用于８英寸单晶切割的定位板制造技术

一种用于８英寸单晶切割的定位板，包括尺寸为１０００ｍｍ×１０００ｍｍ的正方形定位板，定位板的正中由宽度为５ｍｍ的纵横各６条定位线隔成５×５布局的共２５个正方形区域，所述每个正方形区域的大小相等，均为１５６ｍｍ×１５６ｍｍ，若将上述５×５布局的正方形区域的行从上至下分别表示为Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ区，列从左至右分别表示为１、２、３、４、５区，在其中表示为Ａ１、Ａ３、Ａ５、Ｂ２、Ｂ４、Ｃ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｅ５的正方形区域设有凹坑，所述凹坑的俯视形状为该正方形区域的内切圆，所述圆形凹坑的直径为１５６ｍｍ，深度为１０ｍｍ。采用本实用新型专利技术进行８英寸单晶的开方切割，无需改换机器别的构件，可以直接用多晶切割机切割，并且加工效率高。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅晶体的切割技术，具体涉及多线切割机在切割8英寸单晶时所 用到的定位工装件。
技术介绍
多线切割机是目前应用最广泛的硅片加工设备。现有的多线切割机分为多晶切割 机和单晶切割机，两者均采用定位板在整个线切割过程中对硅晶体进行固定。定位板位于 切割机线网的下方，硅晶体通过粘贴方式固定在定位板上，线网自上而下，将硅晶体按照定 位板预定的尺寸切出准正方形(角上是圆弧状)。不同之处在于，多晶切割机只能切割单条 的多晶大锭；而单晶切割机则是将多根平整的单晶圆棒断面分别用粘胶固定在晶托上，由 晶托嵌入定位板上的凹槽内，对位置进行固定后，将多根单晶圆棒同时切割。现有的多晶切割机自带有240型以及450型的多晶锭专用定位板，用来切割 单条的多晶大锭。两种定位板的总体尺寸约为lOOOmmX 1000mm，240型定位板为16孔 (4X4)的定位板，450型定位板为25孔(5X5)的定位板，这两种定位板切割得到的均为 156mmX 156mm的准正方型多晶。虽然8英寸单晶的开方尺寸也是156mmX 156mm的准正方 型，但单晶的断面是直径为200多毫米的圆形，这两种定位板无法对单晶圆棒进行定位，也 不能将单晶圆棒在这两种定位板上紧密排列，因此现有多晶切割机用定位板不能用来切割 单晶圆棒。现有的单晶切割机自带有切割6英寸单晶用的36孔(6X6)定位板。但是近年来， 单晶生产的趋势是向大直径方向发展，8英寸单晶逐步普及。8英寸单晶相比6英寸单晶， 在直径上增加了 2英寸，面积上是6英寸单晶的约1. 8倍，8英寸单晶的直径在200mm以上； 此外单晶在拉制过程中一般还包含有3mm以上的加工余量。现有切割6英寸单晶用的36孔 (6X6)定位板的总体尺寸约为800mmX800mm，如果简单的以纵横3X3孔来布局8英寸单 晶来看，一次只能加工9条单晶，效率低下，8英寸单晶的圆形面积之间包含有大量空隙，定 位板的面积不能充分得到利用。并且由于现有的单晶切割机没有切割8英寸的加工配件， 如果用原有的6英寸切割机切割的话，线网、主轴、槽以及定位板都须换掉，成本高。因此现 有的单晶切割机用定位板也无法满足8英寸单晶开方的切割要求。技术的内容针对现有多线切割机(无论是多晶切割机或单晶切割机)的定位板无法满足8英 寸单晶开方切割要求的问题，申请人进行了改进研究，提供一种8英寸单晶的定位板，可以 直接使用多晶切割机对8英寸单晶开方切割，无需改换机器别的构件，并且加工效率高。本技术的技术方案如下一种用于8英寸单晶切割的定位板，包括尺寸为lOOOmmX 1000mm的正方形定位 板，定位板的正中由宽度为5mm的纵横各6条定位线隔成5 X 5布局的共25个正方形区域， 所述每个正方形区域的大小相等，均为156mmX 156mm，其特征在于若将上述5X5布局的 正方形区域的行从上至下分别表示为A、B、C、D、E区，列从左至右分别表示为1、2、3、4、5区，3在其中表示为A1、A3、A5、B2、B4、CI、C3、C5、D2、D4、El、E3、E5的正方形区域设有凹坑，所 述凹坑的俯视形状为该正方形区域的内切圆，所述圆形凹坑的直径为156mm，深度为10mm。所述每个圆形凹坑的左偏上45度位置有一个与该圆形凹坑连通的定位凹坑，所 述定位凹坑由横卧的半个圆柱形及其头部的1/4个球型组成，所述圆柱的长度为10mm，所 述圆柱的直径以及球型的直径均为10mm。本技术的有益技术效果是本技术只需在原有的尺寸为1000mmX 1000mm的多晶切割用450型25孔 (5X5)定位板的基础上进行改进，间隔挖出圆形凹坑，不需要更换原有加工450型多晶锭 的线网，也不用调整其他参数和更换其他设备就能直接用多晶切割机完成8英寸单晶的开 方切割。