【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于取单晶的支架保护装置，该支架保护装置适用于各种型 号的单晶炉。
技术介绍
随着半导体用单晶的不断发展，用切克劳斯基(Czochralski)法拉制的硅单晶尺 寸越来越大，相应的单晶炉的炉筒直径也越来越大，这就导致了单晶拉制完成后取单晶越 来越复杂，越来越有不安全性。取大直径单晶时，首先要把单晶降到足够低的位置，升起上炉室，然后作业人员手 臂伸进炉筒，剪断籽晶，最后移开上炉室，用起重设备提起单晶棒。在这个过程中，人手臂伸 进炉筒时，如果由于设备故障等原因上炉室突然掉下，不但损坏单晶，更重要的是砸伤作业 人员，酿成安全事故。所以需要专利技术一个取单晶的保护装置。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于取单晶的支架保护装置，使用本装置可保证作 业的安全。为达到上述的目的，本技术采用以下技术方案；这种用于取单晶的支架保护装置，其特征在于它包括支架、支块、把手，所述的 支架为一弧形板，板的一侧设有上平台及下平台，上平台的下平面设凹槽I，其下平台设螺 纹孔II，支架与支块连接，把手与支架相连接。其中支架是用不锈钢焊接而成，支块采用有一定的强度和弹性材料制成，例如木头等。支架和支块用两个长螺栓连接，支架与把手用两个螺栓连接，使用时将支架用紧顶螺钉顶紧在炉筒上。弧形板的弧度视炉筒的直径而定，其弧 度在15度至20度之间，所述的支块的长度决定于本装置使用时采用几个保护装置，一般用 3个本装置即可。本技术的优点是大大提升了取单晶的安全性。附图说明图1工作状态剖面图图2工作状态右视图图3支架剖视图图4支架右视图图5支架俯视图图6支块正视图图7工作布置图具体实施...
【技术保护点】
一种用于取单晶的支架保护装置，其特征在于：它包括：支架、支块、把手，所述的支架为一弧形板，板的一侧设有上平台及下平台，上平台的下平面设凹槽Ⅰ，其下平台设螺纹孔Ⅱ，支架与支块连接，把手与支架相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田玉涛，崔彬，赵晶，李晨，杜娟，刘红艳，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，有研半导体材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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