一种制造磁记录介质的方法，该磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，该方法包括以（Ａ）到（Ｇ）的顺序执行的下列七个步骤：（Ａ）在非磁性基底上形成磁性层的步骤；（Ｂ）在磁性层上形成碳掩模层的步骤；（Ｃ）在碳掩模层上形成抗蚀剂层的步骤；（Ｄ）在抗蚀剂层上形成磁记录图形的负图形的步骤；（Ｅ）去除在与磁记录图形的负图形对应的区域中的掩模层的部分的步骤；（Ｆ）去除在与磁记录图形的负图形对应的区域中的磁性层的至少表面层部分的步骤；以及（Ｇ）需要时去除剩余的抗蚀剂层和碳掩模层的步骤。所制成的磁记录介质确保了等于或优于常规介质的记录／再现特性并呈现高记录密度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造用于诸如硬盘装置的磁记录/再现装置的磁记录介质的方法。还 涉及磁记录/再现装置。
技术介绍
近年来，诸如磁盘装置、软盘装置和磁带装置的磁记录装置被广泛地应用，其重要 性也日益增加。在磁记录装置中使用的磁记录介质的记录密度也被极大地提高。特别地， 因为MR头和PRML技术的发展，面记录密度日益增加。最近，已经开发了 GMR头和TMR头， 并且面记录密度以约每年100%的速率增加。对于进一步增加记录密度的需求仍然日益增 加，因此，热切需要具有更高矫顽力和更高信噪比(SNR)以及高分辨率的磁性层。同样还进行了通过增加磁道密度和增加线记录密度来增加面记录密度的尝试。在近期的磁记录装置中，磁道密度已达到约llOkTPI。然而，随着磁道密度的增加， 磁记录信息倾向于在相邻的磁道之间彼此干扰，并且作为噪声源的在其边界区域中的磁化 过渡区倾向于损害SNR。这些问题导致误码率的降低并阻碍了记录密度的增加。为了增加面记录密度，需要使每一个记录位的尺寸变小并使每一个记录位具有最 大饱和磁化和磁性膜厚度。然而，随着位尺寸的减小，每位的最小磁化体积变小，并且所记 录的数据往往会因为由热波动造成的磁化反转而消失。此外，为了减小相邻磁道之间的距离，磁记录装置需要高精度磁道伺服系统技术， 并且通常采用这样的操作，其中，进行宽幅记录而进行窄幅再现，以使相邻磁道之间的影响 最小化。该操作的优点为可以使相邻磁道的影响最小化，而缺点为再现输出相当低。这还 导致难以将SNR提高到希望的高水平。为了减小热波动、保持希望的SNR并获得希望的再现输出，已经有这样的提议，其 中形成沿磁记录介质表面上的磁道延伸的凸起和凹陷，以便通过凹陷来分离位于凸起上的 每一个构图的磁道，由此增加磁道密度。下文中，将该类型的磁记录介质称为离散磁道介 质，并且将用于提供该类型的磁记录介质的技术称为离散磁道方法。离散磁道介质的一个已知实例为在例如专利文献1中公开的磁记录介质，其被这 样制造，提供具有在其表面上形成的凸起和凹陷的非磁性基底，并且在非磁性基底上形成 对应于表面结构的磁性层，以便产生物理离散的磁记录磁道和伺服信号图形。上述磁记录介质具有的结构使得可以通过在其表面上形成有凸起和凹陷的非 磁性基底上的软磁性衬层(underlayer)来形成铁磁性层，并在铁磁性层上形成外涂层 (overcoat)。磁记录构图区域在与周围区域物理分离的凸起上形成磁记录区域。在上述磁记录介质中，可以防止或最小化在软磁性衬层中铁磁畴壁的出现，因此 减小了由热波动造成的影响，并且使相邻信号之间的干扰最小化，从而提供具有大SNR的 磁记录介质。离散磁道方法包括两种方法第一种为在形成包括几个层叠的膜的多层磁记录介 质之后形成磁道的方法；第二种为直接在基底上或在用于在其上形成磁道的膜层上形成具有凸起和凹陷的图形且然后使用构图的基底或构图的膜层形成多层磁记录介质的方法 (参见，例如，专利文件2和专利文件3)。第一种方法通常称为磁性层处理型方法，第二种 方法通常称为压纹(embossing)型方法。专利文件4提出了另一离散磁道方法。在所提出的方法中，例如，对预先形成的磁 性层进行氮离子或氧离子注入或利用激光进行辐射，由此形成在离散磁道介质中分离磁道 的区域。此外，还提出了一种制造磁记录介质的方法，其包括使用碳掩模对磁性层进行离 子铣削的步骤(参见专利文件5)。专利文件1JP2004--164692 Al专利文件2JP2004--178793 Al专利文件3JP2004--178794 Al专利文件4JPH5-205257 Al专利文件5JP2006--31849 Al