能充分利用定位板的面积，每次可以同时加工13条单晶硅，从而提高加工效率。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是对定位板上的凹坑位置进行确定的示意图。图3是图1中一个圆形凹坑的放大图。图4是晶托结构的主视示意图。图5是图4的仰视图。图6是图4的俯视图。具体实施方式以下结合附图对本技术的具体实施方式做进一步说明。如图1所示，本技术包括尺寸为lOOOmmX 1000mm的正方形定位板1，定位板1 的正中由宽度为5mm的纵横各6条定位线2隔成5X 5布局的共25个正方形区域3，所述每 个正方形区域3的大小相等，均为156mmX 156mm。见图1、图2，若将上述5X5布局的正方 形区域3的行从上至下分别表示为A、B、C、D、E区，列从左至右分别表示为1、2、3、4、5区， 则其中表示为A1、A3、A5、B2、B4、C1、C3、C5、D2、D4、E1、E3、E5的正方形区域设有凹坑4，见 图1，凹坑4的俯视形状为该正方形区域3的内切圆，所述圆形凹坑4的直径为156mm，深度 为 10mm。见图3，每个圆形凹坑4的左偏上45度位置有一个与该圆形凹坑4连通的定位凹 坑5，所述定位凹坑5由横卧的半个圆柱形6及其头部的1/4个球型7组成，所述圆柱6的 长度为10mm，所述圆柱6的直径以及球型7的直径均为10mm。本技术的加工及使用方法如下在原有的尺寸为lOOOmmX 1000mm的多晶切割用450型25孔(5X5)定位板1的 基础上进行改进，按照图2所示的方法确定位置，挖出13个直径为156mm、深度为10mm的圆 形凹坑4，作为定位晶托的部位。将多根平整单晶圆棒的断面分别用粘胶固定在如图4 图 6所示的晶托8的上端面，晶托8下端的圆台9嵌入定位板上的圆形凹坑4内，圆台9上的 定位圆柱10正好嵌入与圆形凹坑4连通的定位凹坑5。由于所有定位凹坑5的朝向一致， 使得所有定位圆柱10的朝向也一致，从而完成晶托的定位。因为晶棒粘连在晶托上的位置 都是一定的，即完成了所有单晶圆棒的定位。线网自上而下切割，进入晶托8上端面上的进刀槽11，就能保证把单晶圆棒的边皮切掉，有效部分留下。此时进行切割，不需要更换原有 加工450型多晶锭的线网，也不用调整其他参数和更换其他设备，直接使用多晶切割机就 能完成8英寸单晶的开方切割。能充分利用定位板的面积，每次同时加工13根单晶硅，从 而提高加工效率。 以上所述的仅是本技术的优选实施方式，本技术不限于以上实施例。可 以理解，本领域技术人员在不脱离本技术的精神和构思的前提下，可以做出其他改进 和变化。权利要求一种用于8英寸单晶切割的定位板，包括尺寸为1000mm×1000mm的正方形定位板，定位板的正中由宽度为5mm的纵横各6条定位线隔成5×5布局的共25个正方形区域，所述每个正方形区域的大小相等，均为156mm×156mm，其特征在于若将上述5×5布局的正方形区域的行从上至下分别表示为A、B、C、D、E区，列从左至右分别表示为1、2、3、4、5区，在其中表示为A1、A3、A5、B2、B4、C1、C3、C5、D2、D4、E1、E3、E5的正方形区域设有凹坑，所述凹坑的俯视形状为该正方形区域的内切圆，所述圆形凹坑的直径为156mm，深度为10mm。2.根据权利要求1所述用于8英寸单晶切割的定位板，其特征在于所述每个圆形凹 坑的左偏上45度位置有一个与该圆形凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于８英寸单晶切割的定位板，包括尺寸为１０００ｍｍ×１０００ｍｍ的正方形定位板，定位板的正中由宽度为５ｍｍ的纵横各６条定位线隔成５×５布局的共２５个正方形区域，所述每个正方形区域的大小相等，均为１５６ｍｍ×１５６ｍｍ，其特征在于：若将上述５×５布局的正方形区域的行从上至下分别表示为Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ区，列从左至右分别表示为１、２、３、４、５区，在其中表示为Ａ１、Ａ３、Ａ５、Ｂ２、Ｂ４、Ｃ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｅ５的正方形区域设有凹坑，所述凹坑的俯视形状为该正方形区域的内切圆，所述圆形凹坑的直径为１５６ｍｍ，深度为１０ｍｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高佳伟，杨乐，袁仲明，
申请(专利权)人：高佳太阳能股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]