一种LED恒流驱动集成电路封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED恒流驱动集成电路封装结构，包括封装 在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固定在所述金属框架上，其中， 在所述金属框架和所述芯片之间设有一高导银浆层。进一步设有一导电 层，所述导电层位于所述金属框架和高导银浆层之间。在所述金属框架 上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在衬底区和引脚区上，所述高导 银浆层位于所述衬底区的导电层和芯片之间，所述芯片固定在所述高导 银浆层上，所述引脚区用于接引芯片的接点。本实用新型专利技术具有体积小、 散热效果好的优点，且可在高温环境长时间工作，产品性能稳定可靠。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种集成电路封装结构，尤其是涉及一种LED恒流 驱动集成电路封装结构。
技术介绍
随着LED在传统指示、电子显示屏、交通信号、汽车照明、背光系 统和通用照明等众多领域越来越广泛的应用，LED驱动集成电路向多功 能、大功率且小型化发展。在半导体封装中，增大LED功率的同时会产 生较大的热量。传统的大功率LED驱动集成电路封装结构 一般是采用较大的封装外 型，封装结构上采用薄型塑模、环氧树脂银胶和大脚距，以提供足够大 的散热面积，从而使热量能过更快的散发出去。由于环氧树脂4艮胶本身热阻较大，其温升效应会影响其他电子元器 件的正常工作。而塑模结构的散热作用有限，产品无法在高温环境下连 续工作。显然，在LED驱动集成电路的应用向大功率、小型化的发展趋 势下，传统的封装结构已不能达到要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种体积小、散热效果好的LED恒流驱 动集成电路封装结构。为实现上述目的，本技术采用如下结构 一种LED恒流驱动集 成电路封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固 定在所述金属框架上，其中，在所述金属框架和所述芯片之间设有一高 导银浆层。进一步设有一导电层，所述导电层位于所述金属框架与所述高导银 浆层之间。3在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在衬底区和 引脚区上，所迷高导银浆层位于所述衬底区的导电层和芯片之间，所述 芯片固定在所述高导银浆层上，所述引脚区用于接引芯片的接点。所述导电层为镀银层。所述塑封体的 一侧面上设有 一标识。所述标识呈凹形。所述塑封体另 一侧面设有一顶杆孔。 该顶杆孔凹形。本技术具有体积小、散热效果好的优点；另，在所述金属框架 和所述芯片之间设一 高导银浆层，该高导银浆层可以保证芯片到衬底区 通路的导电能力和导热能力；本技术封装结构可耐受高温且可在高 温环境长时间工作，产品性能稳定可靠。附图说明图1为本技术实施例的俯视图2为本技术实施例的仰视图3为本技术实施例的主视图4为本技术实施例封装前的内部结构示意图5为本技术实施例内部结构的剖视示意图。1、塑封体，2、标识，3、顶杆孔，4、铜合金框架，5、引脚，6、衬底区，7、引脚区，8、镀银层，9、高导银浆层，10、芯片，U、金线，12、连杆，13、边筋，14、边框，15、定位孔，16、方向识别孔。具体实施方式请参考图1、图5所示，本技术公开了一种LED恒流驱动集成 电路封装结构，包括封装在塑封体l内的金属框架、芯片10，所迷芯片 10固定在所述金属框架上，其中，在所述金属框架和所述芯片14之间 设有一高导银浆层9。所示金属框架为铜合金框架4。所述塑封体1,是一种黑色的专用耐高温改性环氧树脂在模具中加 热注塑并固化成型的壳体，以保证体内的导电物与外界绝缘、不受静电 影响并对环境的污染进行防护。所述塑封体1的 一侧面设有一脚位标识2 ，该标识2呈凹圆形。所 述塑封体1另一侧面设有一顶杆孔3,该顶杆孔3呈凹圆形。如图1、 图2所示。请参考图5所示，进一步设有一导电层，所述导电层为镀银层8。 所述镀银层8位于所述铜合金框架4与所述高导银浆层9之间。请参考图3、图4所示，所述铜合金框架4，是经冲压成型的多排 式铜合金薄片，所述铜合金框架4由两部份构成 一部份是位于塑封体 1内的衬底区6和引脚区7;另一部份是位于塑封体1外的两排引脚5 及其连杆12、边筋13和边框14。所迷镀银层8设在村底区6和引脚区7上，所述高导银浆层9位于 所述衬底区6的镀银层8和芯片IO之间，所述芯片10固定在所述高导 银浆层9上，所述引脚区7通过所述金线ll接引芯片IO的接点。