【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种Ｓｉ／Ｍｎ↓［２７］Ｓｉ↓［４７］核壳结构纳米线阵列的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：１）采用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列；２）将步骤１）得到的表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于ＭｎＣｌ↓［２］的乙醇溶液中浸泡，取出后晾干；３）将步骤２）晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，再将氧化铝瓷舟放入管式炉的中心；向管式炉中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为７０Ｐａ；将管式炉加热到温度为７５０℃，在温度为７５０℃下保温３００分钟，在单晶硅基片上面得到Ｓｉ／Ｍｎ↓［２７］Ｓｉ↓［４７］核壳结构纳米线阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：师文生，刘海龙，佘广为，凌世婷，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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