【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于吸收静电的静电对策部件。
技术介绍
近年来,为了满足移动电话等电子设备的小型化、高性能化的要求,正在推进IC 进一步的微细化、高集成化,而另一方面,耐压性不断降低。即使是像人体与电子设备的端 子等接触时产生的静电放电电涌那样能量小的电涌,也会导致IC发生损坏或误动作。作为对策,目前在采用如下方法在静电侵入的布线与地之间设置静电对策部件, 使静电旁通来抑制对IC施加的高电压。静电对策部件具有这样的特性在通常状态下阻抗 值高,将电气阻断,但当施加了静电等的高压时,阻抗值下降,可使电气通过。作为具有这样 的特性的静电对策部件,公知有齐纳二极管、叠层压敏电阻器以及间隙放电元件等。专利文献1、2公开了现有的作为静电对策部件的间隙放电元件。间隙放电元件具 有具有空洞部的陶瓷坯体;埋设在陶瓷坯体中的一对放电用电极;以及分别与放电用电 极连接的端子电极。放电用电极经由空洞部而彼此相对。放电用电极通常处于断开状态,但 当施加了静电等的高电压时,在空洞部内,在放电用电极之间发生放电,从而有电流流过。从根本上讲,间隙放电元件与齐纳二极管、叠层压敏电阻器等其它静电对策部件 相比,寄生静电电容值很小。当具有大的寄生静电电容值的静电对策部件与信号线相连时, 在信号的频率高的情况下,信号质量劣化,因此,寄生静电电容值低的静电对策部件比较理 想。因此,间隙放电元件可与上述那样的信号线连接。另外,在发生放电的空洞部内只有空 气,不存在部件,因此,即使被施加了高电压的静电,陶瓷元件也不会受到损坏,与其它静电 对策部件相比,具有优势。然而,一对放电用电极隔开规定的间隔,于 ...
【技术保护点】
一种静电对策部件,该静电对策部件具有:陶瓷坯体,其内部具有空洞部;第1放电用电极,其埋设在所述陶瓷坯体中,具有露出于所述空洞部的部分;以及第2放电用电极,其埋设在所述陶瓷坯体中,具有露出于所述空洞部、且与所述第1放电用电极的所述部分隔开规定距离而相对的部分,其中,所述第1放电用电极和所述第2放电用电极由含有80%重量百分比以上的钨的金属构成,在所述第1放电用电极和所述第2放电用电极中,相对于钨的总量,与氧结合的钨的量为2.0%原子百分比以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-11-27 2007-305411;JP 2007-12-7 2007-316900一种静电对策部件,该静电对策部件具有陶瓷坯体,其内部具有空洞部;第1放电用电极,其埋设在所述陶瓷坯体中,具有露出于所述空洞部的部分;以及第2放电用电极,其埋设在所述陶瓷坯体中,具有露出于所述空洞部、且与所述第1放电用电极的所述部分隔开规定距离而相对的部分,其中,所述第1放电用电极和所述第2放电用电极由含有80%重量百分比以上的钨的金属构成,在所述第1放电用电极和所述第2放电用电极中,相对于钨的总量,与氧结合的钨的量为2.0%原子百分比以下。2.根据权利要求1所述的静电对策部件,其中,在所述第1放电用电极和所述第2放电用电极中,相对于钨的总量,与氧结合的钨的量 为1.8%原子百分比以下,所述第1放电用电极的所述部分的面积和所述第2放电用电极的所述部分的面积为 0. 01mm2 以上 1. 0mm2 以下,所述规定距离为5 ii m以上16 ii m以下。3.根据权利要求1所述的静电对策部件,其中,该静电对策部件还具有 与所述第1放电用电极连接的第1端子电极;以及与所述第2放电用电极连接的第2端子电极。4.根据权利要求1所述的静电对策部件,其中,所述陶瓷坯体含有从氧化铝、镁橄榄石、滑石、富铝红柱石、堇青石中选择的至少一种 陶瓷组成物。5.一种静电对策部件的制造方法,该制造方法包括 形成未烧结层叠体的步骤;以及在含有还原性气体的氮气氛中对所述未烧结层叠体进行烧结的步骤, 其中,形成未烧结层叠体的步骤包括在由陶瓷绝缘体构成的第1生片的上表面上,形成含有80%重量百分比以上的钨的第 1金属层的步骤;在所述第1金属层的上表面上,形成含有树脂球和浆状树脂的树脂层的步骤; 在所述树脂层的上表面上,形成含有80%重量百分比以上的钨的第2金属层的步骤;以及在所述第2金属层的上表面上,形成由陶瓷绝缘体构成第2生片的步骤, 对所述未烧结层叠体进行烧结的步骤包括对所述第1生片和所述第2生片进行烧结且使所述树脂浆挥发,由此形成内部具有空 洞部的陶瓷坯体的步骤;对所述第1金属层进行烧结,形成第1放电用电极层的步骤,该第1放电用电极层具有 露出于所述空洞部的部分;以及对所述第2金属层进行烧结,形成第2放电用电极层的步骤,该第2放电用电极层具有 露出于所述空洞部、且与所述第1放电用电极的所述部分隔开规定距离而相对的部分。6.根据权利要求5所述的静电对策部件的制造方法,其中,所述氮气氛含有0. 2%体积百分比以上的所述还原性气体。7.根据权利要求5所述的静电对策部件的制造方法,其中,所述第1放电用电极的所述部分的面积和所述第2放电用电极的所述部分的面积为 0. Olmm2 以上 1. Omm2 以下,所述规定距离为5 μ m以上16 μ m以下。8.根据权利要求5所述的静电对策部件的制造方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:胜村英则,德永英晃,沢田宗之,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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