所述边框14上有定位孔15和方向识别孔16，所述引脚5用于与电 路板(图中未示)相接。所述连杆12、边筋13和边框14用于在塑封前 连接并固定各引脚5使其不变形，连杆12、边筋13和边框14在塑封后 被切掉。所述延伸出塑封体1外的引脚5依序排列并打弯成型，以适用于表 面贴装工艺。所述引脚5表面镀锡，并作防氧化处理，以保证具有良好 的易焊性。所述高导《艮浆层9，是一种纯银与有机溶液的混合浆料。在加热固 化过程中，高导银浆将芯片10的底面与铜合金框架4衬底区6的表面 紧密地烧结成一体，以保证芯片10到衬底区6通路的导电能力和导热 能力。本技术的焊接技术，是采用 一种先进的超声波金线球焊工艺技 术。它是在一定的温度下，对键合劈刀加压力，同时加载超声振动，将金线的一端烧成球形键合在芯片铝层焊盘上，另一端键合在引线框架 上，实现芯片内部电路与外围电路连接。本技术LED恒流驱动集成电路封装结构塑封体的厚度为1. 8mm、 长度13. Omm、宽度6. Omm，脚距为1. Omm,具有体积小、散热效果好的 优点，从而以更小的封装外型，获得更强的导电、导热能力。在产品使 用过程中，本技术封装结构可耐受高温且可在高温环境长时间的工 作，产品性能稳定可靠。权利要求1、一种LED恒流驱动集成电路封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固定在所述金属框架上，其特征在于在所述金属框架和所述芯片之间设有一高导银浆层。2、 根据权利要求1所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于进一步设有一导电层，所述导电层位于所述金属框架与所 述高导银浆层之间。3、 根据权利要求2所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在 衬底区和引脚区上，所述高导银浆层位于所述衬底区的导电层和芯片之 间，所述芯片固定在所述高导银浆层上，所述引脚区用于接引芯片的接 点。4、 根据权利要求2所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于所述导电层为镀银层。5、 根据权利要求1所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于所述塑封体的一侧面上设有一标识。6、 根据权利要求5所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于所述标识呈凹形。7、 根据权利要求1或5所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结 构，其特征在于所述塑封体另一侧面设有一顶杆孔。8、 根据权利要求7所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于该顶杆孔凹形。专利摘要本技术公开了一种LED恒流驱动集成电路封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固定在所述金属框架上，其中，在所述金属框架和所述芯片之间设有一高导银浆层。进一步设有一导电层，所述导电层位于所述金属框架和高导银浆层之间。在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在衬底区和引脚区上，所述高导银浆层位于所述衬底区的导电层和芯片之间，所述芯片固定在所述高导银浆层上，所述引脚区用于接引芯片的接点。本技术具有体积小、散热效果好的优点，且可在高温环境长时间工作，产品性能稳定可靠。文档编号H01L23/544GK201298549SQ20082023492公开日2009年8月26日 申请日期2008年12月10日 优先权日2008年12月10日专利技术者陈文剑, 陈贤明 申请人:深圳市矽格半导体科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ恒流驱动集成电路封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固定在所述金属框架上，其特征在于：在所述金属框架和所述芯片之间设有一高导银浆层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈贤明，陈文剑，
申请(专利权)人：深圳市矽格半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94