，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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