硅化合物膜的干式刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其通过使用了至少含有COF2的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
例如，以往的薄膜晶体管中具有反向交错型。在该薄膜晶体管中，在基板的上表 面设置栅电极(gate electrode) 0在包括栅电极的基板的上表面设置栅绝缘膜(gate insulating film)。在栅电极上的栅绝缘膜的上表面设置由本征非晶硅构成的半导体薄 膜。在半导体薄膜的上表面两侧设置由η型非晶硅构成的欧姆接触层。在各欧姆接触层的 上表面设置源电极和漏电极。然而，在上述以往的薄膜晶体管的欧姆接触层和半导体薄膜的形成方法中，将成 膜于栅绝缘膜上表面的本征非晶硅膜(半导体薄膜形成用膜)和η型非晶硅膜(欧姆接触 层形成用膜)连续地干式刻蚀。该情况下，使用SF6(六氟化硫)气体作为刻蚀气体。但是，作为在上述以往的干式刻蚀方法中使用的刻蚀气体的SF6的变暖系数 (warming potential)为数千 数万，非常大，因此近年来其作为地球变暖的原因之一而被 视为问题。因而，选择代替它的替代气体成为重要的课题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种在不使用SF6等成为地球变暖原因之一的气体 的情况下，能够良好地对非晶硅膜和氮化硅膜等构成薄膜晶体管的材料进行干式刻蚀的硅 化合物膜的干式刻蚀方法。本专利技术的的实施方式之一为通过使用了至少含有 COF2的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀。根据本专利技术，通过利用使用了至少含有COF2的气体的平行平板型的干式刻蚀来对 非晶硅膜等硅化合物膜进行干式刻蚀，能够在不使用SF6等成为地球变暖原因之一的气体 的情况下，良好地将非晶硅膜等硅化合物膜进行干式刻蚀。本专利技术的其他目的和优点将在后文叙述，其中部分根据说明书是显而易见的，或 者可能需要通过实施本专利技术才能获知。本专利技术的目的和优点可以通过特别是后文的实施方 式和组合来实现和获得。附图说明所附的附图被引入并组成本专利技术的一部分，其示例了本专利技术的实施方式，并与上文的一般描述以及下文对具体实施方式的详细描述一起用于解释本专利技术的原理。图1为利用包含本专利技术的干式刻蚀方法的制造方法而制造的薄膜晶体管面板的 一个例子的截面图。图2为图1所示的薄膜晶体管面板的制造方法的一个例子的起始工序的截面图。图3为接着图2的工序的截面图。图4为接着图3的工序的截面图。图5为接着图4的工序的截面图。图6为接着图5的工序的截面图。图7为接着图6的工序的截面图。图8为接着图7的工序的截面图。图9为接着图8的工序的截面图。图10为第1干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。图11为第2干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。图12为第3干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。图13为第4干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。图14为利用包含本专利技术的干式刻蚀方法的制造方法而制造的薄膜晶体管面板的 另一例子的截面图。图15为图14所示的薄膜晶体管面板的制造方法的一个例子的起始工序的截面 图。图16为接着图15的工序的截面图。图17为接着图16的工序的截面图。图18为接着图17的工序的截面图。图19为接着图18的工序的截面图。图20为接着图19的工序的截面图。图21为表示液晶显示装置的一个例子的图。图22为表示手机的一个例子的图。具体实施例方式以下参照附图详细地说明本专利技术的实施方式。图1为利用包含本专利技术的干式刻蚀方法的制造方法而制造的薄膜晶体管面板的 一个例子的截面图。该薄膜晶体管面板具备玻璃基板1。在玻璃基板1上表面的规定位置 上设置由铬等金属构成的栅电极2。在包含栅电极2的玻璃基板1的上表面设置由氮化硅 构成的栅绝缘膜3。在栅电极2上的栅绝缘膜3上表面的规定位置上设置由本征非晶硅构成的半导体 薄膜4。在半导体薄膜4上表面的规定位置上设置由氮化硅构成的沟道保护膜5。