发射辐射的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种发射辐射的装置，包括衬底（１００）和设置在衬底上的层序列。层序列包括：第一电极面（２００），该电极面具有用于施加电压的第一接触部（２１０）；至少一个功能层（３００），该功能层在工作中发射辐射；以及第二电极面（４００）。在该层序列中存在多个子区域（３３０），这些子区域被改变为使得对于外部观察者可见的辐射的发射从这些子区域中断。这些子区域的分布密度根据子区域距接触部的距离而改变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射辐射的装置本专利技术涉及一种发射辐射的装置，该装置带有至少一个在工作中发射 辐射的功能层。本专利申请要求德国专利申请10 2006 055 884.7和10 2006 046 234.3 的优先权，它们的公开内^it过引用结合于此。发射辐射的装置适于作为大面积的、薄的发光元件。然而，这些装置 由于其结构而具有沿着横向方向的电压降，该电压降对光密度产生影响并 且由此对亮度产生影响。所发出的光由此不是均匀的，而是在局部的光密 度方面具有差别。本专利技术的任务是，提供一种发射辐射的装置，该装置的特征在于改进 的、均匀化的光密度，并且由此减少了上面提及的缺点。该任务通过根据权利要求1所述的发射辐射的装置来解决。特别有利 的扩展方案和其他的发射辐射的装置是其他权利要求的主题。在根据本专利技术的一个实施例的发射辐射的装置中，将多个子区域引入 层序列中，在这些子区域中辐射的光密度被降低。这种发射辐射的装置优选包括衬底和设置在该衬底上的层序列。该层 序列在此包括在衬底上的第一电极面，该电极面具有用于施加电压的第 一接触部；至少一个功能层，该功能层在工作中发射辐射；以及在所述至 少一个功能层上的第二电极面。在该层序列中，存在多个子区域，这些子这些子区域的分布密度在此根据其距接触部的距离而改变。在此的优点 是，发射辐射的装置的光密度根据距接触部的距离而改变。通过多个子区 域(子区域的分布密度取决于距接触部的距离)，可以对抗变化的光密度。 特别有利的是，在此所改变的子区域优选设置在发射辐射的装置的如下区 域中在这些区域中在没有这些子区域的情况下通常存在较高的光密度。 通过这种方式，可以在这些区域中降低光密度并且这样实现了在发射辐射 的装置的整个发光面(辐射出射面)上光密度的更均匀的分布。这引fet 光子区域的光密度的均匀化。本专利技术的另 一 实施形式的另 一有利的特征是带有如下子区域的发射辐射的装置这些子区域对于外部观察者而言以棵眼不能识别。此外，发 射辐射的装置也可以具有如下子区域:这些子区域具有微小的扩展。由此， 对于外部观察者而言并未干礼良光印象(Leuchteindruck)，而是该外部 观察者仅仅感知到通过引入的子区域而改变的或均匀化的光密度。此外，本专利技术可以具有如下的有利特征:发射辐射的装置具有子区域， 这些子区域降低所发射的辐射的光密度。这具有的优点是，功能层的在没 有这些子区域的情况下会具有高的光密度的区域可以通过引入子区域而 在其平均亮度方面进行调节。有利的是，第一接触部在第一电极面的侧面。由此，第一电极面可以 被供给电压。有利的是，第三接触部在第二电极面的侧面，由此第二电极面可以被 供给电压。所述至少一个功能层可以有利地包括有机功能层并且优选也包括电 荷传输层。功能层的材料可以包括聚合物和/或小分子。由此，发射辐射 的装置是有机发光二极管(OLED)，其特别适于作为大面积发光元件。所述至少 一个功能层也可以是无机功能层，例如基于磷化物化合物半 导体或者氮化物化合物半导体的功能层。优选的是如下材料，其具有一般 的化学式AlnGamli^-,P (其中0《n《l， 0《m《l并且(n+m)《1),或者氮化物-III/V-化合物半导体，优选具有一般的化学式AlnGaJlh^N(其中0^1， O^m^l并且(n+m)《1 )。发射辐射的装置的电压降尤其是可以通过一个或者两个、即第一和第 二电极面的导电能力来限制。在此，第一和/或第二电极面可以是半透明 的或者透明的电极面，这些电极面包围发射辐射的功能层。在此，两个电 极面之一也可以是反射的电极面。透明的电极面的导电能力可以相对于反 射的电极面的导电能力降低两个至三个或者更多个数量级。在这种电极面 的情况下，会出现如下的电压降该电压降随着距第一和/或第二透明的 电极面的接触部变大的距离而增大，并且由此会导致变得更弱的光密度。 