单晶硅加料装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及制造单晶硅的设备领域，尤其是一种单晶硅加料装置。它具有熔炉、支架和加料漏斗，熔炉上端入口处周圈设置支架，支架上放置加料漏斗，所述的加料漏斗为收缩性漏斗。有益效果是收缩性的加料漏斗可根据需要调节加料的多少，操作简单方便，缩短了生产时间，提高了工作效率。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及制造单晶硅的设备领域，尤其是一种单晶硅加料装置。
技术介绍
单晶硅大多是用直拉法制备。在这种方法中，单晶硅锭的生产步骤如下在一个熔炉中熔化多晶硅；将一个籽晶浸入硅熔体；以一种足够达到 晶锭所希望直径的方式提拉籽晶；并在那个直径下生长单晶。通常用的坩 埚一般一次只能加料80Kg，制备80Kg的硅熔体，由80Kg的硅熔体所产生 的单晶硅锭。根据需要若想制备大于80Kg的硅熔体产生的单晶硅锭，比如 100Kg和120Kg的硅熔体，在加料过程中达到80Kg后，由于熔炉和加料漏 斗的限制，就无法再继续加料。给生产带来了许多麻烦，生产时间长，生 产效率低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有单晶硅制备中，由于 受熔炉和加料漏斗限制， 一次性加料多少无法调节而带来的生产问题，本 技术提供了 一种单晶硅加料装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是 一种单晶硅加料装 置，具有熔炉、支架和加料漏斗，熔炉上端入口处周圈设置支架，支架上 放置加料漏斗，所述的加料漏斗为收縮性漏斗。所述的加料漏斗具有至少两个可收縮嵌套在一起的分漏斗，可根据需 要调节加料的多少。所述的加料漏斗上设置有拉动相对在下的分漏斗向上移动嵌进在上分本技术的有益效果是收縮性的加料漏斗可根据需要调节加料的 多少，操作简单方便，縮短了生产时间，提高了工作效率。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。 附图说明图1是现有加料装置的结构示意图。图2是本技术加料装置的结构示意图。图3是相对图2加料较多时的状态示意图。 图中l.熔炉，2.支架，3.加料漏斗，4.分漏斗。具体实施方式如图i所示，现有单晶硅的加料装置中熔炉r上端的支架2'上放置有加料漏斗3'，所述的加料漏斗3'不具有可收縮性，不便于调节加料的多少。 如图2所示， 一种单晶硅加料装置的实施例，具有熔炉1、支架2和加料漏斗3，熔炉1上端入口处周圈设置支架2，支架2上放置加料漏斗3;所述的加料漏斗3为收縮性漏斗，加料漏斗3具有至少两个可收縮嵌套在一起的分漏斗4，加料漏斗3上设置有拉动相对在下的分漏斗4向上移动嵌进在上分漏斗4内的提升机构，提升机构在图中未画出。若图2中加料为80Kg，则图3中加料就大于80Kg。在加料超过80Kg时，在下的分漏斗4向上移动嵌进在上分漏斗4内，这样就便于继续加料，操作简便。权利要求1.一种单晶硅加料装置，具有熔炉(1)、支架(2)和加料漏斗(3)，熔炉(1)上端入口处周圈设置支架(2)，支架(2)上放置加料漏斗(3)，其特征是所述的加料漏斗(3)为收缩性漏斗。2. 根据权利要求1所述的一种单晶硅加料装置，其特征是所述的加 料漏斗(3)具有至少两个可收縮嵌套在一起的分漏斗(4)。3. 根据权利要求1或2所述的一种单晶硅加料装置，其特征是所述 的加料漏斗(3)上设置有拉动相对在下的分漏斗(4)向上移动嵌进在上 分漏斗(4)内的提升机构。专利摘要本技术涉及制造单晶硅的设备领域，尤其是一种单晶硅加料装置。它具有熔炉、支架和加料漏斗，熔炉上端入口处周圈设置支架，支架上放置加料漏斗，所述的加料漏斗为收缩性漏斗。有益效果是收缩性的加料漏斗可根据需要调节加料的多少，操作简单方便，缩短了生产时间，提高了工作效率。文档编号C30B15/00GK201276607SQ20082018644公开日2009年7月22日 申请日期2008年10月27日 优先权日2008年10月27日专利技术者张东亮, 汪钉崇 申请人:常州天合光能有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅加料装置，具有熔炉（１）、支架（２）和加料漏斗（３），熔炉（１）上端入口处周圈设置支架（２），支架（２）上放置加料漏斗（３），其特征是：所述的加料漏斗（３）为收缩性漏斗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，张东亮，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]