电感元件的制造方法技术

一种电感元件的制造方法，利用一模具来制造出电感元件，模具包括下模仁及上模仁，并使下模仁及上模仁延一轴向相对移动至填料位置及挤压位置，当下模仁位于填料位置时可将铁硅合金材料填充至下模仁所形成的第一空间中，再置放线圈于第一空间的铁硅合金材料内，使线圈的延伸部露出铁硅合金材料外，再将上模仁位于填料位置，填充铁硅合金材料至上模仁所形成的第二空间中，覆盖线圈本体，之后移动上模仁及下模仁于挤压位置，令铁硅合金材料与线圈相互结合，并固化铁硅合金材料，使线圈本体被固定于铁硅合金材料中，且铁硅合金材料配合一体成型的结构产生高导磁性，减少线圈圈数，低线圈金属材料成本，可一体成型具有低成本低损耗高导磁率的电感元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种，尤指利用下模仁及上模仁相对移动于填料 位置及挤压位置，使其制造出一体成型、成本低廉且具有低损耗高导磁率的电感元件。
技术介绍
电感元件一般属于辅助性质，其主要作用在于阻碍电流的变化，用以维持电子产 品的稳定性。其结构的形式可依应用线路搭配的不同，而设计出不同构造。目前电感器的 应用线路主要分为两大类，一为信号用途，例如能量储存及抑制瞬间电流等的应用 ’另一类 则为噪声抑制用途，如电磁干扰(ElectromagneticDisturbance，EMI)抑制及噪声滤波等。电感元件的产品特性主要受到铁芯材料所影响。铁芯位于线圈中心位置，分为陶 瓷及铁氧体材料两种。陶瓷铁芯为信号用途，如陶瓷绕线电感及积层陶瓷电感；铁氧体铁 芯则用于抑制电磁干扰，如扼流器(Power Choke)、陶铁磁珠(Ferrite Bead, FB)及磁铁心 (Ferrite Core)。而电感元件依构造亦可分为绕线型及积层型两种，其中绕线型为普遍使用的技 术，其具有损耗小、容许电流大、简单、成本低等优点，但其结构却受到小型化的限制。根据 电磁理论，以线圈卷绕铁芯即为电感组件，过去传统的电感元件多以绕线形式来生产。绕线 型电感元件一方面可利用线圈粗细来控制耐电流，另一方面亦可控制绕圈圈数来调整电感 值，产品设计较具弹性，然而体积较大为其缺点。现有利用铁硅合金制造为利用片状式或块状式的铁硅合金 材料利用组装的方式形成电感元件，请参考图10，是现有电感元件的侧视剖面图，可由图中 清楚看出，此电感元件A包括有线圈Al，并于线圈Al外部组设有片状式或块状式的铁硅合 金材料A2，且铁硅合金材料A2的内外表面皆形成有绝缘层A3，而组设方式必须通过点胶 黏合加工，便会造成繁杂作业及增加成本，另一方面，通过组装的方式使线圈Al通过通孔 Al 1套合于铁硅合金材料A2内，难免会存在空隙A4，如此线圈Al外围便产生较大的磁路径 (Le)，且线圈Al的通孔All内圆周受到空隙A 4的影响而产生较小的截面积，便使得线圈 Al造成较大的电磁率损耗，且亦无法有效降低线圈的粗细与圈数，使金属材料日渐稀少下， 企业所需负担的材料成本越趋昂贵。所以，根据上述诸点缺失的考虑，专利技术人乃针对电感元件的特性上作一深入分析 与探讨，并经由多方评估及考虑，且通过苦心钻研与研发，始设计出此种电感元件的制造方 法的专利技术专利。
技术实现思路
专利技术人有鉴于现有技术的缺失，乃依其从事电感元件的制造经验和技术累积，针 对上述缺失悉心研究各种解决的方法，在经过不断的研究与改良后，终于开发设计出一种 全新的的专利技术诞生。本专利技术的主要目的为一体成型出电感元件，其方法在于利用一模具，其包括有下模仁及上模仁，可延一轴向相对移动至填料位置及挤压位置，便可使铁硅合金材料填充至下模仁位于填料位置所形成的第一空间中，再置放线圈于第一空间的铁硅合金材料内，并将线圈的延伸部置于铁硅合金材料外，再次填充铁硅合金材料于上模仁移动至填料位置所形成的第二空间中，使线圈本体由铁硅合金材料所覆盖，之后移动上模仁及下模仁于挤压位置，令铁硅合金材料受到挤压进而与线圈结合，再进行铁硅合金材料的固化步骤，使线圈本体被固定于铁硅合金材料中，如此，一体成型的电感元件内不具有空隙，使线圈孔洞周围的本体为形成有较大的截面积，且孔洞周围本体分别形成有较短的磁路径，便可产生低损耗高导磁率的电感元件，使铁硅合金材料配合一体成型的结构为具有高导磁率的功效，便可使线圈本体的线圈数量不需缠绕过多，亦可达到相同或更好的导磁效果，进而减少材料成本。 本专利技术的次要目的在于将铁硅合金材料覆盖线圈本体后，利用上模仁及下模仁挤压铁硅合金材料，当铁硅合金材料受到挤压后便会与线圈进行结合，之后，再进行加热的固化步骤便可使线圈稳固地与铁硅合金材料相互紧合。