所发出的光由此并不是均匀的，而是在光密度方面具有差别。此外，发射辐射的装置优选可以具有第一和/或第二电极面，该电极 面对于功能层发射的辐射是半透明或者透明的。在此的优点是，所产生的 辐射可以透过第一和/或第二电极面来发射。相对于由纯粹的、厚的金属 层构成的并且由此不透明的电极面，具有金属和/或其他组成部分并且由此透明的电极面具有更小的导电能力。施加在接触部上的电压随着距接触 部增大的距离而降低，并且由此导致发射辐射的装置的光密度降低。在一个有利的实施形式中，第一和/或第二电极面的材料包括金属氧化物。透明导电氧化物(transparentconductiveoxides，缩写为"TCO") 是透明导电的材料，通常是金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、 氧化钛、氧化铟或者氧化铟锡(ITO )。除了 二元的金属氧化合物例如ZnO、 Sn02或者Iih03,三元的金属氧化合物例如Zn2Sn04、 CdSn03、 ZnSn03、 Mgln204、 Galn03、 2112111205或者11148113012或者不同的透明导电氧化物 的混合物也属于TCO的族。此外，TCO并非一定对应于化学计量学上的 组成，而是也可以是p掺杂或者n掺杂的。同样，透明电极可以包括高度导电的有机材料如PEDOT，或者掺杂 的有机层，以及包括金属，例如Ag，或者所提及的可能性的组合。本专利技术的另 一实施例的另 一有利的特征是一种发射辐射的装置，其在 第一和第二电极面之间在子区域中具有多个隔离的和/或对于辐射不透明的元件。这些元件的分布密度和/或几何构型又根据这些元件距第一和/或 第三接触部的距离而改变。这些元件具有的优点是，它们可以改变发射辐 射的装置的、与距接触部的距离相关的亮度。由此，在该实施形式中，上 面提及的子区域通过隔离的和/或对于辐射不透明的元件来修改，使得由 于这些元件的缘故而阻挡了辐射从装置向外的耦合输出。有利的是，隔离的和/或不透明的元件的分布密度随着距第一和/或第 三接触部变大的距离而降低。此外，存在于第一和第二电极面之间的、隔 离的和/或不透明的元件可以在这些子区域中防止辐射从该装置射出。这 样的优点是，层序列的如下区域具有隔离的和/或不透明的元件的高的分 布密度这些区域在没有这些元件的情况下会具有高的光密度并且位于第 一和/或第三接触部附近；并且如下区域具有隔离的元件和/或不透明的元件的低的分布密度这些区域在没有这些元件的情况下会具有与紧靠接触 部的区域相比减小的光密度并且这些区域本身距离接触部更远。由此，与 在具有通常低的光密度的区域中相比，通过在具有通常高的光密度的区域 中的元件更强地减弱辐射发射。由此，在合适地改变分布密度的情况下， 减小或者均衡了在这些面上的光密度差。在此特别有利的是，隔离的和/或不透明的元件的分布密度选择为 使得由该装置发射的辐射的光密度在该装置的具有元件的不同的分布密 度的不同区域之间的差最大为20%。在此的优点是，这种亮度差几乎不再能被外部观察者感知，并且导致改进的、更均匀的光密度。此外，隔离的和/或不透明的元件可以线状地成型并且以周期性结构 设置在功能层中。这种周期性结构例如可以包括^^栅。^"栅可以具有在相 邻的线状元件之间的格栅间距，该插^栅间距随着距第 一和/或第三接触部 增大的距离而增大。这种具有变化的极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发射辐射的装置，包括　－衬底（１００），和　－设置在该衬底上的层序列，该层序列包括：　－在该衬底上的第一电极面（２００），该第一电极面具有用于施加电压的第一接触部（２１０），　－至少一个功能层（３００），所述至少 一个功能层在工作中发射辐射，以及　－在所述至少一个功能层上的第二电极面（４００），　其中在该层序列中存在多个子区域（３３０），所述子区域被改变为使得对于外部观察者可见的辐射的发射从所述子区域中断，其中所述子区域的分布密度根据所述 子区域距接触部的距离而改变。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯克莱因，弗洛里安申德勒，伊恩斯蒂芬米勒德，索克格克贝，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]