一种连续调制半导体异质结光生电压的装置，氦氖激光器、斩波器和四端样品座依次相距预定距离在同一光路上，可编程恒流电流源与四端样品座的两端并联，四端样品座的另外两端与直流数字电压表和锁相放大器并联连接，可编程恒流电流源和锁相放大器连接计算机。本发明专利技术的技术效果是：可以连续调制半导体异质结的光生电压。本发明专利技术实施简便，成本低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光生电压的装置及方法，尤其涉及一种连续调制半导体异质结光 生电压的装置及方法。
技术介绍
半导体异质结光生电压是光生伏特效应中重要体现；目前，由于能源危机，半导体 异质结光伏发电得到了广泛的研究，但是由于光生电压较低导致光电转换效率不高，应用 前景仍然有限；所以，提高半导体异质结光生电压的方法仍然在不断的研究中，其是光伏发 电领域重要的技术研究方向。目前，人们大多关注于如何利用半导体异质结材料种类变化(Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 92，PP909_913，2008)，异质结掺杂浓度的变化(J. App 1. Phys.，101， 0M504，2007)，以及异质结结构的改变(高云等，一种S i / F e S i 2 / S i组成三明治 结构的太阳能电池及其制造方法，专利技术专利申请号200910273050)，来调制异质结的禁 带宽度，以便提高异质结内建电场，提高光生电压，最终提高异质结的光电转换效率。但是 到目前为止，研究结果发现以上方法无法实现连续调制内建电场，实现光生电压的连续变 化。为此，有的小组(Appl. Phys. Lett, 87，242501，2005)通过研究外磁场连续调制磁性半 导体异质结中内建电场，实现光生电压可调谐。但是，这种方法对于非磁性半导体内建电场 的调制却存在困难。所以研究外调制手段，实现异质结内建电场的连续调制，实现半导体异 质结光生电压可连续调制是一种很好地技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了一种，可 以实现半导体异质结光生电压随外调制手段的连续变化，找到光生电压的最大值。本专利技术是这样来实现的，连续调制半导体异质结光生电压的装置，它包括氦氖激 光器、斩波器、可编程恒流电流源、直流数字电压表、锁相放大器、四端样品座和计算机，其 特征是氦氖激光器、斩波器和四端样品座依次相距预定距离在同一光路上，可编程恒流电 流源与四端样品座的两端并联，四端样品座的另外两端与直流数字电压表和锁相放大器并 联连接，可编程恒流电流源和锁相放大器连接计算机。方法为利用计算机控制可编程恒流电流源给异质结施加不同方向和大小的直流 电流，调制异质结内建电场；氦氖激光器发出的激光照射异质结后，利用斩波器和锁相放大 器结合测量不同直流电流下异质结光生电压；利用直流数字电压表测量不同直流电流下异 质结直流电压。本专利技术的技术效果是可以连续调制半导体异质结的光生电压。本专利技术实施简便， 成本低。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图2是利用该系统所测试的i^/Al203/GaAs异质结有光照和无光照射下的电流电 压图。图3是利用系统所测试的i^/Al203/GaAs异质结光生电压随直流电流变化图。在图中，1、氦氖激光器2、斩波器3、可编程恒流电流源4、直流数字电压表5、锁 相放大器6、四端样品座7、计算机。具体实施例方式如图1所示，本专利技术是这样来实现的，连续调制半导体异质结光生电压的装置，氦 氖激光器1、斩波器2和四端样品座6依次相距预定距离在同一光路上，可编程恒流电流源 3与四端样品座6的两端并联，四端样品座6的另外两端与直流数字电压表4和锁相放大器 5并联连接，可编程恒流电流源3和锁相放大器5连接计算机7。利用计算机7控制可编程恒流电流源3给四端样品座6上异质结两端，施加从负1 毫安开始，到正1毫安结束，步长为1微安的直流电流，调制异质结内建电场；氦氖激光器1 发出的激光照射四端样品座6上异质结后，利用斩波器2和锁相放大器5结合测量不同直 流电流下四端样品座6上异质结另外两端光生电压；利用直流数字电压表4测量不同直流 电流下四端样品座6上异质结另外两端直流电压。实施例我们利用该系统测量了 i^/Al203/GaAs异质结的电学性质。测试结果如图2、3。 图2是i^/Al203/GaAs异质结有光照和无光照射下的电流电压图；从图中我们可以看到，光 照下光生电压产生；在直流电压为零处，直流电流为负值。图3是利用系统所测试的Fe/ AlA/GaAs异质结光生电压随直流电流变化图；从图中我们可以看到，光生电压随直流电 流变化；特别注意到，一个很宽的峰值出现在大约-0. 00042A左右，如图中箭头所指。以上实例说明我们设计的调制半导体异质结光生电压的系统具有一非常显著的 特点，就是利用该系统，我们不仅可以同时测量半导体异质结样品的直流电流和直流电压 信号，监视光生伏特效应；且可以通过控制直流电流的大小，连续调制光生电压的大小，找到 最大光生电压。该系统将会在目前控制半导体异质结内建电场的研究当中得到一定的推广。以上所述，仅为本专利技术中的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任 何熟悉该技术的人在本专利技术所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换，都应涵盖在 本专利技术的包含范围之内。权利要求1.一种连续调制半导体异质结光生电压的装置，它包括氦氖激光器、斩波器、可编程恒 流电流源、直流数字电压表、锁相放大器、四端样品座和计算机，其特征是氦氖激光器、斩波 器和四端样品座依次相距预定距离在同一光路上，可编程恒流电流源与四端样品座的两端 并联，四端样品座的另外两端与直流数字电压表和锁相放大器并联连接，可编程恒流电流 源和锁相放大器连接计算机。2.—种权利要求1所述的连续调制半导体异质结光生电压的方法，其特征是方法为 利用计算机控制可编程恒流电流源给异质结施加不同方向和大小的直流电流，调制异质结 内建电场；氦氖激光器发出的激光照射异质结后，利用斩波器和锁相放大器结合测量不同 直流电流下异质结光生电压；利用直流数字电压表测量不同直流电流下异质结直流电压。全文摘要一种连续调制半导体异质结光生电压的装置，氦氖激光器、斩波器和四端样品座依次相距预定距离在同一光路上，可编程恒流电流源与四端样品座的两端并联，四端样品座的另外两端与直流数字电压表和锁相放大器并联连接，可编程恒流电流源和锁相放大器连接计算机。本专利技术的技术效果是可以连续调制半导体异质结的光生电压。本专利技术实施简便，成本低。文档编号H01L31/18GK102097539SQ20111002186公开日2011年6月15日 申请日期2011年1月20日 优先权日2011年1月20日专利技术者何兴道, 肖文波, 高益庆 申请人:南昌航空大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种连续调制半导体异质结光生电压的装置，它包括氦氖激光器、斩波器、可编程恒流电流源、直流数字电压表、锁相放大器、四端样品座和计算机，其特征是氦氖激光器、斩波器和四端样品座依次相距预定距离在同一光路上，可编程恒流电流源与四端样品座的两端并联，四端样品座的另外两端与直流数字电压表和锁相放大器并联连接，可编程恒流电流源和锁相放大器连接计算机。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖文波，何兴道，高益庆，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：36
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