用于减少由基片处理弯液面留下的进入和/或离开的痕迹的载具制造技术

描述一种载具，用于在由上部和下部临近头形成的弯液面处理期间支撑基片。该载具包括具有尺寸设为容纳基片的开口的框架，和多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销。该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙。提供减少进入和／或离开痕迹的大小和频次的构造，该构造帮助和促进来自该弯液面的液体排出该间隙。还提供减少进入和／或离开痕迹的大小和频次的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少由基片处理弯液面留下的i4^和/或离开的痕迹的载具背景4支术在半导体芯片制造工业中，在制造工序进行后必须清洁制造工序的示例包括等离子蚀刻(例如，钨回蚀(WEB))和化学 机械抛光(CMP)。在CMP中，基片设在夹具中，其将基片表面抵 着抛光表面。该抛光表面使用由化学制剂和研磨材料组成的浆液。 不幸的是，CMP工艺往往会在基片表面留下浆液颗粒的聚集物和残 余物。如果留在基片上，这些不该有的残余材#+和颗粒会产生缺陷。 在有些情况下，某些缺陷会使得基片上的器件不能工作。在制造工 序之后清洁基片去除不该有的残余物和纟鼓粒。在基片湿法清洁之后，基片必须有效地干燥以防止水或 者清洁流体(下文中称为流体)残留部分在基片上留下残余物。 如果允许基片表面上清洁流体蒸发，如通常在液滴形成所发生的， 那么之前溶解在该流体中的残余物或污染物会在蒸发后留在基片 表面上并形成斑点。为了防止蒸发发生，必须尽可能快地去除清洁 流体而不会在基片表面上形成液滴。在一种实现上述目的的尝试 中，采用多个不同的干燥技术之一，如离心干燥(spin-drying )、 IPA 或马兰格尼(Marangoni)干燥。所有这些干燥技术都采用某种形式 的在基片表面上的移动液体/气体分界面，如果正确的保持这个分界 面，就可以干燥基片表面而不会形成斑点。不幸的是，如果该移动液体/气体分界面崩溃，正如所有前面提到的干燥方法经常发生的那 样，就会形成液滴并且发生蒸发，导致污染物留在基片表面。鉴于前面所述，需要改进的清洁系统和方法，其4是供有 效清洁的同时降低留下干燥的流体液滴痕迹的可能性。
技术实现思路
大体上说，本专利技术通过提供多种用于减小由基片处理弯 液面留下的干燥流体液滴导致的进入和/或离开痕迹的技术满足这些需求。应当认识到，本专利技术可以许多方式实现，包括工艺、设 备、系统、装置或方法。下面描述本专利技术多个创新性实施例。在一个实施例中，4是供一种用于在由上部和下部临近头 形成的弯液面处理期间支撑基片的载具。该载具包括框架，其具有 尺寸设为容纳基片的开口 ，以及多个在该开口内支撑该基片的支撑 销。该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙。提 供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造(means ),该构造帮 助和促进来自该弯液面的液体4非出该间隙。在另 一实施例中，提供一种使用由上部和下部临近头形 成的弯液面处理基片的方法。将基片设在载具上，其具有尺寸设为 容纳基片的开口和多个在该开口内支撑该基片的支撑销。该开口稍 大于该基片乂人而在该基片和该开口之间存在间隙。通过促进来自该 弯液面的液体排出该间隙而减少进入和/或离开痕迹至少之一 的大 小和频次。由于本受让人介绍了移动由在清洁、处理和干燥半导体晶片中4吏用的临近头产生的弯液面的用途，就可能以非常^f氐的在该 基片表面上形成液滴的风险润湿和干燥基片。这个才支术对防止任何 液滴在去除该弯液面后留在该晶片的有效器件区域是非常成功的。出区域上、在进入和/或离开位置留下小液滴。该排出区域是该基片 的边缘，其从该有效器件区域延伸至该基片的周界，在那里没有升i夕成孩t电子结构。有时，进入和离开痕迹会变成主要的表面痕迹，尤 其是在亲水性的晶片上。所以，优选是减少或消除这种进入和/或离 开痕迹的情况。本专利技术的优点将在下面结合附图、作为本专利技术示例说明的具体描述中变得更加明显。附图说明通过下面结合附图的详细描述将容易理解本专利技术，以及类似的参考标记标示类似的结构元件。图1是临近头设备的示范性实现的立体视图。 图2示出上部临近头的示意性表示。图3A、 3B、 3C和3D说明离开由上部和下部临近头产生的弯液面的基片。图4示出载具和基片之间间隙的立体视图。 图5示出正在完成向载具的寿争移的弯液面的4黄断面图。图6A 、 6B和6C示出载具的示范性实施例的立体/剖面— 见 图，具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，该构造包括 在邻近基片前缘和后缘的唇缘部的厚度减小。图7A、 7B、 7C和7D示出载具的可选实施例，具有减少 进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，其包括在基片的前缘和后 缘附近的挖去部分。图8A、 8B、 8C和8D示出载具的可选实施例，该载具具 有减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，其包括在基片后缘 附近的亲水表面。图9A和9B示出具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频 次的构造的载具，这些构造包括至少一个邻近该基片的前缘和后缘 之一或两者的真空端口 。图10示出 一 示范性构造的立体一见图，该构造恰好在该弯 液面完全转移离开基片到载具上时向真空端口施加吸力。图11 A和11B示出减少进入和/或离开痕迹的大小和频次 的构造的第一可选实施例，该构造包括多孔边缘。具体实施例方式在下面的描述中，阐述许多具体细节以4是供对本专利技术的 书刀底理解。然而，对于本4贞i或才支术人员，显然，本专利技术可不利用这 些具体细节的一些或者全部而实施。在有的情况下，/>知的工艺步 骤和/或结构没有说明，以避免不必要的混淆本专利技术。这里所使用的 术语弯液面指的是在某种程度上由液体的表面张力划界并封闭 的 一定容积的液体。