半导体光刻显影槽的冲洗喷头制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体光刻显影槽的冲洗喷头，包括两个进水管、容置腔、多个喷嘴，容置腔的顶部分别通过活接头连接两个进水管，容置腔的底部设置多个喷嘴。本实用新型专利技术将显影槽的冲洗喷头由双管喷头改为带有多个喷嘴的喷头，能够使冲洗压力分流，减小中心区域水分子与栅氧之间的摩擦力，达到减少中心区域静电电荷积累的目的，最终能够消除电荷。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体光刻工艺设备，具体涉及一种半导体光刻显影槽的冲 洗喷头。
技术介绍
某深沟槽金属氧化物半导体(High gate trench M0S)在生产中遭遇低产量(Low yield)。产生low yield(低产量)的原因是由于目前的P阱光刻(P-wellphoto)显影工 艺的冲洗(rinse)步骤中，是通过双管喷头将超纯去离子水(UPW)从硅片(wafer)中心喷 出，喷到wafer(硅片)表面。由于超纯去离子水(UPW)与栅氧(High gate oxide)摩擦， 在硅片(wafer)表面产生了静电电荷积累。通过测量，电荷积累的最大值出现在硅片中心 (wafer center)附近的某个位置。这是由于硅片中心的转速接近于零，水与wafer (硅片) 间的摩擦力最大；而硅片外缘的转速最大，水与wafer (硅片)间的摩擦力最小。硅片(wafer)表面静电电荷的积累影响了栅极电压的调整注入(Vth adjust implant)。这是因为P阱注入(p_well implant)时，注入的硼离子到达硅片(wafer)表面 时，积累在硅片表面的静电负电荷会与部分硼离子中和，影响了栅极电压的调整注入(Vth adjust implant)的掺杂浓度，引起P阱(p-well)的掺杂浓度异常。由于硅片中心(wafer center)的静电电荷较多，所以对硅片(wafer)中心的Vth adjust implant (栅极电压的调整注入)影响最大，造成wafer (硅片)中心的栅极电压 (Vth)漂移。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种半导体光刻显影槽的冲洗喷头，它可 以防止静电电荷累积在硅片表面。为解决上述技术问题，本技术半导体光刻显影槽的冲洗喷头的技术解决方案 为包括两个进水管、容置腔、多个喷嘴，容置腔的顶部分别通过活接头连接两个进水 管，容置腔的底部设置多个喷嘴。本技术可以达到的技术效果是本技术将显影槽的冲洗喷头由双管喷头改为带有多个喷嘴的喷头，能够使冲 洗压力分流，减小中心区域水分子与栅氧(oxide)之间的摩擦力，达到减少中心区域静电 电荷积累的目的，最终能够消除电荷。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明附图说明图1是本技术半导体光刻显影槽的冲洗喷头的结构示意图。图中附图标记说明1为进水管， 2为活接头，3为容置腔， 4为喷嘴。具体实施方式如图1所示，本技术半导体光刻显影槽的冲洗喷头，包括两个进水管1、容置 腔3、多个喷嘴4，容置腔3的顶部分别通过活接头2连接两个进水管1，容置腔3的底部设 置多个喷嘴4。两个进水管1分别连接现有技术的双管喷头的接头。工作时，将硅片放置于本技术的下方，水从两个进水管1流入，从多个喷嘴4 流出，均勻喷向硅片。本技术能够提高产品的良率。权利要求1. 一种半导体光刻显影槽的冲洗喷头，其特征在于包括两个进水管、容置腔、多个喷 嘴，容置腔的顶部分别通过活接头连接两个进水管，容置腔的底部设置多个喷嘴。专利摘要本技术公开了一种半导体光刻显影槽的冲洗喷头，包括两个进水管、容置腔、多个喷嘴，容置腔的顶部分别通过活接头连接两个进水管，容置腔的底部设置多个喷嘴。本技术将显影槽的冲洗喷头由双管喷头改为带有多个喷嘴的喷头，能够使冲洗压力分流，减小中心区域水分子与栅氧之间的摩擦力，达到减少中心区域静电电荷积累的目的，最终能够消除电荷。文档编号G03F7/30GK201815397SQ20102053330公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月17日 优先权日2010年9月17日专利技术者单忠飞, 陈群琦 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光刻显影槽的冲洗喷头，其特征在于：包括两个进水管、容置腔、多个喷嘴，容置腔的顶部分别通过活接头连接两个进水管，容置腔的底部设置多个喷嘴。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单忠飞，陈群琦，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]