含阳离子敏感层的复合制品制造技术

复合制品包括具有表面的基底，含置于基底表面上的阳离子敏感材料的阳离子敏感层，以及置于基底和阳离子敏感层之间的硅氧烷层。阳离子存在于基底表面上，其中基于基底表面上原子的总原子重量，其用量为至少０．１原子ｗｔ％。硅氧烷层包括固化的硅氧烷组合物用以防止阳离子从基底迁移到阳离子敏感层上。在阳离子敏感层和基底之间包括硅氧烷层使得能使用过去因该材料内存在过量阳离子导致无法使用的基底材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含阳离子敏感层的复合制品
技术介绍
1. 专利
本专利技术一般地涉及含阳离子敏感层的复合制品。更具体地，本专利技术涉及含阳离子敏感层的复合制品，所述阳离子敏感层可以是置 于基底上的有机发光层。2. 现有技术的说明有机发光二极管(OLED)是本领域众所周知的。OLED作为传 统光源的可行替代品且在视觉显示和通信应用中具有前景。OLED的最 基本形式典型地包括基底、置于基底上的阳极、置于阳极上的空穴注 入层、置于空穴注入层上的有机发光层、置于有机发光层上的阴极、 和置于阴极上的由金属、玻璃或其他玻璃质材料形成的阻挡层。基底 和阻挡层中的至少 一种由玻璃或其他玻璃质材料形成，以允许从发光 层发射出的光从OLED中逃逸。阳极和阴极中的至少一种也是透光的。 OLED商业化的阻碍之一是OLED寿命的最大化。特别地， 形成有机发光层的有机发光材料当暴露于湿气、氧气和其他环境污染 物下时对这些敏感且劣化。玻璃常规地用作基底。尽管玻璃显示出对 湿气、氧气和其他环境污染物出色的不渗透性，但常规的玻璃在其内 存在高含量的阳离子。当玻璃暴露于高温和/或其他环境条件下时，阳 离子典型地从玻璃汾滤出来，并局部集中在玻璃表面上。基于玻璃表 面上原子的总原子重量，阳离子典型地以约3. 5原子重量％存在于玻 璃表面上。最近已发现，有机发光材料对常规玻璃内存在的阳离子特 别敏感，和有机发光材料对阳离子的敏感度会加速有机发光材料亮度 的劣化。此外，已发现，阳离子使导电层例如阳极和阴极短路。正因 为如此，在过去仅仅不含有到含有低含量阳离子的高质量玻璃用于基 底。与包括高含量阳离子的常规玻璃相比，高质量玻璃非常昂贵，且因玻璃内不存在阳离子导致的较高熔点使得还难以加工。正因为如此， 从成本和生产角度考虑，非常希望使用常规玻璃替代高质量玻璃。尽管玻璃充当优良的环境阻挡层，但在许多情况下使玻璃 基底受力弯曲到聚合物基底上，使得OLED更具有挠性。聚合物基底提 供对湿气、氧气和其他环境污染物不足的不透过性。正因为如此，必 须使用额外的环境阻挡层，如Graff等人的美国专利No. 6570325中所 述。尽管Graff等人公开了含去偶层的环境阻挡层，但除了去偶层以 外，还要求阻挡层。这是因为使用去偶层仅仅干扰缺陷从一层扩展到 另一层。要求由金属、金属氧化物或其他金属基化合物形成的阻挡层 提供对湿气、氧气和其他环境污染物的不透过性充足的环境阻挡层。 将阳极置于环境阻挡层上并与有机发光材料一起从环境中密封。由于现有技术存在这些缺陷，因此需要提供含阳离子敏感 层的复合制品，例如0LED，所述复合制品进一步包括基于在基底，例 如常规玻璃表面上原子的总原子重量在其表面上含至少0. 1原子"％ 的阳离子的基底，且没有过去使用这种玻璃质材料遇到的附带缺陷。 专利技术概述和优点本专利技术提供一种复合制品，它包括具有表面的基底，置于 基底表面上的含阳离子敏感材料的阳离子敏感层，和置于基底与阳离 子敏感层之间的硅氧烷层。基于基底表面上原子的总原子重量，阳离 子以至少0. 1原子wt。/。的量存在于基底表面上。硅氧烷层包括固化的 硅氧烷组合物用以防止阳离子从基底迁移到阳离子敏感层上。在阳离子敏感层和基底之间包括硅氧烷层使得能使用过去 无法使用的基底材料，因为这些材料内存在过量阳离子。此外，固化 的硅氧烷组合物可提供其他特征，例如保护基底表面避免形成缺陷， 并进而改进基底强度。固化的硅氧烷组合物遵从表面形貌并还起到平 面化的功能。可通过连续工艺，形成本专利技术的复合制品，该连续工艺 比间歇工艺更加有效，从而可降低制备复合制品的时间与成本。最后， 通过包括硅氧烷层，含玻璃或其他相对脆的材料的基底的厚度可最小 化到以前因基底脆性导致可行的厚度以下。