材料制造方法技术

根据本发明专利技术，提供一种材料制造方法，其中，以使氧分子１１透过到处理对象物１０的状态对处理对象区域Ａ照射１２７０ｎｍ的激光Ｌ，使单重态氧产生，用该产生的单重态氧切断处理对象区域Ａ中的材料的分子结构的键，由此使聚合反应或取代反应进行，使处理对象物１０的分子量变化，制造目标材料，因此，即使不进行热处理也可以使用活化氧仅在处理区域Ａ使处理对象物的特性变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，所述中，使聚合反应或取代反应进行，使材料的分子量变化，从而制造目标材料。
技术介绍
目前，已知有如下方法通过热处理，使与通常的氧分子(02)相比进一步活化了的 状态的活化氧产生，并使用该活化氧使材料的特性变化(参照非专利文献l)。作为这种活 化氧，有过氧化物( 02-)、羟基自由基(H0 )、单重态氧C02)。 非专利文献l :社团法人日本化学会编、"活性氧种的化学"、 初版、学会出版中心、1990年4月、p. 29-3
技术实现思路
但是，在现有的利用热处理的方法中，通过对特性变化处理对象的材料加热，特性 变化处理对象以外的其它区域或其它材料也受热，这些其它部分也发生变性，因此，难以维 持特性变化处理对象以外的其它区域或其它材料的特性。即，在现有的利用热处理的方法 中，难以使用活化氧使材料的特性局部变化而制造目标材料。 本专利技术的目的在于，提供一种可以使用活化氧使材料的特性局部变化的材料制造 方法。 为了解决上述的课题并达到目的，本专利技术的的特征在于，以使氧分 子透过到材料内部的状态或使氧分子存在于该材料表面的状态照射至少具有能够将氧分 子单重态氧化的能量的光，使单重态氧产生，用该产生的单重态氧切断所述材料中的分子 结构的键，由此，使聚合反应或取代反应进行，使所述材料的分子量变化，制造目标材料。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，照射至少含有1270nm 附近的波长的光，使所述单重态氧产生。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，所述目标材料比所述材 料的分子量大。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，所述目标材料比所述材 料的分子量小。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，所述材料为有机硅树脂。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，该中，利 用所述产生的单重态氧切断所述有机硅树脂中的甲基，由此，使聚合反应或取代反应进行 而玻璃化。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，在照射所述至少具有能 够将氧分子单重态氧化的能量的光的同时，照射具有能够切断所述甲基以外的基团的能量 的光，由此，切断所述甲基以外的基团，在使用生成的单重态氧在切断了所述甲基以外的基团的位置使聚合反应或取代反应进行。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，照射在1270nm附近具 有峰值的光，使所述单重态氧产生。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，照射至少含有1270nm 附近的波长的激光，使所述单重态氧产生。 另外，本专利技术的的特征在于，在上述专利技术中，以将所述材料设置于氧 氛围中的状态，照射所述至少具有能够单重态氧化氧分子的能量的光，使所述单重态氧产 生。 根据本专利技术，以使氧分子透过材料的状态，对处理对照部分照射至少具有可以单 重态氧化氧分子的能量的光，使单重态氧产生，用该产生的单重态氧切断材料中的分子结 构的键，由此，使聚合反应或取代反应进行，使材料的分子量变化，制造目标材料，因此，即 使不进行热处理，也可以使用活化氧使材料的特性局部变化。附图说明 图1是表示实施方式中的制造装置的构成的图。 图2是说明氧分子的基态及激发态的图。 图3是说明有机硅树脂和单重态氧的反应的图。 图4是说明利用图1的制造装置的处理对象区域的示例的图。 图5是说明利用图1的制造装置的处理对象区域的示例的图。 图6是表示图1所示的激光二极管发出的激光的强度的波长依赖性的图。 图7是表示实施方式中的制造装置的其它构成的图。 