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题由于迄今提出的磁记录介质仍然会面对进一步增加记录密度的问题，本专利技术的主 要目的为提供一种制造改善的磁记录介质的方法，该磁记录介质呈现极大地增加的记录密 度而同时保持记录/再现特性等于或优于迄今提出的磁记录介质的记录/再现特性。所制 造的磁记录介质的特征在于，使在分离磁记录图形的区域中的矫顽力和剩余磁化最小化到 令人满意的程度，因此，可以避免磁记录时的写模糊，并可以获得极大改善的面记录密度。本专利技术的另一目的为提供一种磁记录/再现装置，其被装配有上述磁记录介质， 因此，该装置呈现良好的磁头悬浮性，并且以优良的分离性分离磁记录图形，从而抑制了发 生在相邻的被分离区域之间的信号干扰。因而该磁记录/再现装置具有高记录密度特性， 并可以用作离散型磁记录/再现装置。考虑到上述有益的特性，通过本专利技术的方法制造的磁记录介质可以用作具有磁性 分离的记录图形的离散型磁记录介质，该磁性分离的记录图形包括磁记录磁道和伺服信号 图形。该制造磁记录介质的方法是简单且容易的。解决问题的手段专利技术人为来提供磁记录介质而进行的研究表明，可以通过下列方法制造上述改善 的磁记录介质。由此，完成了本专利技术。根据本专利技术，提供了制造磁记录介质的下列方法。(1) 一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面 上具有磁性分离的磁记录图形，其特征在于包括依次执行的下列步骤(A)到(F)(A)在非磁性基底上形成磁性层的步骤；(B)在所述磁性层上形成碳层的步骤；(C)在所述碳层上形成抗蚀剂层的步骤；(D)在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的负图形的步骤；(E)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述抗蚀剂层的部分和所述碳层的部分的步骤；以及然后(F)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的每一个区域中的所述磁性层的 至少表面层部分的步骤。(2)根据上述(1)的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(B)中在所述磁性层上 形成的所述碳层具有5nm到40nm的范围内的厚度。(3)根据上述⑴或(2)的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F)中仅仅去除 了在与所述磁记录图形的所述负图形对应的每一个区域中的所述磁性层的所述表面层部 分。(4)根据上述(3)的制造磁记录介质的方法，其中，被去除的所述磁性层的所述表 面层部分具有2nm到15nm的范围内的厚度。(5)根据上述(1)到(4)中任一项的制造磁记录介质的方法，其中，通过反应离子 铣削或反应离子蚀刻来执行步骤(F)中的所述磁性层的所述至少表面层部分的去除。(6)根据上述(3)到(5)中任一项的制造磁记录介质的方法，还包括以下步骤(F’ )将已在步骤(F)中通过去除所述磁性层的所述表面层部分而暴露的所述磁 性层的每一个区域先暴露到含氟气体离子且然后暴露到氧气离子的步骤。(7)根据上述(1)到(6)中任一项的制造磁记录介质的方法，其中，通过使用压模 的转移印刷来执行步骤(D)中的在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的所述负图形。(8)根据上述(1)到(7)中任一项的制造磁记录介质的方法，还包括(G)在步骤(F)和可能存在的步骤(F’ )之后去除所述抗蚀剂层的剩余部分和所 述碳层的剩余部分的步骤。(9)根据上述(8)的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(C)中由SiO2M料或含 SiO2的材料形成所述抗蚀剂层，并且在步骤(G)中通过使用O2气体的干法蚀刻去除所述碳 层的剩余部分。(10)根据上述(9)的制造磁记录介质的方法，还包括(H)在步骤(G)之后，通过使用惰性气体蚀本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，该方法的特征在于包括依次执行的下列步骤（Ａ）到（Ｆ）：（Ａ）在非磁性基底上形成磁性层的步骤；（Ｂ）在所述磁性层上形成碳层的步骤；（Ｃ）在所述碳层上形成抗蚀剂层的步骤；（Ｄ）在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的负图形的步骤；（Ｅ）去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述抗蚀剂层的部分和所述碳层的部分的步骤；以及然后（Ｆ）去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的每一个区域中的所述磁性层的至少表面层部分的步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：福岛正人，坂胁彰，山根明，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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