本发明专利技术公开了含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料及有机电致发光器件，本发明专利技术的有机电致发光器件为层状掺杂型结构，其中发光层选择含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料掺杂系列Ｉｒ（ＩＩＩ）发光材料。本发明专利技术系列主体材料具有较宽的带隙，较高的玻璃化温度（Ｔｇ），并且具有优良空穴／电子传输能力的双极性。适用于绿光有机磷光发光体的主体材料，同时具有红光和蓝光应用的潜力。其最大特点是该磷光主体材料具有双极性的空穴、电子传输性能，可广泛应用于ＲＧＢ三基色掺杂型磷光主体材料。该制作工艺简单，为全彩显示和照明应用提供了优良的材料。
【技术实现步骤摘要】
含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料及有机电致发光器件
本专利技术属于有机电致发光磷光主体材料及发光器件领域，具体的涉及含四苯基硅 及咔唑的蒽衍生物磷光主体材料，以及该系列主体材料的有机电致发光器件。
技术介绍
磷光有机电致发光二极管(OLED)由于其能够利用三重态和单重态激子，内量子 效率在理论上可达到100%，从而引起业内人士的极大关注。为了获得较高的电致磷光效 率，通常将重金属磷光材料掺杂到主体材料中来降低浓度淬灭和三重态-三重态湮灭。主 体材料提供了空穴和电子复合中心从而产生电子激发态，然后将主体的激发态能量传递给 掺杂剂。因此，主体材料既能够传递空穴也能传递电子，如果空穴和电子在复合区能够平 衡将大大提高器件的性能。为了实现在发光区的载流子平衡，使用具有空穴和电子传输能 力的主体材料构成双发光层或混合主体发光层得到了较高的器件性能，但是这种类型的器 件结构较复杂，制备工艺较繁琐，因此开发一种同时具有空穴、电子传输能力的双极性主 体材料对于平衡载流子在发光区复合提高磷光器件性能、简化制备工艺具有很现实的意 义。近几年一些研究小组开发了一系列的双极性主体材料，取得了较好的器件性能，例如 KUN-MING YEH^A 将噁二唑与咔唑衍生物对接合成了 PCOn系列双极性主体材料，掺杂 11~( 7)3制备器件得到最大亮度为19903((1/1112，最大电流效率为17. 9cd/A。Dehua Hu等 人报道 了两个新型主体材料 DMSiCBP 和 DPSiCBP， 其中以DPSiCBP做主体掺杂FIipic得到最大亮度为12130cd/m2，最大电流效率为6. 5cd/ A，高于以 CBP 为主体制备的器件。Hyoung-Yun Oh 等人报道了具有双极性的主体材料QuPB和NpyB，其中NpyB掺杂Ir (phq)2aCaC)制 备红光器件得到最大电流效率21cd/A，最大亮度为14440cd/m2。这些主体材料的共性就 是都选择了电子型配体与咔唑基团对接构成具有双极性的主体材料，取得了较好的器件性 能，随着电流密度的增加效率衰减很小，可见这种具有双极性结构的主体材料具有很大的 优势。但是以上这些主体材料都还存在着一定的缺陷，比如H0M0/LUM0的不合适，玻璃化温 度(Tg)较低或者三重态能量较低无法实现更高性能蓝光器件等。本专利旨在开发出适用 于红、绿、蓝三种颜色的磷光双极性主体材料。
技术实现思路
为了得到具有双极性的主体材料，本专利技术提供了一系列含四苯基硅及咔唑的蒽衍 生物的双极性磷光主体材料及有机电致发光器件。本专利技术的技术方案是一种含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材 料，所述材料的结构式如式1表示 式 权利要求1. 一种含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料，所述材料的结构式如式2.根据权利要求1所述的含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料，其特 征在于X为蒽。3.根据权利要求1所述的含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料，其特 征在于X为2-甲基蒽。4.根据权利要求1所述的含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料，其特 征在于X为2-氟蒽。5.根据权利要求1所述的含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料，其特 征在于X为蒽-2-基-三甲基硅烷。6.一种有机电致发光器件，其为层状掺杂型结构，由衬底到阴极依次为衬底(1)、透 明导电膜O)、空穴注入层(3)、空穴传输层0)、发光层(5)、空穴阻挡层(6)、电子传输层 (7)、电子注入层(8)、阴极(9)，其特征在于发光层(5)采用含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物 的双极性磷光主体材料掺杂Ir(ppy)3。之一。全文摘要本专利技术公开了含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料及有机电致发光器件，本专利技术的有机电致发光器件为层状掺杂型结构，其中发光层选择含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料掺杂系列Ir(III)发光材料。本专利技术系列主体材料具有较宽的带隙，较高的玻璃化温度(Tg)，并且具有优良空穴/电子传输能力的双极性。适用于绿光有机磷光发光体的主体材料，同时具有红光和蓝光应用的潜力。其最大特点是该磷光主体材料具有双极性的空穴、电子传输性能，可广泛应用于RGB三基色掺杂型磷光主体材料。该制作工艺简单，为全彩显示和照明应用提供了优良的材料。文档编号C09K11/06GK102031104SQ201010548150公开日2011年4月27日 申请日期2010年11月16日 优先权日2010年11月16日专利技术者刘骞峰, 孙军, 张宏科, 张玉祥, 薛震, 高仁孝, 高昌轩 申请人:西安瑞联近代电子材料有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种含四苯基硅及咔唑的蒽衍生物的双极性磷光主体材料，所述材料的结构式如式１表示：式１：＊＊＊其中Ｘ为＊＊＊之一。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张玉祥，高昌轩，薛震，孙军，张宏科，高仁孝，刘骞峰，
申请(专利权)人：西安瑞联近代电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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