该弯液面还是可以控制的并且可以该封闭的形9状在表面移动。在具体的实施例中，该弯液面通过将流体传送到表 面同时还移动该流体而保持，乂人而该弯液面保持可控制。此夕卜，该 弯液面形状可通过^青确的流体传送及去除系统来控制，该系统可在 某种程度上与控制器、计算系统通过接口连接，它们可以形成网络连接。图1是临近头设备100—个示范性实现的立体视图。在这 个例子中，基片160位于载具150内，其包括具有中间开口的框架， 该开口的尺寸设为容纳基片160。载具150在箭头166的方向通过上 部临近头110和下部临近头120之间。上部和下部临近头IIO、 120在 它们之间形成流体的弯液面。载具150连接到一些设备(未示)用 以-使得载具150在箭头152的方向在上部和下部临近头110、 120之间 移动。在一个实施例中，在临近头IIO、 120—侧的第一位置将基片 160放置在载具150上，以及当载具150到达临近头110、 120相对侧 的第二位置时移走该基片。载具150然后向回穿过临近头110、 120， 或A人临近头llO、 120上方、下方或旁边回到该第一4立置，在那里》文 置下一个基片，并且重复该过程。载具150包括多个支撑销152 (在图7A示出)，每个具有 基片支撑和定心结构(未示)，以确保在基片160和载具150之间具 有一致的载具-基片间隙158。在一个实施例中，载具150在前侧 (leading side) 154和后侧(trailing side) 156具有斜边以防止在载 具150进入和离开该弯液面时弯液面液体的体积突然改变。例如， 载具150有六个边，其中两个前缘(leading edge) 157,每个与横向 倾4+角度0,例如15° ，并且共同形成中间点(centrally-located point), 以及对应的后缘(trailing edge ) 159每个形成角度0且共同形成中间 点。其他不会导致弯液面液体快速位移的形状也是可以的，如梯形 或平4亍四边形，其中前纟彖和后纟彖与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载具，用于在使该载具通过由上部和下部临近头形成的弯液面而处理基片时支撑基片，该载具包括：　框架，其具有尺寸设为容纳基片的开口和多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销，该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙；以及　用 于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造，该构造帮助和促进来自该弯液面的液体排出该间隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-9-29 11/537,5011. 一种载具，用于在使该载具通过由上部和下部临近头形成的弯液面而处理基片时支撑基片，该载具包括框架，其具有尺寸设为容纳基片的开口和多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销，该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙；以及用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造，该构造帮助和促进来自该弯液面的液体排出该间隙。2. 根据权利要求1所述的载具，其中该载具的形状设为当通过该弯-液面时该载具的前纟彖和后纟彖至少 一个与该弯'液面的前缘和后缘不平^亍。3. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造使得来自该弯液面的液体在该基片的前缘离开该弯液面后缘时离开该间隙，由此减少进入痕迹的大小禾p频;欠。4. 才艮据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造使得来自该弯液面的液体在该基片的后*彖离开该弯液面的后*彖时离开该间隙，由此减少离开痕迹的大小禾口频次。5. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造包括最接近该基片前缘或后缘至少一个的变薄的载具部分。6. 根据权利要求5所述的载具，其中该变薄的载具部分是连续的且围绕形成该载具中开口的内界延伸。7. 根据权利要求5所述的载具，其中该变薄的部分凭借该载具的上和下杀牛面逐)新变细成刀纟泉。8. 根据权利要求5所述的载具，其中该变薄的部分凭借该载具的上或下斜面之一逐渐变细成凿4奪。9. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造包括最接近该基片前缘或后缘至少一个的4t去部分。10. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分是凹口形状。11. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分是V形。12. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分包括多个狭缝或凹槽。13. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分是袋形。14. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造包4舌最4妾近该基片后舌彖的亲水性的表面。15. 根据权利要求14所述的载具，其中该亲水性的表面是由为该载具选择的亲水性的材料形成。16. 根据权利要求14所述的载具，其中该亲水性的表面通过利用亲水性的材料涂覆该载具形成。17. 根据权利要求14所述的载具，其中该载具整个上部...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特奥唐奈，埃里克伦兹，马克威尔考克森，迈克拉维肯，亚历山大A艾斯科尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]