切割/芯片焊接膜制造技术

本发明专利技术的切割／芯片焊接膜是在支撑基材上依次层压有粘合剂层和芯片胶粘用胶粘剂层的切割／芯片焊接膜，其特征在于，上述粘合剂层的厚度为１０～８０μｍ，２３℃下的储藏弹性率为１×１０↑［４］～１×１０↑［１０］Ｐａ。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种切割/芯片焊接膜(夕'^ 、乂y夕、夕'V求乂 <》厶)。切割/芯片焊接膜，在切割前在工件(半导体晶片等)上付设用于粘接碎片工件(于y7。状!7 —夕)(半导体芯片等)与电极构件的 胶粘剂的状态下，用于切割工件。另外，本专利技术涉及使用该切割/芯片 焊接膜的碎片工件的固定方法以及半导体装置的制造方法。此外，还 涉及通过该固定方法或制造方法胶粘固定碎片工件而得到的半导体装 置。
技术介绍
在以往的半导体装置的制造中，在引线框和电极构件上粘接半导 体芯片时一直采用银浆。所述粘接处理是在引线框的压料垫等上涂布 浆料后，在其上搭载半导体芯片并使浆料层固化来进行。电路图案形成的半导体晶片，根据需要通过背面研磨进行厚度调 节(背面研磨工序)后，切割成半导体芯片(切割工序)，将该半导 体芯片用胶粘剂粘接于引线框等被粘体上(芯片安装工序)，再进行 引线接合工序。在切割工序中，为了除去切割屑，通常在适度的液压 下洗涤半导体晶片。在该处理工序中，在将胶粘剂另外涂布于引线框和形成芯片的方 法中，胶粘剂层的均匀化困难，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长 时间。因此，在下述专利文献1中提出了一种切割/芯片焊接膜，其在 切割工序中胶粘保持半导体晶片的同时，也提供芯片安装工序中所需 要的芯片粘接用的胶粘剂层。5该切割/芯片焊接膜，是通过以能剥离的方式在支撑基材上设置胶 粘剂层而形成的，在该胶粘剂层的保持下对半导体晶片进行切割后， 将支撑基材拉伸使形成芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，通 过该胶粘剂层粘接于引线框等被粘体上。在此，切割/芯片焊接膜，要求在半导体晶片切割时具有使支撑基 材与胶粘剂层不发生剥离的强粘合力，而与此相对，要求在切割后半 导体芯片可以与胶粘剂层一起容易地从支撑基材上剥离。但是，如果为上述结构的切割/芯片焊接膜，则难以调节胶粘剂层 的粘合力。因此，公开了通过在支撑基材与胶粘剂层之间设置粘合剂 层来使粘合性与剥离性达到良好平衡而构成的切割/芯片焊接膜(参照 下述专利文献2)。但是，在切割工序中，切割电路图案形成的半导体晶片时，由切 割/芯片焊接膜产生丝状屑，有时粘附于半导体芯片和切割/芯片焊接膜 上。该丝状屑还会在后续工序即芯片安装工序、引线接合工序中粘附 于作为被粘体的有机衬底和引线框或半导体芯片上，不仅使作业性显 著下降，而且半导体芯片的可靠性也会下降，成为较大的课题。专利文献1:日本特开昭60-57642号公报(第1页) 专利文献2:日本特开平2-248064号公报(第1页)
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的专利技术，其目的在于提供抑制丝状 屑产生、并防止半导体芯片品质下降的切割/芯片焊接膜、使用该切割/ 芯片焊接膜的碎片工件的固定方法、通过该方法得到的半导体装置及 其制造方法。本专利技术人为了实现上述目的进行了研究，结果发现丝状屑的产基材的切割而引起的，通过采用下述结构， 完成了本专利技术。艮卩，本专利技术的切割/芯片焊接膜为了解决上述课题，其在支撑基材 上依次层压粘合剂层和芯片胶粘用胶粘剂层，其特征在于，上述粘合剂层的厚度为10 80Mm， 23。C下的储藏弹性率为1 X 104 1 X 10'。Pa。上述结构的专利技术通过使粘合剂层的厚度为10 8(Him、使该粘合剂 层在23'C下的储藏弹性率在1 X 104 1 X 101QPa的范围内，由此将粘合 剂层的弹性成分(即硬度)设定在规定范围内。g卩，通过设定在上述 数值范围内，使切割时的切深止于粘合剂层，防止支撑基材被切割。 其结果可以防止丝状屑的产生。