表面处理方法及表面处理装置、曝光方法及爆光装置、以及元件制造方法制造方法及图纸

一种表面处理方法及表面处理装置、曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法，其中所述表面处理方法包括一动作，即为了减少具有拨液性表面的物体的表面能量，而在使所述物体表面与既定流体接触的状态下，对所述物体赋予能量的动作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术，是关于一物体的表面处理方法及表面处理装置、使基板曝光的 曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法。本专利技术，是根据2006年11月16日申请的日本特愿2006-310278号主张 优先权，将其内容援用于此。
技术介绍
在光刻工艺所使用的曝光装置中，已有如下述专利文献所揭示的通过液 体使基板曝光的液浸曝光装置。"专利文献l"国际公开第99/49504号小册子。以往，已于曝光装置设置供曝光用光照射的各种测量构件。液浸曝光装 置中，可考量于测量构件上形成液体的液浸区域，并通过所述液体将曝光用 光照射于测量构件的情形。所述情况下，即使在执行从例如测量构件表面除 去液体的动作后，当于所述测量构件表面残留有液体(例如液滴)时，有可能会 因所述残留的液体而产生各种不良情形。例如，有可能会因残留液体的气化导致放置曝光装置的环境(温度、湿度、 洁净度等)产生变化。当因残留液体的气化热导致温度产生变化时，即有可能 会使测量构件等构成曝光装置的各种构件产生热变形，或曝光用光对基板的 照射状态产生变化。又，亦有可能会因残留液体的气化而于各种构件形成液 体的附着痕迹(所谓水痕)。当此种不良情形发生时，即有可能导致曝光装置的 性能劣化，而发生曝光不良。又，不仅液浸曝光装置，使用液体来制造元件的制造装置、例如将包括感光材等的溶液涂布于基板上的涂布装置或使用显影液等使曝光后的基板显 影的显影装置等，当于构成所述这些制造装置的各种构件的表面残留有液体 时，亦有可能导致装置的性能劣化，而制造出不良元件。
技术实现思路
本专利技术有鉴于上述情事，其目的在于提供能抑制液体残留于物体表面的 表面处理方法及表面处理装置。又，其目的在于提供能抑制液体残留于物体 表面而产生曝光不良的曝光方法及曝光装置。又，其目的在于提供能抑制不 良元件产生的元件制造方法。为解决上述课题，本专利技术是采用对应实施形态所示的各图的以下构成。 不过，付加于各要素的包括括弧的符号仅是所述要素的例示，而并非限定各 要素。根据本专利技术的第1态样，是提供一种物体(S)的表面处理方法，所述物体 (S)具有拨液性的表面，其包括为了减少物体(S)的表面能量，而在使物体(S)表面与既定流体接触的状态下，对物体(s)赋予能量的动作。根据本专利技术的第l态样，能抑制液体残留于物体表面。根据本专利技术的第2态样，是提供一种物体(S)的表面处理方法，所述物体 (S)具有以拨液性的膜(Sf)形成的表面，其包括为了使拨液性已降低的膜(Sf) 的拨液性恢复，而在使膜(Sf)与既定流体接触的状态下，对膜(Sf)照射紫外光 (Lu)的动作。根据本专利技术的第2态样，能抑制液体残留于物体表面。 根据本专利技术的第3态样，是提供一种物体(S)的表面处理装置(80A， 80B, 80C，80D)，所述物体(S)具有拨液性的表面，所述装置具备供应既定流体以 与物体(S)表面接触的流体供应装置(81);以及为了减少物体(S)的表面能量， 而在使物体(S)表面与既定流体接触的状态下，对物体(S)赋予能量的能量供应 装置(82A, 82B, 82C, IL)。根据本专利技术的第3态样，能抑制液体残留于物体表面。根据本专利技术的第4态样，是提供一种曝光方法，是通过液体(LQ)对基板(P)照射曝光用光(EL)以使基板(P)曝光，其包括以上述态样的表面处理方法，处理配置在曝光用光(EL)可照射的位置的物体(S)的表面的动作。 根据本专利技术的第4态样，能抑制曝光不良发生。