附图说明 图l为本专利技术电感元件的制造流程图。 图2为本专利技术下模仁及上模仁开合的侧视图。 图3为本专利技术填充铁硅合金材料的侧视图。 图4为本专利技术置放线圈于下模仁上的侧视图。 图5为本专利技术上模仁位于填充位置的侧视图。 图6为本专利技术再次填充铁硅合金材料的侧视图。 图7为本专利技术下模仁及上模仁冲挤铁硅合金材料的侧视。 图8为本专利技术电感元件成型的立体外观图。 图9为本专利技术电感元件成型的侧视剖面图。 图lo为现有电感元件的侧视剖面图。 l1下模仁 lol1第一空间1121凹槽 111基座121下冲 11l1通孔 21上模仁 2l1中模221上冲 2111通孔20l1第二空间 31电感元件 3l1铁硅合金材料3221延伸部 321线圈32lo1孔洞 32l1本体 41送料装置 A1电感元件Al、线圈 A3、绝缘层All、通孔 A4、空隙A2、铁硅合金材料具体实施例方式为达成上述目的及功效，本专利技术所采用的技术手段及其构造，兹绘图就本专利技术的 较佳实施例详加说明其特征与功能如下，俾利完全了解。请同时参考图1 图7，为本专利技术电感元件的制造流程图、下模仁及上模仁开合 的侧视图、填充铁硅合金材料的侧视图、置放线圈于下模仁上的侧视图、上模仁位于填充位 置的侧视图、再次填充铁硅合金材料的侧视图及下模仁及上模仁冲挤铁硅合金材料的侧视 图，可由图中清楚看出，本专利技术为利用一模具来制造出一体成型的电感元件，其模具为包括 有下模仁1及上模仁2，并可使下模仁1及上模仁2为可延一轴向相对移动至填料位置及挤 压位置，其制造流程包括有(100)填充材料，使下模仁1位于填料位置，将铁硅合金材料31填充至下模仁1所 形成的第一空间101中。(101)置放线圈，置放线圈32于第一空间101的铁硅合金材料31中，并使线圈32 的延伸部322露出铁硅合金材料31外。(102)填充材料，使上模仁2位于填料位置，上模仁2与线圈32本体321形成第二 空间201，将铁硅合金材料31填充至第二空间201中，覆盖线圈32本体321。(103)模具冲挤，将上模仁2及下模仁1位于挤压位置，令铁硅合金材料31与线圈 32相互结合。(104)固化成型，固化铁硅合金材料31，并固设线圈32本体321于铁硅合金材料 31内。(105)成型电感元件3。本专利技术一体成型为先开合下模仁1及上模仁2，并移动下模 仁1至填料位置，进行第一次充填材料步骤(1st Fill With Material)，详而言之，下模仁 1为包括有基座11，且基座11为具有通孔111，使下冲12可活动位移于通孔111内，而基座 11与下冲12于填料位置时为具有落差，意即，下冲12位于远离上模仁2，而基座11较近于 上模仁2的方式设置，且下冲12及基座11因落差而围合有第一空间101，如此，便可使下模 仁1开合于填料位置时，送料装置4为可将铁硅合金材料31填充至第一空间101内。再者，于铁硅合金材料31填入第一空间101后，进行置放线圈步骤(Position Coil)，意即进一步将线圈32置放于下模仁1与上模仁2间，使线圈32的部分本体321能 置放于第一空间101内的铁硅合金材料31中，且基座11邻近于上模仁2的表面为具有L 型态的凹槽112，便可使线圈32的延伸部322置放其中，使线圈32的延伸部322露出铁硅 合金材料31外，避免线圈32的延伸部32本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电感元件的制造方法，尤指针对表面粘着型态的电感元件的一体成型方法，此电感元件为包括有线圈及铁硅合金材料，其特征在于步骤包括有：（Ａ）使下模仁位于填料位置，将铁硅合金材料填充至下模仁所形成的第一空间中；（Ｂ）置放线圈于第一空间的铁硅合金材料中，并使线圈的延伸部露出铁硅合金材料外；（Ｃ）使上模仁位于填料位置，上模仁与线圈本体形成第二空间，将铁硅合金材料填充至第二空间中，覆盖线圈本体；（Ｄ）模具冲挤，将上模仁及下模仁位于挤压位置，令铁硅合金材料与线圈相互结合；（Ｅ）固化成型，固化铁硅合金材料，并固设线圈本体于铁硅合金材料内；（Ｆ）成型电感元件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明琦，
申请(专利权)人：台北沛波电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]