若储藏弹性率不足lX104Pa，则例如 在切割工件时工件通过振动而移动。但是，通过设定在上述数值范围 内，抑制该现象，其结果实现了减少碎片状化工件的一部分破损的所 谓的碎屑。另外，若储藏弹性率超过ixio1Qpa，则有时粘合剂层对于 芯片胶粘用胶粘剂层的粘合力不足。但是，若在上述数值范围内，则 抑制粘合力过度降低，其结果在切割/芯片焊接膜上确实地固定工件， 可以抑制切割时的芯片分散和错位的产生。上述粘合剂层优选为放射线固化型粘合剂层。优选至少在与上述芯片胶粘用胶粘剂层上的工件贴附部分对应的 部分上满足上述粘合剂层中的储藏弹性率的数值范围。在上述粘合剂层与芯片胶粘用胶粘剂层的界面中，与上述工件贴 附部分对应的界面上的剥离性优选大于与其以外部分的一部分或全部 对应的界面上的剥离性。上述界面的剥离性关系是通过制成如下结构而得到的，所述结构 为上述粘合剂层对于芯片胶粘用胶粘剂层的粘合力中，与上述工件贴附部分对应的部分的粘合力小于与其以外部分的一部分或全部对应 的部分的粘合力。通过制成上述结构，在与工件贴附部分以外的部分的一部分或全 部对应的部分中，与对应于工件贴附部分的部分比较，处于粘合剂层 与芯片胶粘用胶粘剂层适度地胶粘的状态。其结果是，例如即使在切 割和扩展时，也可以使粘合剂层与芯片胶粘用胶粘剂层没有轻易地剥 离。另一方面，在与工件贴附部分对应的部分中，与其他部分比较，可以轻易地剥离。因此，即使对于例如超过10mmX10mm这样的大型 芯片而言，也不会产生切割不良，在切割后可以容易地将所得到的碎 片工件剥离，得到拾取性优异的切割/芯片焊接膜。即，上述结构使切 割等时的保持力与拾取时的剥离性达到良好平衡。上述芯片胶粘用胶粘剂层的粘合力中，在上述工件贴附部分中对 于工件的粘合力优选大于在与上述工件贴附部分对应的部分中对于粘 合剂层的粘合力。通过采用上述结构，例如在拾取将工件切割而得到的碎片工件时， 使该碎片工件在附设芯片胶粘用胶粘剂层的状态下容易地从粘合剂层 上剥离。上述工件贴附部分以外的部分的一部分优选为切割环贴附部分。上述芯片胶粘用胶粘剂层的粘合力中，在上述切割环贴附部分中 对于切割环的粘合力优选小于在与上述切割环贴附部分对应的部分中 对于粘合剂层的粘合力。通过采用上述结构，可以使切割环容易地从芯片胶粘用胶粘剂层 上剥离，且防止在该切割环上粘合有芯片胶粘用胶粘剂层的状态下从 粘合剂层上剥离。上述芯片胶粘用胶粘剂层作为工件贴附部分设置于上述粘合剂层 上的一部分，优选在上述粘合剂层中的与工件贴附部分对应的部分的 粘合力小于其以外部分的粘合力。由此，即使在芯片胶粘用胶粘剂层作为工件贴附部分设置于上述 粘合剂层上的一部分的结构的情况下，在拾取碎片工件时，也可以使 该碎片工件在附设芯片胶粘用胶粘剂层的状态下从粘合剂层上容易地 剥离。上述芯片胶粘用胶粘剂层的粘合力中，在上述工件贴附部分中对 于工件的粘合力优选大于在与上述工件贴附部分对应的部分中对于粘 合剂层的粘合力。由此，与上述同样，在拾取碎片工件时，该碎片工件可以在附设 芯片胶粘用胶粘剂层的状态下从粘合剂层上容易地剥离。上述粘合剂层由放射线固化型粘合剂形成，与上述工件贴附部分 对应的部分优选为通过放射线照射而固化的状态。另外，本专利技术的碎片工件的固定方法，为了解决上述课题，其是 使用上述切割/芯片焊接膜的碎片工件的固定方法，其特征在于，具有 在上述芯片胶粘用胶粘剂层的工件贴附部分上压接工件的工序；将上 述工件与上述芯片胶粘用胶粘剂层一起切割成碎片状、并在上述粘合 剂层停止切割的工序；将上述碎片工件与上述芯片胶粘用胶粘剂层的 工件贴附部分一起从上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割／芯片焊接膜，其在支撑基材上依次层压有粘合剂层和芯片胶粘用胶粘剂层，其特征在于，所述粘合剂层的厚度为１０～８０μｍ，２３℃下的储藏弹性率为１×１０↑［４］～１×１０↑［１０］Ｐａ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：松村健，三隅贞仁，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]