切片及芯片键合带以及半导体芯片制造方法技术

本发明专利技术提供下述切片及芯片键合带，在对半导体晶片进行切片、并连同芯片键合膜一起拾取半导体芯片时，能够容易并且确实地拾取半导体芯片。一种切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为１～６Ｎ／ｍ的范围，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为０．３～２Ｎ／ｍｍ↑［２］。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于半导体芯片制造的切片及芯片键合带，具体而言，本 专利技术涉及贴合在半导体晶片上且在切片时和芯片键合时使用的切片及芯片 键合带以及使用该切片及芯片键合带的半导体芯片制造方法。
技术介绍
传统上，为了将半导体芯片从半导体晶片上切下并安装在基板等上， 使用芯片键合带。芯片键合膜的一面上贴合有半导体晶片，芯片键合膜的 相反面上贴合有切片膜。在切片时，半导体晶片被连同芯片键合膜一起切 片。在切片后，芯片键合膜从贴合有半导体芯片的切片膜上剥离，半导体 芯片被连同芯片键合膜一起取出。这样，半导体芯片从芯片键合膜侧被安 装在基板上。在切片时，为了稳定地进行切片，半导体晶片必须牢固地贴合在切片 膜上。与此相对，在切片后对半导体芯片进行拾取时，半导体芯片或贴合 有半导体芯片的芯片键合膜必须要能够无阻碍地从切片膜上剥离。因此， 已知有使用通过紫外线、放射线或光等的照射进行固化的粘合剂的切片膜 或切片及芯片键合膜。使用这种切片膜或切片及芯片键合膜时，在切片后 照射紫外线、放射线或光等使粘合剂固化，这样来降低粘合力。例如，在下述专利文件1中公开了在膜状粘合剂层的一面上层叠了放 射线固化型粘合剂层的切片及芯片键合带。膜状粘合剂层包含膜状粘合剂，所述膜状粘合剂含有(A)热塑性树脂、以及(B)以一定比例包含3官能团以上 的环氧树脂和液态环氧树脂的环氧树脂。该膜状粘合剂层相当于贴合在半 导体元件的一面的芯片键合膜。此外，放射线固化型粘合剂层相当于切片膜。另一方面，例如在下述非专利文件2中，公开了在基材上依次形成放 射线固化型粘合剂层和芯片键合膜层而得的切片及芯片键合带，其中，放 射线固化型粘合剂层包括粘合剂和放射线聚合性低聚物。作为切片膜的放射线固化型粘合剂层在经放射线固化后的弹性模量为O.l-lOMPa,芯片键合 膜层的弹性模量在25。C时为10 2000MPa、在260°C时为3 50MPa。此外，在下述专利文献3中公开了在基材上依次形成放射线固化型粘 合剂层和芯片键合膜层而得到的切片及芯片键合带。作为切片膜的放射线 固化型粘合剂层在经放射线固化后的弹性模量为0.1 10MPa，芯片键合膜层 的吸水率为1.5体积％以下，在250。C时的弹性模量为lOMPa以下。使用诸如专利文献1~3所述的切片及芯片键合带时，在半导体晶片上 贴合芯片键合膜层并进行切片，从而得到半导体芯片，然后对放射线固化 型粘合剂层进行放射线照射来使粘合剂层固化。此后，将粘合有半导体芯 片的芯片键合膜层从放射线固化型粘合剂层上剥离，并进行拾取。此外，在下述专利文献4中公开了紫外线固化型的切片及芯片键合带。 其中，按顺序层叠第1基材膜、粘合剂层、第2基材膜和芯片键合膜。芯 片键合膜是使用紫外线固化性树脂构成的。这里，在芯片键合膜表面粘合 半导体晶片，并进行切片。切片后，对芯片键合膜进行紫外线照射使之固 化，将半导体芯片连同固化后的膜状粘合剂一起取出。专利文献1:特开2004-292821号公报专利文献2:特开2002-226796号公报专利文献3:特开2002-158276号公报专利文献4:特开2004-349510号公报
技术实现思路
然而，当像专利文献1~4那样使用通过放射线或紫外线照射而固化的 粘合剂、芯片键合膜时，必须照射紫外线或放射线来降低粘合力(粘着力) 或贴合力(接着力)。因此，必须实施照射紫外线或放射线这样的繁杂的工序。 此外，用于照射紫外线或放射线的设备也是必需的。而且，紫外线固化型 树脂或构成放射线固化型粘合剂层的树脂是比较昂贵的。因此，制造成本 必然很高。此外，使用诸如专利文献1~3所述的使用了放射线固化型粘合剂的切 片及芯片键合带时，在切片时放射线固化型粘合剂层比较柔软。因此，在 切片时的切削性不充分，在切片后拾取半导体芯片时容易产生胡须状的切 削屑。因此，有些情况下不能切实地对半导体芯片进行拾取。此外，如果胡须状的切削屑附着于芯片键合膜或半导体芯片，则有些情况下不能朝向 正确且高精度地安装拾取的半导体芯片。