一种用于超高频射频识别标签芯片的解调电路制造技术

本发明专利技术公开了一种用于超高频射频识别标签芯片的解调电路。本发明专利技术针对现有的采用栅极接地的ＭＯＳ管替代高阻值电阻带来的动态范围较小的缺点，提出的一种解调电路，包括过压保护电路、均值产生电路。该解调电路通过把均值产生电路中的第一ＰＭＯＳ管的栅极与过压保护电路中的第一ＮＭＯＳ管的栅极相连接，当第一ＰＭＯＳ管的源极电位升高或降低时，由于第二ＰＭＯＳ管和第二电阻的分压作用，使第一ＰＭＯＳ管的栅极电位自适应的随其源极电位的变化而变化，从而使第一ＰＭＯＳ管的栅源电压绝对值保持稳定，确保在大输入动态范围下第一ＰＭＯＳ管具有稳定的等效电阻值，进而使本发明专利技术的解调电路相对于现有的解调电路具有较大的输入动态范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频识别
，尤其涉及一种用于超高频射频识别标签芯片的解 调电路。
技术介绍
射频识别(RFID，Radio Frequency Identification)技术是利用射频方式进行远 距离的通信以达到物品识别的目的，可用来追踪和管理几乎所有物理对象，在工业自动化， 商业自动化，交通运输控制管理，防伪等众多领域，甚至军事用途具有广泛的应用前景，目 前已引起了广泛的关注。无源超高频电子标签具有作用距离远，成本低的特点。典型的无源超高频电子标 签的芯片包括三个主要部分，分别为射频模拟前端，数字基带处理器和多次性编程(MTP， Multi-Time Program)射频模拟前端主要包括整流电路、基准稳压电路、调制电路、解调电路、复位电路 和时钟电路。其中整流电路是将接收下来的射频信号转化为所需要的直流电源，基准稳压 电路是在不同的距离下，为后级模块和数字基带处理器提供稳定的电压输入，解调电路从 射频信号恢复出数字基带处理器所需的幅移键控(ASK，Amplitude Shift Keying)信号输 出已解调数据到数字基带处理器，调制电路采用反向散射调制的方法对数字基带处理器输 出的待调制数据进行调制，实现标签到阅读器的数据传输，时钟电路为数字基带处理器提 供稳定的时钟输入信号，复位电路为数字基带处理器提供所需的复位输入信号。在无源超高频电子标签芯片的设计中，由于输入射频信号强度会随着电子标签与 阅读器之间的距离而大幅度变化，因此具有大动态范围的解调电路设计是一大挑战。特别 是解调电路中的均值产生电路，必须保证该电路在各种工艺偏差、各种输入信号强度下均 能产生合适的均值信号，这样才能够确保解调电路正常工作。现有均值产生电路结构有两 种，一种是采用阻值高达几兆欧姆的电阻与电容构成低通滤波以产生均值信号，但是这种 高阻值的电阻会占用很大的版图面积，使整个电子标签的生产成本升高。另一种是采用栅 极接地的MOS管替代高阻值电阻，虽然可以解决电路版图面积较大的问题，但该MOS管的栅 源电压会随着输入信号的强度变化而变化，其等效的电阻值极其不稳定，均值产生电路不 能够在输入信号大幅度变化的条件下稳定工作，导致采用该结构的解调电路的输入动态范 围较小。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有的采用栅极接地的MOS管替代高阻值电阻带来的 动态范围较小的缺点，提出了一种用于超高频射频识别标签芯片的解调电路。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是一种用于超高频射频识别标签芯片的 解调电路，包括过压保护电路和均值产生电路，所述过压保护电路由第一电阻、第二电阻、 第二 PMOS管和第一 NMOS管组成，其特征在于，均值产生电路由第一 PMOS管和第一电容组成，用于产生包络信号的均值，所述第一 PMOS管的源极和过压保护电路中的第一 NMOS管的 漏极相连接；所述第一 PMOS管的栅极和过压保护电路中的第一 NMOS管的栅极相连接；所 述第一 PMOS管的漏极经过第一电容连接到地。所述解调电路还包括低通滤波电路，由第二电容和第三电阻组成，所述第三电阻 与过压保护电路中的第一电阻相连接；所述第二电容一端与过压保护电路中的第一电阻相 连接，另一端接地。所述解调电路还包括包络检波电路，由第三电容、第四电容、第二 NMOS管和第三 NMOS管组成，所述第三电容与信号输入端口相连接；所述第二 NMOS管的源极通过第三电容 连接到信号输入端口 ；所述第二 NMOS管的栅极和漏极相连并连接到地；所述第三NMOS管 的栅极和漏极连接到第二 NMOS管的源极；所述第三NMOS管的源极经过第四电容连接到地。