根据本专利技术的第5态样，是提供一种曝光方法，是通过液体(LQ)对基板(P) 照射曝光用光(EL)以使基板(P)曝光，其包括在使配置在曝光用光(EL)可照 射的位置的物体(S)的表面与液体(LQ)接触的状态下，通过液体(LQ)对物体(S) 表面照射曝光用光(EL)的动作；以及为了减少因在与液体(LQ)接触的状态下被 照射曝光用光(EL)而增大的物体(S)的表面能量，而在使物体(S)表面与既定流 体接触的状态下，对物体(S)赋予能量的动作。根据本专利技术的第5态样，能抑制曝光不良发生。根据本专利技术的第6态样，是提供一种元件制造方法，其使用上述态样的 曝光方法。根据本专利技术的第6态样，能抑制不良元件产生。根据本专利技术的第7态样，提供一种曝光装置(EX)，是通过液体(LQ)对基 板(P)照射曝光用光(EL)以使基板(P)曝光，其具备上述态样的表面处理装置 (80A, 80B， 80C, 80D)。根据本专利技术的第7态样，能抑制曝光不良发生。根据本专利技术的第8态样，提供一种曝光装置(EX)，是通过液体(LQ)对基 板(P)照射曝光用光(EL)以使基板(P)曝光，其具备物体(S)，是在与液体(LQ) 接触的状态下被曝光用光(EL)照射；以及表面处理装置(80A, 80B, 80C, 80D)， 为了减少因在与液体(LQ)接触的状态下被照射曝光用光(EL)而增大的物体(S) 的表面能量，而在使物体(S)表面与既定流体接触的状态下，对物体(S)赋予能根据本专利技术的第8态样，能抑制曝光不良发生。根据本专利技术的第9态样，是提供一种元件制造方法，其使用上述态样的 曝光方法。根据本专利技术的第9态样，能抑制不良元件产生。根据本专利技术，能抑制液体残留于物体表面。又，根据本专利技术，能抑制因 液体残留于物体表面而导致的曝光不良的产生。又，根据本专利技术，能抑制因 液体残留于物体表面而导致的不良元件的产生。附图说明图1是显示第1实施形态的曝光装置的概略构成图。图2是放大图1的一部分的侧截面图。图3是显示基板载台及测量载台的立体图。图4是从上方观看基板载台及测量载台的俯视图。图5是显示基准板附近的侧截面图。图6是显示狭缝板附近的侧截面图。图7是用以说明作为构件表面特性的指标的参数的示意图。图8是显示为了确认曝光用光的照射量与构件表面特性的关系而进行的实验结果的图。图9是显示第1实施形态的表面处理装置的概略构成图。图IO是被曝光用光照射的膜的示意图。图U是以第1实施形态的表面处理方法处理的膜的示意图。图12是说明第1实施形态的表面处理方法的效果的示意图。图13是为了确认第1实施形态的表面处理方法的效果而进行的实验结果的示意图。图14是显示第2实施形态的表面处理装置的概略构成图。 图15是显示第3实施形态的表面处理装置的概略构成图。 图16是显示第4实施形态的表面处理装置的概略构成图。图17是显示第5实施形态的表面处理装置的概略构成图。 图18是用以说明设于构件的温度感测器的示意图。图19是用以说明微型元件的工艺例的流程图。附图标号1 基板载台2 测量载台5 驱动系统6 测量系统8 第1光学元件9 第2光学元件30 嘴构件31 供应口32 回收口 50 基准板 50f， 60f， 70f, Sf， Tf 膜60 狭缝板70 上板80A 80D 表面处理装置81 流体供应装置82A 82D 能量供应装置EL 曝光用光EX 曝光装置IL 照明系统LQ 液体LS 液浸空间Lu 紫外光P 基板 S 构件 T 板构件具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施形态，但本专利技术并不限定于此。此外，以下说明中，是设定XYZ正交座标系统，并参照此XYZ正交座标系统说明 各构件的位置关系。又，将在水平面内的既定方向设为X轴方向，将在水平 面内与X轴方向正交的方向设为Y本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种物体的表面处理方法，其特征在于，所述物体具有拨液性的表面，所述方法包括：　为了减少所述物体的表面能量，而在使所述物体表面与既定流体接触的状态下，对所述物体赋予能量的动作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷裕久，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]