【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请涉及用于诸如发光二极管(LED)和其它高功率微电路裸片或 模块的电子元件的微电子互连基底和封装技术。
技术介绍
微电子封装和互连技术已经经历了进化的和革命性的变化，以服务于 电子设备中小型化的趋势，其现在在军事、无线通讯、工业及消费应用中 非常明显。该趋势受到了多种力量的驱动，包括对大小和重量及成本和美 学的专家需求，其己经导致了集成电路的封装中及电子基板和电路板上的 连接中的多种创新的发展。需要封装的微电子装置的范例存在于从简单的发光二极管(LED)裸 片(其本质上是具有两个端子的二极管结)到复杂的微处理器(pP)集成 电路芯片(ICC，或IC)(具有与其它元件接口所需的多个输入和输出端子) 的整个范围。广义上，微电子封装能够简单地视作将IC (或裸片)与诸如电力源 (例如电源、电磁等)、输入装置(例如键盘、鼠标等)、及输出装置(例 如监视器、调制解调器、天线等)的外围设备的真实世界接合的途径。 为实现这，需要将IC (或裸片)与外围设备连接(本质上，向IC输入信号 和从IC输出信号)，及提供操作电力给IC，并且这典型地利用导线或印刷 线路板(PWB)上的导电迹线实现。在一些简单的半导体裸片及大多数复杂IC中，主要的热管理挑战是减 小从热源(裸片或IC)到外部世界的热路径的热阻，在外部世界，热能够 通过空气(或制冷剂)对流、传导和通过辐射被带走。 一个主要的该热路 径，并且在在热阻减小努力的前线，是在基底(板，芯片载体或多层 互连板载体、基底或内插板)的方向上，热的裸片安装在该基底上。该 基底能够是多种类型的PWB (印刷线路板)、BGA (球栅阵列)基...
【技术保护点】
一种互联基底上的电子元件组件，包括： 安装到所述互联基底的顶面的电子元件；以及 所述电子元件和所述基底的底面之间的直接金属热路径；
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-10-6 60/723,9221、一种互联基底上的电子元件组件，包括安装到所述互联基底的顶面的电子元件；以及所述电子元件和所述基底的底面之间的直接金属热路径；2、 如权利要求l所述的组件，其中所述电子元件包括LED，并且还包括所述基底上的用于操作所述LED的驱动模块。3、 如权利要求l所述的组件，其中-所述基底是阀金属基底，其已被阳极氧化以限定至少一个电隔离的导 电区域，所述导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底；并且所述至少一个电隔离的导电区域包括所述电子元件和所述基底的 所述底面之间的所述直接的金属热路径。4、 如权利要求l所述的组件，其中-所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定。5、 如权利要求l所述的组件，其中所述隔离结构具有圆形形状。6、 如权利要求l所述的组件，其中-所述隔离结构为环形形式。7、 如权利要求l所述的组件，其中所述基底是阀金属基底，其已被阳极氧化以限定至少一个电隔离的导 电区域，所述导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底；所述隔离结构限定并围绕、及电隔离所述电隔离的导电区域。8、 如权利要求l所述的组件，其中所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定；以及还包括水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的顶面，从所述垂直隔离结 构的一侧朝向垂直隔离环的相对侧。9、 如权利要求l所述的组件，其中所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定；以及还包括水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的顶面，从所述垂直隔离结 构的一侧朝向垂直隔离环的相对侧。10、 如权利要求l所述的组件，其中所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定；以及还包括水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的顶面，从所述垂直隔离结构的一侧朝向垂直隔离环的相对侧；以及第二水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的底面，从所述垂直隔 离结构的一侧朝向所述垂直隔离环的相对侧。11、 如权利要求l所述的组件，还包括 在所述基底的所述顶面上的涂敷金属。12、 如权利要求l所述的组件，还包括 在所述基底的所述底面上的涂敷金属。13、 如权利要求1所述的组件，还包括 所述基底的所述顶面上的第一涂敷金属；以及 所述基底的所述底面上的第二涂敷金属。14、 如权利要求13所述的组件，其中所述第一和第二涂敷金属的至少一个完全延伸越过所述电隔离的导电 区域。