在沟道 保护膜5的上表面两侧及其两侧的半导体薄膜4的上表面设置由η型非晶硅构成的欧姆接 触层6、7。在欧姆接触层6、7各自的上表面设置由铬等金属构成的源电极8和漏电极9。这里，利用栅电极2、栅绝缘膜3、半导体薄膜4、沟道保护膜5、欧姆接触层6、7、源 电极8和漏电极9，构成反向交错型沟道保护膜型的薄膜晶体管10。在栅绝缘膜3上表面的规定位置和源电极8上表面的一部分上设置由ITO构成的 像素电极11。在包括薄膜晶体管10和像素电极11的栅绝缘膜3的上表面设置由氮化硅构 成的外敷膜12。此时，在对应于除像素电极11的周边部以外的区域的部分中的外敷膜12 上设置开口部13。接着，对该薄膜晶体管面板的制造方法的一个例子进行说明。首先，如图2所示， 在玻璃基板1上表面的规定位置上利用光刻法对利用溅射法成膜的铬等构成的金属膜进 行布图，从而形成栅电极2。接着，在包括栅电极2的玻璃基板1的上表面利用等离子体CVD法连续地形成氮 化硅膜(栅绝缘膜幻3、本征非晶硅膜(半导体薄膜4形成用膜)21和氮化硅膜(沟道保护 膜5形成用膜)22。接着，在氮化硅膜22上表面的沟道保护膜5形成区域上利用光刻法对 通过网板印刷法或旋涂法等涂布形成的抗蚀膜进行布图，从而形成抗蚀膜23。接着，以抗蚀膜23为掩模，干式刻蚀氮化硅膜22，将除抗蚀膜23下以外的区域中 的氮化硅膜22除去，如图3所示，在抗蚀膜23下形成沟道保护膜5。接着，剥离抗蚀膜23。接着，如图4所示，在包括沟道保护膜5的本征非晶硅膜21的上表面利用等离子 体CVD法形成η型非晶硅膜(欧姆接触层6、7形成用膜)24。接着，在η型非晶硅膜M的 上表面利用溅射法形成由铬等金属构成的源、漏电极形成用膜25。接着，在源、漏电极形成用膜25上表面的源电极8形成区域和漏电极9形成区域 上利用光刻法对通过网板印刷法、旋涂法等涂布形成的抗蚀膜进行布图，形成抗蚀膜26、 27。接着，以抗蚀膜沈、27为掩模，湿式刻蚀源、漏电极形成用膜25，将除抗蚀膜沈、27 下以外的区域中的源、漏电极形成用膜25除去，如图5所示，在抗蚀膜沈、27下形成源电极 8和漏电极9。接着，以抗蚀膜沈、27和沟道保护膜5为掩模，连续地干式刻蚀η型非晶硅膜24 和本征非晶硅膜21，将除抗蚀膜沈、27下以外的区域中的η型非晶硅膜M除去、且将除抗 蚀膜沈、27和沟道保护膜5下以外的区域中的本征非晶硅膜21除去，如图6所示，在源电 极8和漏电极9下形成欧姆接触层6、7，且在欧姆接触层6、7和沟道保护膜5下形成半导体薄膜4。在此状态下，利用栅电极2、栅绝缘膜3、半导体薄膜4、沟道保护膜5、欧姆接触层 6、7、源电极8和漏电极9，形成反向交错型沟道保护膜型的薄膜晶体管10。接着，剥离抗蚀 膜 26,270接着，如图7所示，在栅绝缘膜3上表面的规定位置和源电极8上表面的一部分上 利用光刻法对通过溅射法成膜的ITO膜进行布图，从而形成像素电极11。接着，如图8所示，在包括薄膜晶体管10和像素电极11的栅绝缘膜3的上表面利 用等离子体CVD法形成由氮化硅构成的外敷膜12。接着，通过在外敷膜12的上表面利用光 刻法对通过网板印刷法、旋涂法等涂布形成的抗蚀膜进行布图，从而形成抗蚀膜观。此时， 在对应于除像素电极11的周边部以外的区域的部分中的抗蚀膜观上形成开口部四。接着，以抗蚀膜观为掩模，干式刻蚀外敷膜12，如图9所示，在抗蚀膜观的开口 部四即对应于除像素电极11的周边部以外的区域的部分中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，通过使用了至少含有ＣＯＦ２的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀，所述硅化合物膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜形成于非晶硅膜上，在制造反向交错型沟道保护膜型的薄膜晶体管时，所述非晶硅为本征非晶硅膜，在该本征非晶硅膜上对所述氮化硅膜进行干式刻蚀，形成沟道保护膜图案，所述刻蚀气体为含有ＣＯＦ２气体和氧气的混合气体，且氧气相对于ＣＯＦ２气体的流量比为０．５～４。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：登坂久雄，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP