ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板制造技术

本实用新型专利技术提供一种ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极、公共电极和薄膜晶体管，所述像素电极和／或公共电极上开设有使像素电极与公共电极之间形成具有多个方向水平电场的数个半环形槽。本实用新型专利技术提供的ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，通过将像素电极和／或公共电极设置成包括数个半环形槽的图形，像素电极与公共电极之间能够形成多个方向的水平电场，这样就能够提供多畴液晶工作模式，扩大视角，消除颜色漂移。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种边缘场效应(Fringe Field Switching，简称 FFS)型薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)阵列基板。
技术介绍
为了扩大IXD的视角，在IXD领域发展出了平面控制模式(In Plane Switching, 简称IPS) LCD。与扭曲向列(Twisted Nematic，简称TN)型LCD相比，IPS型LCD消除了扭 曲排列，具有极好的视角特性。然而，IPS型IXD的公共电极和像素电极设置在同一块基板上，而且像素电极是梳 状结构，公共电极和像素电极上加电时，部分液晶分子不发生旋转，开口率较低。为了提高 开口率，又发展出了 FFS型IXD。FFS型IXD中，将像素电极设置成平面电极，像素电极和公共电极之间形成的电 场，既有水平分量又有垂直分量，使得大多数液晶分子能够发生扭转，而且增加了像素电极 和公共电极之间的存储电容，从而提高了开口率。然而，目前FFS型IXD中，在一个子像素区域内，不同位置液晶分子受到的电场作 用大小不同，液晶分子偏转的角度大小也就不同，但是各个液晶分子都是以同一种方式在 偏转，不利于抵消液晶分子的光程差，从而不利于有效地消除颜色漂移(颜色漂移是指从 不同视角观察到的颜色不一致)。
技术实现思路
本技术提供一种FFS型TFT-IXD阵列基板，用以解决现有的FFS型IXD无法 有效消除颜色漂移的问题。本技术提供了一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线 和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极、公共电极和薄膜晶体管，所述像素电极和 /或公共电极上开设有使像素电极与公共电极之间形成具有多个方向水平电场的数个半环 形槽。其中，所述半环形槽可以开设在像素电极上，像素电极上的数个半环形槽包括开 口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一 半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，所述半环形槽可以开设在公共电极上，公共电极上的数个半环形槽包括开 口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三 半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，所述半环形槽可以开设在像素电极和公共电极上； 开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。 或者，开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形 槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一例。或者，开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形 槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个 第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽 或开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧， 数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽 和开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧， 数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽或开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。开设在所述像素电极上的半环形槽和开设在所述公共电极上的半环形槽可以相 互错开。其中，所述第一方向为与阵列基板的垂直线平行且朝向阵列基板顶端的方向；所 述第二方向为与阵列基板的垂直线平行且朝向阵列基板底端的方向。本技术提供的FFS型TFT-IXD阵列基板，通过将像素电极和/或公共电极设 置成包括数个半环形槽的图形，像素电极与公共电极之间能够形成多个方向的水平电场， 例如，在像素电极形成有半环形槽的部分，与数据线平行的部分能够与公共电极形成一种 方向的电场，与栅线平行的部分能够与公共电极形成另一种方向的电场，与数据线和栅线 成一定夹角的部分还能与公共电极形成其他方向的电场，这样就能够提供多畴液晶工作模 式，扩大视角，消除颜色漂移。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是 本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图Ia为本技术FFS型TFT -IXD阵列基板第一实施例的平面图；图Ib为图Ia中Al-Al向剖面图；图2a为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平 面图；图2b为图2a中A2-A2向剖面图；图3a为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平 面图；图3b为图3a中A3-A3向剖面图；图4a为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平 面图；图4b为图4a中A4-A4向剖面图；图5a为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第四次构图工艺后的平 面图；图5b为图5a中A5-A5向剖面图；图6为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例的平面示意图；图7为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第二次构图工艺后的平面 图；图8为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后的平面 图；图9为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第四次构图工艺后的平面 图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新 型实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描 述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施 例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于 本技术保护的范围。图Ia为本技术FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例的平面图，图Ib为图Ia 中Al-Al向剖面图。该实施例FFS型TFT-IXD阵列基板的结构包括栅线3a和数据线7c， 栅线3a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极、公共电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素电极和／或公共电极上开设有使像素电极与公共电极之间形成具有多个方向水平电场的数个半环形槽。

【技术特征摘要】
1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的子像素 区域内形成有像素电极、公共电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素电极和/或公共电 极上开设有使像素电极与公共电极之间形成具有多个方向水平电场的数个半环形槽。2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极上，像素电极上的数个半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧。3.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 公共电极上，公共电极上的数个半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。4.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开口朝 向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二 半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开口朝 向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第四 半环形槽设置在子像素区域的另一侧。5.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽，数个第一 半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第四 半环形槽设置在子像素区域的另一侧。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文兵，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[]