本发明专利技术公开了一种二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的制备方法。本发明专利技术以分析纯钛酸丁酯、柠檬酸、尿素和去离子水作为起始原料。将上述四种原料的混合物转移到高温反应釜（聚四氟乙烯内衬）内，在恒温干燥箱内在１８０～２３０℃下保温２０～３６小时，自然冷却到室温。所获得薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内在６０～８０℃下干燥２４个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜。本发明专利技术提供的水热反应条件下制备二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的方法简单可行，结果可重复性好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
二氧化钛作为一种重要的宽带隙半导体材料而受到广泛关注。一维纳米材料由于 其优良的性能而广泛应用在气体传感器、环境保护、场发射器和能源转化等领域。二氧化钛 纳米线相对二氧化钛纳米颗粒由于其优良的电子传输能力，而成为当前研究和工业开发的执占。目前报道的制备二氧化钛纳米线的方法主要包括水热法，模板法和电沉积法。其 中模板法主要存在两个问题，一是模板要先制备，这样无疑增加了制备二氧化钛纳米线的 工艺难度和成本；另外一个问题是模板去掉时会由于模板去除不干净而在制备二氧化钛纳 米线过程中引入杂质。电沉积工艺由于需要精确控制电沉积的电解液浓度，温度及电压等 因素，所产生的二氧化钛纳米线不够稳定，而出现工艺重复性差的缺点。而水热法由于工艺 简单，成本低而广泛被用来制备二氧化钛纳米线。然而，目前，利用水热法所报道获得的二 氧化钛纳米线存在的主要问题包括(1)合成出的二氧化钛纳米线大部分是多晶纳米线而 且不能自组装成薄膜；(2)合成的二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜需要借助基底材料诱导二 氧化钛成核生长；而且这种方法生长的二氧化钛单晶纳米线阵列厚度低于10微米。本专利技术 通过水热法获得了厚度大于10微米的二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜，解决了当前不能采 用最简单方法生长高质量薄膜的问题。这些问题的解决对今后实现二氧化钛纳米线应用在 高性能的光电器件中具有十分重要的意义。本专利技术提供了一种在水热反应条件获得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的方法。该 方法简单可行，结果可重复性好。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种工艺简单，可以一步合成二氧化钛单晶纳米线阵列薄 膜的制备方法。本专利技术以分析纯钛酸丁酯、柠檬酸、尿素和去离子水作为起始原料。将上述四种原 料的混合物转移到高温反应釜(聚四氟乙烯内衬)内，在恒温干燥箱内在180 230°C下保 温20 36小时，自然冷却到室温。所获得薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后 在干燥箱内在60 80°C下干燥M个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜。具体步骤为(1)分别称量0. 3 0. 6克尿素和1 3克柠檬酸并放入60毫升去离子水中常温 下搅拌混合均勻备用；(2)将1 4毫升的分析纯钛酸丁酯添加到步骤(1)的混合溶液中并持续搅拌 30 40分钟直至溶液澄清；(3)将步骤(2)获得的混合溶液全部转移到100毫升的高温反应釜内；(4)将步骤(3)的高温反应釜放入恒温干燥箱中在180 230°C下保温20 36 小时，自然冷却到室温制得薄膜；(5)将步骤(4)所制得的薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥 箱内在60 80°C下干燥M个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜，纳米线直径为 20 30纳米。本专利技术成本低、工艺控制过程简单、易大规模而成，制得的二氧化钛单晶纳米线阵 列薄膜厚度为13-16微米，其主要晶相为金红石型。附图说明图1为本专利技术实施例1制备的二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜扫描电镜形貌图。图2为本专利技术实施例1制备的二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜X射线衍射图。图3为本专利技术实施例1制备的二氧化钛单晶纳米线高分辨透射电镜形貌图及相应 的电子衍射花样图。具体实施例方式实施例1:(1)分别称量0. 3克尿素和2克柠檬酸并放入60毫升去离子水中常温下搅拌混合 均勻备用；(2)将2毫升的分析纯钛酸丁酯添加到步骤(1)的混合溶液中并持续搅拌30分钟直至溶液澄清；(3)将上述获得的混合溶液全部转移到100毫升的高温反应釜(聚四氟乙烯内 衬)内；(4)将步骤(3)的高温反应釜放入恒温干燥箱中在180°C下保温M小时，自然冷 却到室温；(5)将步骤(4)所获得的薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次。权利要求1. ，其特征在于具体步骤为(1)分别称量0.3 0. 6克尿素和1 3克柠檬酸并放入60毫升去离子水中常温下搅 拌混合均勻备用；(2)将1 4毫升的分析纯钛酸丁酯添加到步骤(1)的混合溶液中并持续搅拌30 40分钟直至溶液澄清；(3)将步骤( 获得的混合溶液全部转移到100毫升的高温反应釜内；(4)将步骤(3)的高温反应釜放入恒温干燥箱中在180 230°C下保温20 36小时， 自然冷却到室温制得薄膜；(5)将步骤(4)所制得的薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内 在60 80°C下干燥M个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜，纳米线直径为20 30纳米。全文摘要本专利技术公开了。本专利技术以分析纯钛酸丁酯、柠檬酸、尿素和去离子水作为起始原料。将上述四种原料的混合物转移到高温反应釜(聚四氟乙烯内衬)内，在恒温干燥箱内在180～230℃下保温20～36小时，自然冷却到室温。所获得薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内在60～80℃下干燥24个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜。本专利技术提供的水热反应条件下制备二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的方法简单可行，结果可重复性好。文档编号C30B7/10GK102086528SQ20101059030公开日2011年6月8日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日专利技术者李惠敏, 王海 申请人:桂林理工大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：（１）分别称量０．３～０．６克尿素和１～３克柠檬酸并放入６０毫升去离子水中常温下搅拌混合均匀备用；（２）将１～４毫升的分析纯钛酸丁酯添加到步骤（１）的混合溶液中并持续搅拌３０～４０分钟直至溶液澄清；（３）将步骤（２）获得的混合溶液全部转移到１００毫升的高温反应釜内；（４）将步骤（３）的高温反应釜放入恒温干燥箱中在１８０～２３０℃下保温２０～３６小时，自然冷却到室温制得薄膜；（５）将步骤（４）所制得的薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内在６０～８０℃下干燥２４个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜，纳米线直径为２０～３０纳米。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王海，李惠敏，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：45
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