显示设备制造技术

一种没有由EL元件中退化而导致的亮度偏差的EL显示设备。该显示设备使用电路控制型像素以控制由EL元件中退化而导致的流经EL元件的电流的变化。该显示设备进一步使用能同时短路或断开三个节点的元件。使用了混合结型EL元件。反向偏压被以规则间隔施加给EL元件。显示设备抑制了由EL元件中退化而导致的亮度的偏差。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示设备，在其中发光元件被提供于每个像素中。具体而言，本 专利技术涉及一种有源矩阵型显示设备，在其中晶体管被提供给每个像素以控制从发光元件发 光。本专利技术进一步涉及使用该显示设备的电子设备。
技术介绍
已经提出一种有源矩阵型显示设备，在其中为每个像素发光元件和晶体管安排以 控制从发光元件发光。具体而言，已经注意了将薄膜晶体管(以下被称为TFT)用作晶体管 的有源矩阵型显示设备。发光元件具有第一电极和第二电极，并根据在第一电极和第二电极上流动的电流 量而改变其亮度。对于发光元件，已经注意了利用电致发光的元件(被称为EL元件)。已 经特别注意了使用EL元件(利用有机物质的EL元件亦被称为有机EL元件或OLED (有机 发光二极管)元件(OLE设备，OELD))的显示设备(以下被称为EL显示设备)。在此，EL元件代表具有阳极、阴极以及阳极和阴极之间所容纳的EL层的元件。阳 极和阴极对应于第一电极和第二电极。基于在这些电极上施加电压，电流在电极之间流动。 EL元件根据流动的电流量而发光。EL层可被构造为堆叠层结构。代表性实例可以是由Kodak Eastman Co.的Tang 等提出的堆叠层结构“空穴输送层/发光层/电子输送层”。在此，电子输送层是由显示出 比空穴迁移率高的电子迁移率(电子输送功能)的材料(以下亦被称为电子输送材料)制 成的。发光层是由具有发光特性(发光功能)的材料(以下被称为发光材料)制成的。空 穴输送层是由显示出比电子迁移率高的空穴迁移率(空穴输送功能)的材料(以下被称为 空穴输送材料)制成的。可进一步采用一种结构，在其中空穴注入层/空穴输送层/发光 层/电子输送层、或者空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层被以该 顺序堆叠在阳极上。发光层可被掺杂以荧光染色物质。在此，电子注入层是由具有从阴极 接收电子的电子注入特性(电子注入功能)的材料(以下被称为电子注入材料)制成的。 此外，空穴注入层是由具有从阳极接收空穴的空穴注入特性(空穴注入功能)的材料(以 下被称为空穴注入材料)制成的。在阴极和阳极之间形成的层通常均被称为EL层。当从 一对电极(阳极和阴极)将预定电压施加给具有以上结构的EL层时，载流子经历EL层中 的重新组合而发光。EL元件的阳极和阴极之间所容纳的层通常被描述为EL层。EL显示设备具有这样的优点如极佳的响应特征，以低电压操作和提供宽视角， 并且作为下一代平板显示器而引起注意。在有源矩阵型EL显示设备中，通过在EL元件的 阳极和阴极之间流动预定电流而控制像素中EL元件的亮度的方法被称为电流控制型。以下所述为电流控制型像素的构造。也就是说，以下所述为电流控制型像素，在其 中像素的信号线(源信号线)提供与由视频信号表示的亮度数据线性地对应的电流信号 (以下被称为信号电流)。每个像素都具有接收信号电流作为漏电流的TFT和用于保持TFT栅电压的电容器 单元。也就是说，每个像素都具有将流入信号电流转换为电压(栅电压)并维持该电压的功能，而且每个像素都具有将被存储于电容器单元的电压再次转换为电流的功能，并且即 使在信号电流不再从源信号线被输入之后，继续使所转换的电流流入EL元件。流入EL元 件的电流基于改变被输入源信号线的信号电流而改变，由此EL元件的亮度被控制以表示 灰度。 附图说明图10示出电流控制型的常规像素及其驱动方法(例如，见专利文献1)。在图10 中，像素由EL元件709、选择TFT704 JgaTFT 707、电流TFT 706、电容器元件(保持电容 器)708、保持TFT 705、源信号线S、第一栅信号线G、第二栅信号线GH和电源线W构成(专 利文献 1 JP-A-2001-147659)。