感光性粘接剂制造技术

本发明专利技术的感光性粘接剂，其是通过曝光及显影来形成图案后对于被粘接物具有粘接性、可以碱显影的感光性粘接剂，用于具有以下工序的半导体装置１００的制造方法，所述工序是：通过曝光及显影将设置于半导体芯片２０的电路面上的感光性粘接剂１形成图案的工序，和将其他的半导体芯片２１与形成图案后的所述感光性粘接剂１直接粘接的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及感光性粘接剂。
技术介绍
在具有层叠有多个半导体芯片的多层构成的半导体装置中，通常使用芯片焊接用 的粘接剂将半导体芯片相互粘接。要求该粘接剂具有低应力性、低温下的粘附性、耐湿可靠 性及耐焊接回流性这样的各种特性。在具有多层构成的半导体装置的制造中，通常在设置于下层半导体芯片的电路面 的缓冲涂膜和位于其上层的半导体芯片之间配置芯片焊接用的粘接剂，从而将半导体芯片 相互粘接。半导体芯片的缓冲涂膜，以形成焊盘露出的开口的形式使用感光性树脂来形成 图案。另一方面，提出了几个兼具感光性和粘接性的感光性粘接剂的方案(参照专利文 献1 3) O专利文献1 日本特开2000-290501号公报专利文献2 日本特开2001-329233号公报专利文献3 日本特开平11-24257号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题要求使具有多层构成的半导体装置进一步变薄，但难以通过以往的方法进一步薄 型化。另外，半导体芯片的层叠数变多时，也存在工序数变多、制造工艺复杂化这样的问题。 进而，如上所述，在具有层叠有多个半导体芯片的多层构成的半导体装置中，半导体芯片间 的层构成，由于形成芯片焊接层和缓冲涂层的2层，因此两者的界面粘接性不充分时，或者 由两者的热变形的差产生应力时，都存在半导体装置的可靠性降低的问题。因此，本专利技术的目的在于，使具有多层构成的半导体装置的进一步薄型化成为可 能，同时减少半导体装置制造的工序数。另外，本专利技术目的还在于提高得到的半导体装置的 可靠性。解决课题的手段本专利技术涉及通过曝光及显影来形成图案后具有对于被粘接物的粘接性(再粘接 性)、且能够碱显影的感光性粘接剂。本专利技术的感光性粘接剂，用于具有以下工序的半导体 装置的制造方法，所述工序是通过曝光及显影将设置于半导体芯片的电路面上的该感光 性粘接剂形成图案的工序，和将其他的半导体芯片与形成图案后的所述感光性粘接剂直接 粘接的工序。形成图案后的上述感光性粘接剂可以是缓冲涂膜。另外，上述缓冲涂膜，不仅 具有应力缓和功能，还包含作为半导体电路表面保护膜的功能。上述本专利技术的感光性粘接剂，兼具作为芯片焊接用的粘接剂的功能和形成已形成 了图案的绝缘树脂膜的功能。通过使用本专利技术的感光性粘接剂，没有必要设置半导体芯片上的绝缘树脂膜以外的另外的粘接层，因此具有多层构成的半导体装置的进一步薄型化成 为可能，同时也能够减少半导体装置制造的工序数。另外，本专利技术的感光性粘接剂，如上所 述，单层即可兼具作为芯片焊接用的粘接剂的功能和作为形成已形成了图案的绝缘树脂膜 的感光性树脂的功能，因此没有以往由芯片焊接层和缓冲涂层的2层构成产生的界面。由 此，没有由上述界面粘接性的不良而产生的剥离的问题、以及由两者的热变形的差产生应 力的问题。因此，可大幅度改善所得到的半导体装置的耐热、耐湿及连接可靠性。上述本专利技术的感光性粘接剂，优选含有碱可溶性聚合物、放射线聚合性化合物和 光聚合引发剂。由此，特别容易赋予感光性粘接剂在通过曝光及显影来形成图案后对于被 粘接物的粘接性。由同样的观点出发，更优选碱可溶性聚合物具有羧基或酚性羟基。碱可溶性聚合物的玻璃化转变温度优选为150°C以下。由此，能够在更低的温度下 将感光性粘接剂设置于半导体晶片或支持构件等被粘接物上。碱可溶性聚合物优选为聚酰亚胺。聚酰亚胺优选为使四羧酸二酐与二胺反应而得 到的，所述二胺包括分别由下述化学式(I-a)、(I-b)、(ΙΙ-a)、(II_b)及(II_C)表示的芳 香族二胺中的至少一种。[化1] 本专利技术的感光性粘接剂，优选进一步含有热固化性树脂。感光性粘接剂可以是薄膜状。专利技术的效果通过本专利技术，具有多层构成的半导体装置的进一步薄型化成为可能。另外，通过本 专利技术，能够减少半导体装置制造的工序数。进而，通过本专利技术，能够进一步提高所得到的半 导体装置的可靠性。附图说明[图1]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。[图2]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。[图3]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的平面图。