15、 如权利要求13所述的组件，其中 所述第二涂敷金属比所述第一涂敷金属厚。16、 一种互联基底包括铝基底，被选择性地阳极氧化以形成彼此由隔离区域电隔离的导电区 域；以及至少一个导电区域由至少一个隔离区域完全围住在所述基底内。17、 一种用于安装电子元件在互联基底上的方法，包括 提供阀金属基底；选择性地阳极氧化所述基底以限定至少一个电隔离的导电区域，所述 导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底； 在所述基底的所述第一表面中形成腔；其中，所述至少一个电隔离的导电区域位于所述腔内；以及 在所述腔中安装电子元件。18、 如权利要求17所述的方法，其中 所述阀金属是铝。19、 如权利要求17所述的方法，其中 所述电子元件是LED。20、 如权利要求17所述的方法，还包括用聚合物透明材料填充所述腔。21、 如权利要求17所述的方法，其中所述基底包括平的薄片。22、 如权利要求17所述的方法，其中所述基底具有厚度，以及 所述腔的深度近似为所述基底的厚度的一半。23、 如权利要求17所述的方法，还包括在所述基底的所述第一表面上提供第一涂敷金属。24、 如权利要求17所述的方法，还包括在所述基底的所述第二表面上提供第二涂敷金属。25、 如权利要求17所述的方法，还包括抛光以给予所述腔反射表面。26、 如权利要求17所述的方法，其中其中，所述腔通过选自包含钻孔、冲孔、化学刻蚀形成和电化学刻蚀 的组的工艺形成。27、 如权利要求17所述的方法，其中所述腔在阳极氧化之前形成。28、 如权利要求17所述的方法，其中所述腔在阳极氧化之后形成。29、 如权利要求17所述的方法，其中 两个电隔离的导电区域位于所述腔内； 还包括电连接所述电子元件到所述腔内的所述两个导电区域。30、 如权利要求17所述的方法，还包括在所述基底的所述第二表面上提供导电迹线，与所述腔内的所述两个 导电区域连接。31、 如权利要求17所述的方法，还包括在所述基底中形成多个所述腔，每个腔具有分离的铝导电区域，所述 导电区域从所述基底第一表面到其所述第二表面完全延伸通过所述基底。32、 一种方法，用于安装电子元件在互联基底上，包括 提供阀金属基底；选择性地阳极氧化所述基底以限定至少一个电隔离的导电区域，所述 导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底； 在所述基底的所述第一表面中形成腔；其中，所述腔通过选自包含钻孔、冲孔、化学刻蚀形成和电化学刻蚀 的组的工艺形成。33、 如权利要求32所述的方法，其中 所述腔在阳极氧化之前形成。34、 如权利要求32所述的方法，其中 所述腔在阳极氧化之后形成。35、 如权利要求32所述的方法，其中 至少一个电隔离的导电区域位于所述腔内。36. 一种形成互联基底的方法，包括 提供阀金属基底；选择性地阳极氧化所述基底以限定至少一个电隔离的导电区域，所述 导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底；其中-在阳极氧化之前，在选择的区域减薄所述基底。37、 如权利要求36所述的方法，其中仅从所述基底的一个表面执行所述阳极氧化。38、 如权利要求36所述的方法，还包括 在所述基底的另一表面上形成的腔。39、 如权利要求36所述的方法，其中 从所述基底的两个表面执行所述阳极氧化。40、 如权利要求36所述的方法，其中 在减薄所述基底后执行所述阳极氧化。41、 如权利要求40所述的方法，其中 在所述减薄的区域执行阳极氧化。42、 一种用于安装电子元件的互联基底，包括阀金属基底，其已被氧化以限定至少一个电隔离的导电区域，所述导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底； 形成在所述基底的所述第一表面中的腔；以及 其中，所述至少一个导电区域位于所述腔内。43、 如权利要求42所述的互联基底，其中 存在多个腔；以及还包括安装在所述腔中的电子元件。44、 如权利要求42所述的互联基底，还包括: 安装在所述腔中的电子元件。45、 如权利要求44所述的互联基底，还包括:填充所述腔的聚合物透明材料。46、 如权利要求44所述的互联基底，其中 所述电子元件是LED。47、 如权利要求42所述的互联基底，还包括: 安装在所述腔中的电子元件；其中-所述电子元件是MOSFET。48、 如权利要求42所述的互联基底，还包括 安装在所述腔中的电子元件；其中-所述电子元件包括裸片，其热功率超过预定的每裸片面积的热水平。49、 一种形成互联基底的方法，包括 提供阀金属基底选择性地阳极氧化所述基底以形成隔离区域，在其上能够形成导电迹 线；以及在所述隔离区域上形成导电迹线。50、 如权利要求49所述的方法，其中所述隔离区域的宽度大于所述导电迹线的宽...
【专利技术属性】
技术研发人员：U米尔斯基，S涅夫厅，L富雷尔，
申请(专利权)人：微部件有限公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]
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