TFT的源端子或漏端子被称为第一端子，而另一个被称为第二端子。选择TFT 704的栅电极被连接于第一栅信号线G。选择TFT 704的第一端子被连接 于源信号线S，而第二端子被连接于电流TFT 706的第一端子和保持TFT 705的第一端子。 电流TFT 706的第二端子被连接于电源线W。保持TFT 705的第二端子被连接于保持电容 器708的一个电极和驱动TFT 707的栅电极。保持电容器708在不连接于保持TFT 705的 一侧被连接于电源线W。保持TFT 705的栅电极被连接于第二栅信号线GH。驱动TFT 707 的第一端子被连接于EL元件709的一个电极709a，而其第二端子被连接于电源线W。EL元 件709的另一个电极709b被维持在预定电势。被输入源信号线S的信号电流的值由视频 信号输入电流源777控制。EL元件709的电极709a被称为像素电极而另一个电极709b被 称为相反电极。在此，驱动TFT 707和电流TFT 706具有相同的极性，并且认为驱动TFT 707的 Id-Vgs特征等效于电流TFT 706的Id-Vgs特征。进一步示出了一个构造的像素，在其中选 择TFT 704和保持TFT 705为N沟道TFT，驱动TFT 707和电流TFT 706为P沟道TFT，并 且像素电极709a为阳极。现在将参照图IlA-C和12描述如何驱动图10构造的像素。在图IlA-C中，选择 TFT 704和保持TFT 705被表示为开关以使其开/关状态可容易理解。像素状态(TAl)到 (TA3)对应于图12的时序图中的周期TAl到TA3的状态。在图12中，G-I和G-2表示第一栅信号线G和第二栅信号线GH的电势。此外， IVgS为驱动TFT 707的栅电压(栅-源电压)的绝对值。1%表示流经EL元件709的电 流，而Ividra表示由视频信号输入电流源777确定的电流。在周期TAl中，选择TFT 704和保持TFT 705由于第一栅信号线G和第二栅信号 线GH的信号而被开启。这样，电源线W通过电流TFT706、保持TFT 705和选择TFT 704被 连接于源信号线S。由视频信号输入电流源777确定的电流Ividra流入源信号线S。因此， 当假定在经过足够的时间周期之后为稳态时，电流TFT 706的漏电流变为Ivide。。这样，对应 于电流TFT 706的漏电流Ivide。的栅电压由保持电容器保持。然后，在周期TA2中，第二栅 信号线GH上的信号改变，且保持TFT 705被关闭。漏电流Ivide。流入驱动TFT 707。这样， 信号电流Ivide。通过驱动TFT 707的源和漏从电源线W流入EL元件709。EL元件709发射 维持对应于信号电流Ividra的亮度的光。在图10中所示的构造中，由于以上方法，电流从EL元件709的阳极709a流到阴 极709b。当EL元件709发光时，电流TFT 706的第二端子对应于源端子，而第一端子对应 于漏端子。此外，驱动TFT 707的第二端子对应于源端子，而第一端子对应于漏端子。在接下来的周期TA 3中，第一栅信号线G上的信号改变，且选择TFT 704被关闭。 即使在选择TFT 704被关闭之后，信号电流Ivide。也继续通过驱动TFT 707的源和漏从电源 线W流入EL元件709。EL元件709继续发光。周期TAl到TA3的 一系列操作被称为信号电流Ivide。写操作。在此情况下，信号电 流Ivi-以模拟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示设备，包括：多个像素；多个像素的每个都包括：ＥＬ元件，具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间所容纳的ＥＬ层；以及用于将在ＥＬ元件的第一电极和第二电极之间流动的电流设为恒定的装置；ＥＬ层具有混合区，第一功能材料和具有与第一功能材料不同功能的第二功能材料均被添加于其中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：犬饲和隆，濑尾哲史，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP