二合一变压器的改良结构制造技术

本实用新型专利技术涉及变压器技术领域，特指一种二合一变压器的改良结构，包括一绕线架，绕线架设置有一中空部；一磁芯组，由两磁芯组成，两磁芯从绕线架的两侧插入；绕线架上设有两个一次侧绕区和两个二次侧绕区，一次侧绕区上绕设有一次线圈，二次侧绕区上绕设有二次线圈；本实用新型专利技术的两个磁芯共用一导磁板，使得每个磁芯和导磁板形成独立的磁通回路，磁芯的中间的脚柱只承受一条磁通回路，这样，可以减小脚柱的截面积，与脚柱配合的绕线架中空部的截面积也随之减小，中空部的截面积减小，也使得变压器的整体高度降低，所以，本实用新型专利技术可以应用在更薄型的电器产品中。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及变压器
，特指一种二合一变压器的改良 结构。技术背景冷阴极荧光灯管(CCFLs)因为重量轻、发热量小且高电光 (electricity to light)转换效率等优点，因此广泛地被应用于 LCD的背光灯源。点亮灯管需要较高的启动电压，而冷阴极荧光灯管 外部供应电源以交流电力为主，其电压及电流皆无法驱动冷阴极荧光 灯管运作，因此必须利用换流器进行转换，以将电压提升至可供冷阴 极荧光灯管运作的电压。在他激式驱动电路中，是利用一个外部IC 控制电压，在启动时提供一个启动电压点亮灯管，再将电压下降至正 常工作电压。此外，驱动多根灯管的场合下，由于灯管本身特性的差异，造成 不同的灯管之间的灯管电流及辉度不同，为了解决此问题，人们专利技术 了二合一变压器，即一个变压器可以同时提供两个输出，目前，二合 一变压器的结构主要包括绕线架和磁芯组，绕线架上设有两个一次侧 绕区和两个二次侧绕区， 一次侧绕区上绕设有一次线圈，二次侧绕区 上绕设有二次线圈，绕线架设置有一中空部；磁芯组由两个E型磁芯构成，两个E型磁芯从绕线架的两侧插入，其中，E型磁芯的中柱插入绕线架的中空部，E型磁芯的两侧柱位于绕线架的两侧，两E型磁芯的侧柱和中柱对应接触，组成两条闭合磁路。其中，两条闭合磁路都经过E型磁芯的中柱，磁通回路如图10所示，中柱需要承受较大 的压力，所以，需要将E型磁芯的中柱加大，中柱的截面积大，相应 地，绕线架的中空部也大，那么，变压器的整体高度也会随着增大。 目前，电器产品都进入了小型化、薄型化时代，传统的二合一变压器 因其自身的原因，使用受到了限制。
技术实现思路
本技术提供一种二合一变压器的改良结构，其主要目的是减 小变压器的整体高度，使变压器变得更薄。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是二合一变压 器的改良结构，包括一绕线架，绕线架设置有一中空部；一磁芯组，由两磁芯组成，两磁芯从绕线架的两侧插入； 绕线架上设有两个一次侧绕区和两个二次侧绕区， 一次侧绕区上 绕设有一次线圈，二次侧绕区上绕设有二次线圈；绕线架在相邻的两 个一次侧绕区之间设置有一镂空部，镂空部放置有一导磁板。 所述绕线架上的镂空部与绕线架的中空部相通。 所述的镂空部与相邻的一次侧绕区之间设置有隔离墙。 所述的导磁板的两端伸出隔离墙之外。 所述的磁芯的脚柱与导磁板接触。所述的磁芯为E型磁芯，E型磁芯两侧的脚柱位于绕线架的两侧 面，位于E型磁芯中间的脚柱插入绕线架的中空部内。所述的磁芯为EFD型磁芯，EFD型磁芯两侧的脚柱位于绕线架 的两侧面，位于EFD型磁芯中间的脚柱插入绕线架的中空部内。所述的磁芯为U型磁芯，U型磁芯的其中一脚柱位于绕线架的 侧面，另一脚柱插入绕线架的中空部内。本技术的有益效果是绕线架在相邻的两个一次侧绕区之间 设置有一镂空部，镂空部放置有一导磁板，两个磁芯共用一导磁板， 使得每个磁芯和导磁板形成独立的磁通回路，磁芯插入中空部的脚柱 只承受一条磁通回路，这样，可以减小脚柱的截面积，与脚柱配合的 绕线架中空部的截面积也随之减小，中空部的截面积减小，也使得变 压器的整体高度降低，所以，本技术可以应用在更薄型的电器产 品中。附图说明-图1是本技术的立体结构示意图；图2是本技术的主视图；图3是图2的仰视图；图4是本技术的绕线架的结构示意图；图5是本技术的分解示意图；图6是本技术的磁通回路示意图；图7是本技术的EFD型磁芯的结构示意图；图8是本技术的U型磁芯的结构示意图；图9是本技术应用U型磁芯的磁通回路示意图； 图IO是传统二合一变压器的磁通回路示意图。具体实施方式见图1至6， 二合一变压器的改良结构，包括一绕线架l和一磁 芯组，绕线架1设置有一中空部la，绕线架1上设有两个一次侧绕 区lb和两个二次侧绕区lc， 一次侧绕区lb上绕设有一次线圈(图 中未画出)，二次侧绕区lc上绕设有二次线圈(图中未画出)，磁芯 组由两E型磁芯2组成；绕线架1在相邻的两个一次侧绕区lb之间 设置有一镂空部3，绕线架1上的镂空部3与中空部la相通，所述 的镂空部3与相邻的一次侧绕区lb之间设置有隔离墙5，镂空部3 放置有一导磁板4，导磁板4的两端升出隔离墙5之外，两E型磁芯 2从绕线架1的两侧插入，其中，位于E型磁芯2中间的脚柱2a插 入绕线架1的中空部la， E型磁芯2的两侧的脚柱2b位于绕线架1 的两侧，并且，磁芯2的两侧的脚柱2b、中间的脚柱2a分别与导磁 板4接触，使得两E磁芯2形成两条各自独立的磁通回路，如图6 所示。当然，本技术的磁芯也可以采用市面上出售的其它型号的磁 芯，例如EFD型磁芯6，其结构如图7所示，使用时，EFD型磁芯6 两侧的脚柱6a位于绕线架1的两侧面，位于EFD型磁芯6中间的脚 柱6b插入绕线架1的中空部la内，EFD型磁芯6形成的磁通回路与 E型磁芯2形成的磁通回路相同。本技术的磁芯还可以采用U型磁芯7，其结构如图8所示，中一脚柱7a位于绕线架1的侧面，另一脚 柱7b插入绕线架1的中空部la内，U型磁芯7与导磁板4形成一封 闭的磁通回路，磁通回路如图9所示。当然，以上所述之实施方式，只是本技术的较佳实施方式而 己，并非用来限制本技术的实施范围，故凡依本技术申请专 利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括于 本技术申请专利范围内。权利要求1、二合一变压器的改良结构，包括一绕线架，绕线架设置有一中空部；一磁芯组，由两磁芯组成，两磁芯从绕线架的两侧插入；绕线架上设有两个一次侧绕区和两个二次侧绕区，一次侧绕区上绕设有一次线圈，二次侧绕区上绕设有二次线圈；其特征在于绕线架在相邻的两个一次侧绕区之间设置有一镂空部，镂空部放置有一导磁板。2、 根据权利要求1所述的二合一变压器的改良结构，其特征在于所述绕线架上的镂空部与绕线架的中空部相通。3、 根据权利要求1所述的二合一变压器的改良结构，其特征在于所述的镂空部与相邻的一次侧绕区之间设置有隔离墙。4、 根据权利要求3所述的二合一变压器的改良结构，其特征在于所述的导磁板的两端升出隔离墙之外。5、 根据权利要求4所述的二合一变压器的改良结构，其特征在于所述的磁芯的脚柱与导磁板接触。6、 根据权利要求1至5任意一项所述的二合一变压器的改良结构，其特征在于所述的磁芯为E型磁芯，E型磁芯两侧的脚柱位于绕线架的两侧面，位于E型磁芯中间的脚柱插入绕线架的中空部内。7、 根据权利要求1至5任意一项所述的二合一变压器的改良结构，其特征在于所述的磁芯为EFD型磁芯，EFD型磁芯两侧的脚柱位于绕线架的两侧面，位于EFD型磁芯中间的脚柱插入绕线架的中空部内。8、根据权利要求1至5任意一项所述的二合一变压器的改良结构，其特征在于所述的磁芯为U型磁芯，U型磁芯的其中一脚柱位于绕线架的侧面，另一脚柱插入绕线架的中空部内。专利摘要本技术涉及变压器
，特指一种二合一变压器的改良结构，包括一绕线架，绕线架设置有一中空部；一磁芯组，由两磁芯组成，两磁芯从绕线架的两侧插入；绕线架上设有两个一次侧绕区和两个二次侧绕区，一次侧绕区上绕设有一次线圈，二次侧绕区上绕设有二次线圈；本技术的两个磁芯共用一导磁板，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
二合一变压器的改良结构，包括：　一绕线架，绕线架设置有一中空部；　一磁芯组，由两磁芯组成，两磁芯从绕线架的两侧插入；　绕线架上设有两个一次侧绕区和两个二次侧绕区，一次侧绕区上绕设有一次线圈，二次侧绕区上绕设有二次线圈；其特 征在于：绕线架在相邻的两个一次侧绕区之间设置有一镂空部，镂空部放置有一导磁板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高禄彬，
申请(专利权)人：东莞创慈磁性元件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]