而且，半导体晶片渐渐变薄，与此相伴，采用激光的切片得以广泛应 用。在采用激光照射进行切片时，通过紫外线、放射线等固化的粘合剂有 时会因激光照射而发生反应，熔粘在芯片键合膜上。如果由这样的粘合剂 构成的切片膜熔粘在芯片键合膜上，则有些情况下切片得到的半导体芯片 完全不能拾取。此外，即使是照射放射线，有些情况下也不能充分降低放射线固化型 粘合剂的粘合力。这种情况下，在将贴合有半导体芯片的芯片键合膜从放 射线固化型粘合剂层上剥离时，会对半导体芯片施加多余的力。因此，存 在半导体芯片损坏的隐患。在专利文献4所述的具有使用了紫外线固化型树脂的芯片键合膜的切 片及芯片键合带方面，有些情况下即使通过紫外线照射使芯片键合膜固化也不能充分降低芯片键合膜的粘合力。因此，与专利文献1 3的情况相同， 不能够容易地且无阻碍地将半导体芯片与芯片键合膜一起剥离。因此，会 对半导体芯片施加多余的力，存在半导体芯片损坏的隐患。鉴于上述现有技术的现状，本专利技术的目的是提供一种切片及芯片键合 带以及使用该切片及芯片键合带的半导体芯片制造方法，在对半导体晶片 进行切片，并连同芯片键合膜一起拾取半导体芯片时，通过所述切片及芯 片键合带可以容易地且切实地连同芯片键合膜一起对半导体芯片进行拾 取，而不需要照射紫外线、光等这样的繁杂操作。根据本专利技术，提供一种切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来 得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，该切片及芯片键 合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的 一 面上的非粘性膜，所述芯 片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为1 6N/m的范围，并且所述芯片 键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为0.3 2N/mm2。而且，在所述非粘性膜的贴附有芯片键合膜的面的相反侧的面上贴附 有切片时的切片膜，来进行切片。本专利技术的"切片及芯片键合带，，是用于 切片和芯片键合的带，其组合了上述芯片键合膜和非粘性膜作为必要结构， 可以具有切片膜，也可以不具有切片膜。当切片及芯片键合膜不具有切片 膜时，在切片时另外准备切片膜并进行贴附，来进行切片。在这种情况下，切片及芯片键合带即使在切片时也可以使用，因此，其是切片及芯片键合带。在本专利技术的切片及芯片键合带的 一个指定实施方式中，所述非粘性膜在其断裂点的伸长率为10 100%的范围或者580~1200%的范围。在本专利技术的切片及芯片键合带的其它指定实施方式中，所述非粘性膜 在拾取时的温度下的弹性模量为1 400MPa的范围。在本专利技术的切片及芯片键合带的其它指定实施方式中，所述非粘性膜 在拾取时的温度下的储能模量为l~400MPa的范围，并且其在所述断裂点的 伸长率为5~100%的范围。在本专利技术的切片及芯片键合带的其它指定实施方式中，所述非粘性膜 的与所述芯片键合膜贴附的面的表面能为40N/m以下。在本专利技术的切片及芯片键合带的其它指定实施方式中，所述非粘性膜 包含固化性树脂组合物的交联和固化物。在本专利技术的切片及芯片键合带的其它指定实施方式中，所述非粘性膜 的主成分为(曱基)丙晞酸酯聚合物，该(曱基)丙烯酸酯聚合物具有烷基，该 烷基的碳原子数为1~18。优选所述(曱基)丙烯酸酯聚合物的酸值为2以下。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，　该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，　所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为１～６Ｎ／ｍ的范围 ，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为０．３～２Ｎ／ｍｍ↑［２］。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部功治，正原和幸，松田匠太，福冈正辉，竹部义之，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]