侧面发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种侧面发光二极管，其具有腔室，于所述腔室的底部设置有芯片，所述腔室的内壁从底部往顶部延伸，形成可将所述芯片发射的光线反射至所述腔室外的凹形曲面。腔室内的芯片射出的光线，从凹形曲面反射至腔室外，与现有技术中侧壁为直倾斜面相比，该凹形曲面可以使光线的反射角度增大，从而使芯片的侧面光的出光更多，提高了出光的亮度；同时，反射角度增大还使该侧面发光二极管腔室的出光位置更邻近角落，提高了出光的均匀性。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于发光二极管，尤其涉及一种侧面发光二极管。
技术介绍
如图1所示，目前市场常见的侧面发光二极管，其腔室11具有倾斜的侧壁12,于腔室11的底部设置有芯片13,芯片13射出的光线可从侧壁12反射至 腔室11外。其中，腔室11的深度大于芯片13的安装高度，且不超过该安装高 度的六倍，可以为0.2mm 0.48mm。近年来，由于侧面发光二极管逐渐向薄型的产品进化，腔室U底部短边尺 寸进一步受限、较窄，导致芯片13的侧面射出的光能量损失较大，亮度受到限 制；同时,因为腔室11长边直斜面之影响，侧面发光二极管角落处的光线较小， 亮度较低，所以发光表面的均匀性较差。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种侧面发光二极管，能够提高 出光亮度，并且使出光更加均匀。为了解决上述技术问题，本技术提供一种侧面发光二极管，其具有腔 室，于所述腔室的底部设置有芯片，所述腔室的内壁,人底部往顶部延伸，形成 可将所述芯片发射的光线反射至所述腔室外的凹形曲面。腔室内的芯片射出的光线，从凹形曲面反射至腔室外，与现有技术中侧壁 为直倾斜面相比，该凹形曲面可以使光线的反射角度增大，从而使芯片的侧面 光的出光更多，提高了出光的亮度；同时，反射角度增大还使该侧面发光二极 管腔室的出光位置更邻近角落，提高了出光的均匀性。附图说明图1是现有技术提供的一种侧面发光二极管的剖视示意图2是本技术实施例提供的一种侧面发光二极管的长边剖视示意图3是图2所述侧面发光二极管的短边剖视示意图。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明 白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解， 此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图2,本技术实施例提供一种侧面发光二极管，包括封装件本 体10，本体10具有腔室4，该腔室4的底部设置有引线框架2，引线框架2的 一部份延伸到该封装件本体10外面形成导电电极。于腔室4内安装有LED芯 片3,其通过电连接到引线框架2上。腔室4中填充有密封剂6，密封剂6可以 是透明胶，也可以是由透明胶水与多种荧光粉的混合体。上述腔室4的侧壁/人底部往顶部延伸形成凹形曲面5,利用该凹形曲面5， 可将芯片3发射的光线反射至腔室4外。该凹形曲面5可以由数个斜面组合而 成，各斜面之间的夹角大于90度。这样，夹角大于90度的倾斜面之间逐一连 接，形成的凹形曲面5，可将芯片3发出的光线反射于腔室4外，相比现有技 术中的直倾斜面的反射角，其反射角增大。请一同参阅图2和图3，本实施例中，凹形曲面5包括垂直面51和与垂直 面51连接的倾斜面52,倾斜面52设置于底部，与腔室4底部连接。由于增加 了垂直面51，使倾斜面52的终点可以更低，而起点位置不变，因此直倾斜面 52与腔室4底部之间的夹角增大，从而增大了光线的反射角。其中，腔室4的深度可以设置为0.20mm 0.35mm，而垂直面51的高度为 0.02 0.15mm，使腔室4的体积加大。垂直面51与倾斜面52之间具有弧形过4渡面53,过渡面53的半径为垂直面51高度的0.1 0.3倍，使垂直面51往倾斜 面52过渡平緩，保证出光的均匀性。此外，上述凹形曲面5还可以为弧度小于90度的圆弧，或其他形状的凹形 曲面，只要能够将光线反射至腔室4外，且增大反射角均在本技术的保护 范围之内。因此，腔室4内的芯片3射出的光线，从凹形曲面5反射至腔室4外，与 现有技术中侧壁为直倾斜面相比，该凹形曲面5可以使光线的反射角度增大， 从而使芯片3的侧面光的出光更多，提高了出光的亮度；同时，反射角度增大 还使该侧面发光二级极管腔室的出光位置更邻近角落，提高了出光的均匀性， 使得背光源的均匀性更好。此外，采用凹形曲面5后，还使腔室4的空间增大， 更容易放置芯片3，及填充密封剂更易于精确控制。本技术实施例提供的侧面发光二极管主要应用于移动通讯终端机、可 视电话、MP3、 MP4、车载DVD、 NB等产品之薄型全彩背光屏。在背光领域， 与传统CCFL光源相比，LED拥有固态、环保、节能功耗低、安全、轻薄、色 彩表现更好、LED的色域更广，色饱和度可以做到105%以上，而相反CCFL 是比较窄的，大部分只能做到70 %左右。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术， 凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应 包含在本实甩新型的保护范围之内。权利要求1、一种侧面发光二极管，具有腔室，于所述腔室的底部设置有芯片，其特征在于所述腔室的侧壁从底部往顶部延伸，形成可将所述芯片发射的光线反射至所述腔室外的凹形曲面。2、 如权利要求1所述的侧面发光二极管，其特征在于所述凹形曲面由数 个斜面组合而成，各所述斜面之间的夹角大于卯度。3、 如权利要求2所述的侧面发光二极管，其特征在于所述凹形曲面包括 垂直面和与所述垂直面连接的倾斜面，所述倾斜面设置于底部。4、 如权利要求3所述的侧面发光二极管，其特征在于所述垂直面的高度 为0.02mm 0.15mm。5、 如权利要求3所述的侧面发光二极管，其特征在于所述垂直面与倾斜 面之间具有弧形过渡面，所述过渡面的半径为垂直面高度的0.1-0.3倍。6、 如权利要求1所述的侧面发光二极管，其特征在于所述凹形曲面为弧 度小于90度的圆弧。7、 如权利要求l-6任一项所述的侧面发光二极管，其特征在于所述腔室 的深度为0.2mm 0.35mm。专利摘要本技术提供一种侧面发光二极管，其具有腔室，于所述腔室的底部设置有芯片，所述腔室的内壁从底部往顶部延伸，形成可将所述芯片发射的光线反射至所述腔室外的凹形曲面。腔室内的芯片射出的光线，从凹形曲面反射至腔室外，与现有技术中侧壁为直倾斜面相比，该凹形曲面可以使光线的反射角度增大，从而使芯片的侧面光的出光更多，提高了出光的亮度；同时，反射角度增大还使该侧面发光二极管腔室的出光位置更邻近角落，提高了出光的均匀性。文档编号H01L33/00GK201289864SQ200820213658公开日2009年8月12日 申请日期2008年11月19日 优先权日2008年11月19日专利技术者孙平如 申请人:深圳市聚飞光电有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧面发光二极管，具有腔室，于所述腔室的底部设置有芯片，其特征在于：所述腔室的侧壁从底部往顶部延伸，形成可将所述芯片发射的光线反射至所述腔室外的凹形曲面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙平如，
申请(专利权)人：深圳市聚飞光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]