一种带缓存的高速ＣＦ卡制造技术

本发明专利技术属于数据存储领域，涉及一种带缓存的高速ＣＦ卡。本发明专利技术提供一种带缓存的高速ＣＦ卡，包括ＣＦ卡、ＣＦ转ＳＡＴＡ桥单元、ＳＡＴＡ接口控制单元，ＤＤＲ缓存单元、ＦＬＡＳＨ存储单元以及供电单元。本发明专利技术的带缓存的高速ＣＦ卡的读写速度能够达到１００ＭＢ／ｓ以上，读写速度快，可靠性高、抗干扰能力强、数据存储安全性能好，具有较好的市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于数据存储装置
，涉及一种带缓存的高速CF卡。
技术介绍
随着数据存储技术的发展，对数据存储的速度和容量要求越来越高，传统CF卡存 在功耗大、读写速度慢等特点。
技术实现思路
为解决传统CF卡读写速度低的问题，本专利技术提供了一种带缓存的高速CF卡。本专利技术的带缓存的高速CF卡包括CF卡、CF转SATA桥单元、SATA接口控制单元， DDR缓存单元、FLASH存储单元以及供电单元；CF卡与CF转SATA桥单元、SATA接口控制单 元依次连接；SATA接口控制单元分别与DDR缓存单元、FLASH存储单元连接；供电单元与CF 转SATA桥单元、SATA接口控制单元、FLASH存储单元依次连接。本专利技术摒弃了现有技术中直接采用CF卡接口的方式，读数据时SATA接口控制单 元从FLASH存储单元读取数据，将数据放入DDR缓存单元同时将数据转换成SATA标准信号 传输给CF转SATA桥单元，CF转SATA桥单元再将信号转换成标准CF卡接口。在本专利技术中 通过SATA接口控制单元提高了 CF芯片读写速度，采用的DDR缓存单元可以在空闲时段预 先读写CF卡内容。SATA接口控制单元采用先进的数据读写控制算法，对FLASH存储单元进 行了合理的分区，在读写数据时能够均勻的将数据写入不同的分区，减少同一个存储区域 的读写次数，有效提高了 FLASH存储单元的读写次数，提高了 CF卡的使用寿命。本专利技术的 CF卡读写速度到100MB/s以上。本专利技术的带缓存的高速CF卡具有读写速度快，可靠性高、抗干扰能力强、数据存 储安全等特点，具有良好的市场应用前景。附图说明图1是本专利技术的带缓存的高速CF卡的电路结构框图。图中，1.CF转SATA桥单元 2. SATA接口控制单元3. FLASH存储单元 4.DDR缓存单元 5.供电单元 6. CF卡。具体实施例方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行进一步描述。图1是本专利技术的带缓存的高速CF卡的电路结构框图，从图1中可以看出，本发 明的带缓存的高速CF卡中的CF卡6与CF转SATA桥单元1相连，CF转SATA桥单元1与 SATA接口控制单元2和DDR缓存单元4、FLASH存储单元3相连。供电单元5与CF卡6上 的+5VDC管脚相连，产生3. 3VDC、1. 8VDC电源给CF转SATA桥单元1、SATA接口控制单元2， DDR缓存单元4和FLASH存储单元3供电。CF转SATA桥单元1主要由CF转SATA桥芯片、晶振、电阻和电容组成。主要实现 CF总线数据、地址、控制信号与SATA总线数据、地址、控制信号的转换，将CF卡接口转换为 SATA标准接口，并且保留了 CF标准接口。SATA接口控制单元2主要由SATA接口控制芯片、晶振、电阻和电容组成。主要实 现SATA总线的地址信号的解码、控制信号转换以及在FLASH存储单元的数据读写，采用先 进的数据读写控制算法，对FLASH存储单元进行了合理的分区，在读写数据时能够均勻的 将数据写入不同的分区，减少同一个存储区域的读写次数，有效提高了 FLASH存储单元的 读写次数。DDR缓存单元4由DDR内存芯片、电容组成，主要实现读写数据的缓冲，在空闲时段 预先读写CF卡内容。FLASH存储单元3主要由FLASH芯片、电阻和电容组成，主要实现数据存储和读出。供电单元5由电源芯片及滤波电容组成，主要完成电源滤波及各单元的供电。本专利技术的带缓存的高速CF卡实施例中的CF转SATA桥单元(1)芯片型号采用美 国marvell公司生产的88se61 ；SATA接口控制单元(2)芯片型号采用美国marvell公司 生产的88ss917。按照本专利技术所公布的实施例能够实现本专利技术，但本专利技术的实施不仅仅限于以上实 施方式，如通过采用其他功能类似的CF转SATA桥芯片、SATA接口控制芯片，FLASH芯片以 及电源芯片替代本专利技术的同类装置部分可以实现本专利技术。权利要求一种带缓存的高速CF卡,其特征在于所述的带缓存的高速CF卡包括CF卡(6)、CF转SATA桥单元(1)、SATA接口控制单元(2)，DDR缓存单元(4)、FLASH存储单元(3)以及供电单元(5)；CF卡(6)与CF转SATA桥单元(1)、SATA接口控制单元(2)依次连接；SATA接口控制单元(2)分别与DDR缓存单元(4)、FLASH存储单元(3)连接；供电单元(5)与CF转SATA桥单元(1)、SATA接口控制单元(2)、FLASH存储单元(3)依次连接。2.根据权利要求1所述的带缓存的高速CF卡，其特征在于所述的CF转SATA桥单 元(1)芯片采用美国marvell公司生产的88se61 ；SATA接口控制单元(2)芯片采用美国 marvell公司生产的88ss917。全文摘要本专利技术属于数据存储领域，涉及一种带缓存的高速CF卡。本专利技术提供一种带缓存的高速CF卡，包括CF卡、CF转SATA桥单元、SATA接口控制单元，DDR缓存单元、FLASH存储单元以及供电单元。本专利技术的带缓存的高速CF卡的读写速度能够达到100MB/s以上，读写速度快，可靠性高、抗干扰能力强、数据存储安全性能好，具有较好的市场应用前景。文档编号G06K19/077GK101980258SQ20101054017公开日2011年2月23日 申请日期2010年11月11日 优先权日2010年11月11日专利技术者严发宝, 周建平, 周玉昆, 唐建, 官琴, 张黎, 李向天, 李文才, 梅勇, 武文斌, 王璐, 袁强, 陈伟, 陈刚 申请人:四川省绵阳西南自动化研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带缓存的高速ＣＦ卡，其特征在于：所述的带缓存的高速ＣＦ卡包括ＣＦ卡（６）、ＣＦ转ＳＡＴＡ桥单元（１）、ＳＡＴＡ接口控制单元（２），ＤＤＲ缓存单元（４）、ＦＬＡＳＨ存储单元（３）以及供电单元（５）；ＣＦ卡（６）与ＣＦ转ＳＡＴＡ桥单元（１）、ＳＡＴＡ接口控制单元（２）依次连接；ＳＡＴＡ接口控制单元（２）分别与ＤＤＲ缓存单元（４）、ＦＬＡＳＨ存储单元（３）连接；供电单元（５）与ＣＦ转ＳＡＴＡ桥单元（１）、ＳＡＴＡ接口控制单元（２）、ＦＬＡＳＨ存储单元（３）依次连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，官琴，周玉昆，武文斌，袁强，严发宝，唐建，李文才，李向天，王璐，周建平，张黎，梅勇，陈刚，
申请(专利权)人：四川省绵阳西南自动化研究所，
类型：发明
国别省市：51[]