图8是表示实施方式中的制造装置的其它构成的主要部分的图。 图9是说明照射到图8所示的处理对象物上的激光的波长的图。 图10是表示实施方式中的制造装置的其它构成的主要部分的图。 图11是说明照射到图10所示的处理对象物的激光的波长的图。 图12是表示应用本专利技术的的光模块的优选的实施方式的剖面图。 图13是表示图12所示的光模块的电路的一例的图。 图14是示意性地表示图12的部分X的图。 图15是用于说明甲基树脂系有机硅树脂的变性机制的图。 图16是表示从图12所示的半导体激光器的光射出部输出的输出光信号L的功率 随着时间变化而上升的示例的图。 图17是表示从图12所示的半导体激光器及光纤射出出射光并在光纤的光入射端部的芯的端面之间形成光波导路的示例的图。 图18是表示图12所示的光模块的其它构成的剖面图。 图19是本专利技术的其它实施方式1的光纤连接结构的示意剖面图。 图20是说明图19所示的光纤连接结构的制造方法的一例的说明图。 图21是本专利技术的其它实施方式2的光路径变换结构的示意剖面图。 图22是说明图21所示的光路径变换结构的制造方法的一例的说明图。 图23是表示树脂密封了的半导体激光器的光发射远场图形的半值全角(日文半值全角)e的填料添加量依赖性的图。符号的说明1、201制造装置2、21、22激光二极管3光纤4射出管5、205控制部6输入部7输出部10处理对象物215氧供给机构216氧供给管301光模块302主体部303套圈(ferrule)部310半导体激光器320透明树脂330光纤3120第1部分(透明树脂的变性部)3130第2部分(透明树脂的未变性部)3200光波导路400光纤连接结构401、402连接器套圈4011 4014、4021 4024光纤403波导膜4031 4034变性部4035未变性部404膜基材500光光路变换结构501光纤502棱镜503受光元件504波导构件5041 、5042变性部5043未变性部505基材具体实施例方式下面，参照附图，基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。需要说明的是，本专利技术并不受该实施方式限定。在附图的记载中，相同部分附加相同的符号。 图1是表示本实施方式中的制造装置的主要部分构成的图。如图1所示，本实施 方式中的制造装置1具备发出规定波段波长的激光的激光二极管2、传送激光二极管2发 出的激光的光纤3、具有由光纤3传送的激光的射出口的射出管4、控制制造装置1的各构 成部位的控制部5、从外部取得制造装置1的处理操作所需要的各种信息或对制造处理的 指示信息等的输入部6及输出处理结果等各种信息的输出部7。控制部5控制激光二极管 2的激光的射出或输出。 激光二极管2发出以1270nm为峰值的激光L，激光二极管2发出的激光经由光纤 3及射出管4照射到处理对象物10内部的处理对象区域A。 处理对象物10为氧分子(02) 11可以透过到内部的材料。换而言之，处理对象物 IO不是金属板那样的气体不能渗透到内部的材料，而是在骨架间具有气体状的氧分子至少 可以透过至处理对象区域A的程度的空间的材料，例如，在设置于大气中时，为气体状的氧 分子可以透过到材料内部的材料。 在此，氧分子通过吸收规定的能量，由基态(三重态氧3 E — (O))变成激发态的单重态氧。具体而言，如图2所示，氧分子为了从基态变成反键轨道的l个不成对电子改变了自旋方向的1 E g+(0)的单重态氧，需要1. 63eV的能量。例如，通过对氧分子照射对应于1. 63eV的762nm波长的光，氧分子被激发，生成1 E g+(0)的单重态氧。 另外，氧分子为了从基态变成反键轨道的不成对电子进入其它轨道并与存在于其它轨道的不同的自旋的不成对电子成对而消除了相互的自旋的^g(0)的单重态氧，需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种材料制造方法，其特征在于，　　以使氧分子透过到材料内部的状态或使氧分子存在于该材料表面的状态照射至少具有能够将氧分子单重态氧化的能量的光，使单重态氧产生，用该产生的单重态氧切断所述材料中的分子结构的键，由此，使聚合反应或取代反应进行，使所述材料的分子量变化，制造目标材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩濑正幸，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]