清洁方法、设备和清洁系统技术方案

本发明专利技术公开了一种用以清洁设备的光学元件的方法，该设备构建成将辐射束投影到衬底的目标部分上，该设备包括按序列设置在辐射束路径上的多个光学元件，其中清洁方法包括：使用比该序列中一个或更多个第一光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段清洁该序列中的一个或更多个第二光学元件，第二光学元件在该设备运行过程中接收一个或更多个相对低的第二辐射剂量，第一光学元件在该设备运行过程中接收一个或更多个第一辐射剂量，第二辐射剂量低于每一个相对高的第一辐射剂量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁方法、设备和清洁系统本专利技术涉及一种清洁方法、 一种设备和一种清洁系统。光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述ic的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。在设备运行过程中光学元件表面(例如在极紫外(EUV)光刻设备中)会经历污染物生长(例如碳化物)。这样的污染物可能会由光学表面的环境引入(例如，真空环境、抗蚀剂、辐射源等)。在EUV光刻设备中，通常多层反射镜提供这些光学表面。为了去除这些污染物，需要清洁这些光学部件。清洁方法的示例是基于在光学路径上用由例如热丝产生的原子氢清洁反射镜。根据实施例，提供一种用以清洁设备的一个或更多个光学元件的方法，所述设备构建成将辐射束投影到衬底的目标部分上，并包括按序列排列在辐射束路径上的多个光学元件，其中所述方法包括使用比所述序列中第一光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段清洁所述序列中 的第二光学元件，所述第二光学元件在所述设备运行过程中接收第二辐射 剂量，所述第一光学元件在所述设备运行过程中接收第一辐射剂量，所述 第二辐射剂量低于所述第一辐射剂量。例如，所述清洁方法包括使用比所述序列中的一个或更多个第一光 学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段清洁所述序列中的一个 或更多个第二光学元件，所述一个或更多个第一光学元件在所述设备运行 过程中接收一个或更多个第一辐射剂量，所述一个或更多个第二光学元件 在所述设备运行过程中接收一个或更多个相对低的第二辐射剂量，第二辐 射剂量比每个相对高的第一辐射剂量低。根据另一实施例，沿所述辐射束的路径看，所述第二光学元件位于所 述第一光学元件的下游。此外，在实施例中，所述方法还包括提供辐射剂量信息，所述信息 包括或涉及在所述设备运行过程中所述第二光学元件接收的辐射量；和提 供用于清洁所述第二光学元件的清洁周期，使得有关所述第二光学元件的 清洁周期的长度与所述第二光学元件的所述辐射剂量信息相互关联。优选地，所述方法包括在所述设备的运行周期之间应用不同的清洁周 期，其中在一个或更多个所述清洁周期过程中仅所述第一光学元件被清洁，而所述第二光学元件不被清洁。此外，根据实施例，所述设备包括支撑结构，其构造成将图案形成装 置保持在辐射束路径中图案形成装置位置上，其中沿所述辐射束的传播方 向看，所述第一光学元件优选位于所述图案形成装置位置的上游，并且所 述第二光学元件优选位于所述图案形成装置位置的下游。在有利的实施例中，所述第一光学元件接收第一辐射剂量的EUV辐射，并且所述第二光学元件接收第二辐射剂量的EUV辐射。根据实施例，提供一种器件制造方法，包括使用光学元件序列将辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述光学 元件接收不同的辐射剂量，并且所述光学元件的污染速率与所述辐射剂量 相互关联；执行多个清洁周期以清洁至少一个所述光学元件，每个清洁周期包括基于所述光学元件接收的辐射剂量清洁所述序列的光学元件，使得已经接 收了低辐射剂量的光学元件相对于已经接收了高于所述低辐射剂量的辐 射剂量的光学元件，在更短的时间周期内或以更少频次进行清洁。根据实施例，提供一种设备，包括照射系统，其构建成调节辐射束；支撑结构，其构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图 案在所述辐射束横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束； 衬底台，其构造成保持衬底；投影系统，其构建成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；禾口清洁系统，其构建成清洁所述设备的一个或更多个光学元件，所述清 洁系统构建成在比所述照射系统的光学元件的累积清洁时间段更短的累 积清洁时间段内清洁所述投影系统的光学元件。根据实施例，提供一种适于清洁设备的一个或更多个光学元件的清洁 系统，所述光学元件排列在由所述设备执行的处理过程中用到的辐射束的 路径中，其中所述清洁系统构建成依赖于所述处理过程中这些元件中的每 一个接收到的辐射量，仅清洁排列在所述辐射束路径中的一个或几个所述 光学元件。根据优选的实施例，所述清洁系统还包括存储器，所述存储器存储(i) 辐射信息，其包括或涉及在所述设备运行过程中所述光学元件中的一个或 更多个接收的辐射量，或(ii)用于清洁一个或更多个所述光学元件的清 洁周期，与光学元件相关的所述清洁周期的长度与光学元件的各个辐射剂 量信息相互关联，或(iii)用于清洁一个或更多个光学元件的清洁处理的 清洁速率，或(iv) (i) - (iii)的任何组合，其中所述清洁系统构建成使 用所述辐射信息、或所述清洁周期、或所述清洁速率、或它们的任何组合， 以清洁所述一个或几个光学元件，例如在各个清洁周期内。例如，所述清洁系统包括或耦合到辐射损失探测器，所述辐射损失探 测器构建成探测通过一个或更多个所述光学元件的辐射的辐射损失，并且 其中所述清洁系统适于在所探测的辐射损失达到特定量的辐射损失的情 况下，自动地启动清洁周期以清洁至少一个所述光学元件。所述清洁系统可以例如包括或耦合到污染物探测器，所述污染物探测 器构建成探测至少一个所述光学元件的污染物，并且所述清洁系统适于当 所述污染物达到特定量的污染物时自动地启动清洁周期以清洁至少一个 所述光学元件。在非限定的优选的实施例中，所述清洁系统构建成在比一个或更多个 其他所述光学元件的累积清洁时间段短100倍的累积清洁时间段内清洁一 个或更多个所述光学元件。此外，例如，所述清洁系统可以构建成依赖于所述处理过程中这些元件中的每一个接收到的EUV辐射量，仅清洁排列在所述辐射束路径中的一个或几个所述光学元件。下面仅通过例子，结合附图对本专利技术的实施例进行描述，其中相应的附图标记表示相应的部件，在附图中 附图说明图1示出光刻设备的实施例；图2示意地示出光学元件序列和清洁系统的一部分的实施例； 图3示意地示出清洁方法的实施例的流程图；和 图4示意地示出清洁方法的另一实施例的流程图。图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。图2显示了其中另一实施例。所述光刻设备包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束PB(例如，紫外(UV)，特别地，实质上包括极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其配置用于支撑图案形成装置(例如 掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀 剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以清洁设备的一个或更多个光学元件的方法，所述设备构建成将辐射束投影到衬底的目标部分上，并且包括按序列排列在所述辐射束路径上的多个光学元件，其中所述方法包括步骤：　使用比所述序列中第一光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段清 洁所述序列中的第二光学元件，其中所述第二光学元件在所述设备运行过程中接收第二辐射剂量，所述第一光学元件在所述设备运行过程中接收第一辐射剂量，所述第二辐射剂量低于所述第一辐射剂量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DH厄姆，JHJ莫尔斯，BT沃尔斯克利基恩，MGH梅杰里恩克，T斯蒂恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，卡尔蔡斯SMT股份公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]