[图4]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。[图5]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。[图6]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。[图7]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。符号说明1...薄膜状的感光性粘接剂(粘接薄膜)、2...半导体晶片、5...复合薄膜、 7...支持基材、11...开口、20、21...半导体芯片、25...电路面、30...芯片焊接材料、 40...切割带、90...切割线、100...半导体装置。具体实施例方式以下，对于本专利技术的适合实施方式进行详细说明。但是，本专利技术并不限定于以下实 施方式。图1、2、3、4、5及6表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图或平面图。 本实施方式的半导体装置的制造方法，具有以下工序在半导体晶片2内形成的半导体芯 片20的电路面25上设置薄膜状的感光性粘接剂(以下根据情况称为“粘接薄膜”。)1的 工序(图1 (a)、(b))；通过曝光及显影使设置于半导体芯片20的电路面25上的薄膜状的 感光性粘接剂1形成图案的工序(图1(c)、图2(a))；由与电路面25相反侧的面来研磨半 导体晶片2而使半导体晶片2变薄的工序(图2(b))；通过切割将半导体晶片2切分成多 个半导体芯片20的工序(图2 (c)、图4 (a))；拾取半导体芯片20安装于半导体装置用的板 状的支持基材7的工序(图4(b)，图5(a))；将第二层的半导体芯片21直接粘接于感光性 粘接剂1的工序，所述感光性粘接剂1在安装于支持基材7的半导体芯片20的电路面上形 成图案(图5(b))；以及将各半导体芯片20、21与外部连接端子连接的工序(图6)。在图1 (a)表示的半导体晶片2内，形成通过切割线90区分的多个半导体芯片20。 在该半导体芯片20的电路面25侧的面上设置薄膜状的感光性粘接剂1 (图1 (b))。准备预 先成形为薄膜状的感光性粘接剂1，将其粘附于半导体晶片2的方法简便。另外，也可通过 以下方法来设置感光性粘接剂1，所述方法是使用旋涂法等将含有感光性粘接剂1的液状 的清漆涂布于半导体晶片2并加热干燥的方法。感光性粘接剂1，其是在通过曝光及显影而形成图案后对于被粘接物具有粘接性， 能够碱显影的负型的感光性粘接剂。更详细地说，通过曝光及显影使薄膜状的感光性粘接 剂1形成图案而形成的抗蚀剂图案，具有对于半导体芯片及基板等被粘接物的粘接性。例 如根据需要将被粘接物一边加热一边压接于抗蚀剂图案，由此能够将抗蚀剂图案与被粘接 物粘接。对于具有该功能的感光性接着剂的详细情况如后述。对层叠于半导体晶片2的感光性粘接剂1，通过在规定的位置形成开口的掩模3照 射活性光线(典型的是紫外线)(图1 (C))。由此感光性粘接剂1以规定的图案被曝光。曝光后，通过使用碱显影液的显影除去感光性粘接剂1中没有曝光的部分，以形成开口 11的形式感光性粘接剂1形成图案(图2(a))。另外，也可使用正型的感光性粘接 剂代替负型，此时薄膜状的感光性粘接剂中曝光的部分通过显影来除去。图3表示感光性粘接剂1形成图案后的状态的平面图。在开口 11处露出半导体 芯片20的焊盘。即，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光性粘接剂，其是通过曝光及显影而形成图案后对于被粘接物具有粘接性、且能够碱显影的感光性粘接剂，用于具有以下工序的半导体装置的制造方法，所述工序是：通过曝光及显影将设置于半导体芯片的电路面上的该感光性粘接剂形成图案的工序，和将其他的半导体芯片与形成图案后的所述感光性粘接剂直接粘接的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-12-4 2007-313886一种感光性粘接剂，其是通过曝光及显影而形成图案后对于被粘接物具有粘接性、且能够碱显影的感光性粘接剂，用于具有以下工序的半导体装置的制造方法，所述工序是通过曝光及显影将设置于半导体芯片的电路面上的该感光性粘接剂形成图案的工序，和将其他的半导体芯片与形成图案后的所述感光性粘接剂直接粘接的工序。2.根据权利要求1所述的感光性粘接剂，其中，形成图案后的所述感光性粘接剂为缓 冲涂膜。3.根据权利要求1所述的感光性粘接剂，其含有碱可溶性聚合物、放射线聚合性化合 物和光聚合引发剂。4.根据权利要求3所述的感光性...

【专利技术属性】
技术研发人员：增子崇，川守崇司，满仓一行，加藤木茂树，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]