所述解调电路还包括迟滞比较器电路和两级反相器电路。本专利技术的有益效果本专利技术通过把均值产生电路中的第一 PMOS管的栅极与过压 保护电路中的第一 NMOS管的栅极相连接，使第一 PMOS管的栅极电位自适应的跟随其源极 电位的变化而变化，使第一 PMOS管的栅源电压绝对值保持稳定，确保在大输入动态范围下 第一 PMOS管具有稳定的等效电阻值，从而使本专利技术的解调电路相对于现有的解调电路具 有较大的输入动态范围。附图说明图1是本专利技术实施例一解调电路的原理图。图2是本专利技术实施例二解调电路的原理图。图3是本专利技术实施例三解调电路的原理图。图4是本专利技术实施例四解调电路的原理图。附图标记说明第一电容Cl，第二电容C2，第三电容C3，第四电容C4，第一电阻 R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第一 NMOS管Ni，第二 NMOS管N2，第三NMOS管N3，第一 PMOS 管 M1，第二 PMOS 管 M2。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步的说明实施例一如图1所示，用于超高频射频识别标签芯片的解调电路包括过压保护 电路和均值产生电路。过压保护电路由第一电阻R1、第二电阻R2、第二 PMOS管M2和第一 NMOS管m组成；均值产生电路由第一 PMOS管Ml和第一电容Cl组成，用于产生包络信号的 均值，所述第一 PMOS管Ml的源极和过压保护电路中的第一 NMOS管m的漏极相连接；所述 第一 PMOS管Ml的栅极和过压保护电路中的第一 NMOS管附的栅极相连接；所述第一 PMOS 管Ml的漏极经过第一电容Cl连接到地。过压保护电路中，所述第二 PMOS管M2的源极和第一电阻Rl相连接；所述第二 PMOS管M2的栅极和漏极相连并经过第二电阻R2连接到地；所述第一 NMOS管附的漏极和 第二 PMOS管M2的源极相连接；所述第一 NMOS管附的栅极和第二 PMOS管M2的漏极相连 接；所述第一 NMOS管m的源极连接到地。包络信号VO经过过压保护电路产生过压保护后的包络信号VI，再经过均值产生电路产生包络均值信号V2。实施例二 如图2所示，在实施例一的基础上，用于超高频射频识别标签芯片的解 调电路还包括低通滤波电路。所述低通滤波电路，由第二电容C2和第三电阻R3组成，所述 第三电阻R3与过压保护电路中的第一电阻Rl相连接，所述第二电容C2 —端与过压保护电 路中的第一电阻Rl相连接，另一端接地。包络信号V3经过低通滤波电路、过压保护电路产生过压保护后的包络信号VI，再 经过均值产生电路产生包络均值信号V2。实施例三如图3所示，在实施例二的基础上，用于超高频射频识别标签芯片的解 调电路还包括包络检波电路。所述包络检波电路由第三电容C3、第四电容C4、第二 NMOS管 N2和第三NMOS管N3组成，所述第三电容C3与信号输入端口相连接；所述第二 NMOS管N2 的源极通过第三电容C3连接到信号输入端口 ；所述第二 NMOS管N2的栅极和漏极相连并连 接到地；所述第三NMOS管N3的栅极和漏极连接到第二 NMOS管N2的源极；所述第三NMOS 管N3的源极经过第四电容C4连接到地。信号输入端口接收到的信号经过包络检波电路、低通滤波电路、过压保护电路产 生过压保护后的包络信号VI，再经过均值产生电路产生包络均值信号V2。实施例四如图4所示，在实施例三的基础上，用于超高频射频识别标签芯片的解 调电路还包括迟滞比较器电路Comp、反相器电路Irw 1、反相器电路Irw2。反相器电路Inv 1、 反相器电路Inv2组成两级反相器电路。具体工作过程如下当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于超高频射频识别标签芯片的解调电路，包括：过压保护电路和均值产生电路，所述过压保护电路由第一电阻、第二电阻、第二ＰＭＯＳ管和第一ＮＭＯＳ管组成，其特征在于，均值产生电路由第一ＰＭＯＳ管和第一电容组成，用于产生包络信号的均值，所述第一ＰＭＯＳ管的源极和过压保护电路中的第一ＮＭＯＳ管的漏极相连接；所述第一ＰＭＯＳ管的栅极和过压保护电路中的第一ＮＭＯＳ管的栅极相连接；所述第一ＰＭＯＳ管的漏极经过第一电容连接到地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王耀，文光俊，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]