存在硅氧烷层还允许最小厚度的基底弯曲超出起始的弯曲半径，这可用于要求复合制品挠性的 应用中。附图简述本专利技术的其他优点将容易理解，因为当结合附图考虑时，通过参考下述详细说明，将更好地理解本专利技术，其中 附图说明图1是本专利技术的复合制品的截面側视图； 图2是本专利技术的复合制品的另一实施方案的截面侧视图； 图3是代表针对钠钾玻璃和含钠钙玻璃与硅氧烷层的复合 制品获得的次级离子质谱数据的图表，所述硅氧烷层包括在固化硅氧 烷组合物之后在各种深度处的各种固化的硅氧烷组合物；图4是代表针对钠4丐玻璃和含钠钓玻璃与硅氧烷层的复合 制品获得的次级离子质谱数据的图表，所述硅氧烷层包括在固化硅氧 烷组合物之后和在复合制品于约300。C的温度下在氮气氛围内退火约 60分钟之后在各种深度处的各种固化的硅氧烷组合物；和 图5是本专利技术的复合制品的照片。 专利技术详述参考附图，其中在几个附图中，相同的数字表示相应的部 件，在图1中通常在IO处示出了复合制品10。复合制品10包括在其 表面上含阳离子的基底12，置于基底12上的阳离子敏感层14，和置 于基底12和阳离子敏感层14之间的硅氧烷层16。阳离子敏感层14 包括阳离子敏感材料，所述阳离子敏感材料可以是当暴露于阳离子下 时经历性能劣化的任何材料。硅氧烷层16有效地防止阳离子从基底 12迁移到阳离子敏感层14，和与在现有技术的高质量玻璃内存在的阳 离子量相当，硅氧烷层16不含或者包括低含量的阳离子。过去，阳离 子从基底12迁移到阳离子敏感层14妨碍了与阳离子敏感层14 一起使 用的含阳离子的基底12的使用。本专利技术的复合制品IO特别适合于用 作有机发光二极管(OLED)，如图5所示，和这将通过参考以下对复合 制品10的进一步说明得到理解。然而，要理解，复合制品10可以是 包括基底12、阳离子敏感层14和置于其间的硅氧烷层16的任何这种制品。基底12更具体地包括含阳离子的材料，此处所使用的术语 "阳离子"是任何荷正电的原子或原子的基团。在基底12内存在的常 见阳离子包括钠、钾、钙、硫、锡、镁和铝。尽管在整个材料当中和 因此在整个基底12当中存在阳离子，但它是在被测试的基底12表面 上的阳离子，因为它们是易于迁移到阳离敏感层14上的阳离子。基 于基底12表面上的原子的总原子重量，阳离子典型地以至少0.1原子 wt。/。的量存在于基底12的表面上，且基于基底12表面上的原子的总原 子重量，特别是在300-500'C的温度下在氮气氛围内使基底12退火约 60分钟的时间段之后，可达到约15原子wtW的含量。本质上，该材料 具有以过去因为在阳离子敏感层14上阳离子的影响导致的无法接受 的含量存在的阳离子。这一高含量的阳离子在本专利技术的复合制品10 中是可能的，因为在复合制品10内存在硅氧烷层16，硅氧烷层16防 止阳离子从基底12，具体地从基底12的表面迁移到阳离子敏感层14 上。该材料可选自玻璃、金属及其组合。基底12典型地由玻璃 形成，玻璃典型地既透明又提供优良的湿气、氧气和其他环境污染物 的不透过性。合适的玻璃的具体实例可选自钠钙玻璃、硼硅浮法玻璃、 硅铝酸盐玻璃、及其組合。然而，基底12也可以是金属，例如钢或铝。典型地在没有特殊加工以除去阳离子的情况下生产该材 料。过去除去阳离子所使用的特殊加工是昂贵的且赋予该材料非所需 的性能，特别是当材料是玻璃时。更具体地，已进行过除去阳离子的 加工的玻璃的熔融温度典型地更高，典型地比没有进行过加工的玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合制品，它包括：　基底，该基底在其表面上包含至少０．１原子ｗｔ％的阳离子，基于所述基底表面上的总原子重量；　含阳离子敏感材料并置于所述基底表面上的阳离子敏感层；和　置于所述基底和所述阳离子敏感层之间且包括固化的硅氧烷 组合物的硅氧烷层，以防止阳离子从所述基底迁移到所述阳离子敏感层中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DE凯特索里斯，E麦克奎斯顿，TD巴纳德，N格里尔，P沙尔克，
申请(专利权)人：陶氏康宁公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]