本发明专利技术涉及一种输出电流可调节的发光二极管驱动电路。该发光二极管驱动电路包括一个脉宽调变控制芯片，一个输入单元以及一个输出单元。该脉宽调变控制芯片的ＰＷＭ＿Ｄ引脚与一个脉宽调变信号电连接。该输入单元所包括的滑动变阻器的滑动端与脉宽调变控制芯片的ＬＩＮ＿Ｄ引脚电连接。该输出单元包括的Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ的源极通过该第二电阻与该脉宽调变控制芯片ＩＳＥＮ引脚电连接，漏极与该电感的一端以及该快速二极管的正极电连接，电感的另一端与该快速二极管的负极之间电连接一个第一电容，该第一电容的两端为该发光二极管驱动电路的输出端，其与发光二极管模组电连接，用于驱动发光二极管模组。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管驱动电路，尤其涉及一种输出电流可调节的发光二 极管驱动电路。
技术介绍
随着科技的发展及社会的进步，电子产品的种类越来越多，电子产品中的集成 电路的集成程度也越来越高。而多数的电子产品需要对其施加一稳定直流电压以使其工 作。发光二极管驱动电路主要用来将输入的直流电压作电压位准的调节，并使其 稳定在所设定的一电压值，其利用驱动上桥及下桥功率元件的切换而产生脉波，此脉 波经过电感电容组成的低通滤波器后产生稳定的直流电压，以供给各种电子产品，具 体请参阅Volkan Kursun等人2004年在IEEE系统中发表的“HIGH INPUT VOLTAGE STEP-DOWN DC-DC CONVERTERS FORINTEGRATION IN A LOW VOLTAGE CMOS PROCESS” 一文。现有的发光二极管驱动电路一般有两种，一种是利用定电压电源供应器搭配限 电流电阻来限定发光二极管的电流，然而，这种方式会造成多余的功率损耗在限电流电 阻上，从而导致照明装置的效率较差；另一种是利用定电流源的电源供应器来直接输出 定电流至发光二极管，然而此种方式同时驱动发光二极管模组时，需将该发光二极管模 组包括的多个发光二极管并联连接，该定电流源输出的电流为该多个发光二极管的额定 电流之和，但当其中一个或者多个发光二极管烧毁时，则流经其他正常工作的发光二极 管的电流大于其额定电流，则势必加速该多个正常工作的发光二极管的光衰甚至烧毁， 从而影响整个发光二极管模组的正常工作。
技术实现思路
下面将以实施例说明一种输出电流可调节的发光二极管驱动电路。一种发光二极管驱动电路，其包括一个脉宽调变控制芯片，一个输入单元以及 一个输出单元。该脉宽调变控制芯片具有Vin引脚，Vcc引脚，LIN_D引脚，PWM_D 引脚，GND引脚，ISEN引脚，DRV引脚，Rose引脚。该Vin引脚连接一外接电压， 该Rose引脚通过一个第一电阻接地，该脚连接一个脉宽调变信号，该GND引 脚接地。该输入单元包括一个滑动变阻器。该滑动变阻器具有一个第一端，一个第二端 以及一个滑动端，该第一端与该第二端分别与该Vcc引脚以及GND引脚电连接，该滑动 端与该LIN_D引脚电连接。该输出单元包括一个第二电阻，一个第三电阻，一个第四电 阻，一个第五电阻，一个N沟道增强型M0SFET，一个电感，一个快速二极管以及一个 第二电容。该N沟道增强型MOSFET的栅极通过该分压电路与该DRV引脚电连接。该 N沟道增强型MOSFET的源极通过该第二电阻与该ISEN引脚电连接，并通过该第三电阻 接地。该N沟道增强型MOSFET的栅极通过该第四电阻与该DRV引脚电连接，且该N沟道增强型MOSFET的栅极通过该第五电阻接地，该N沟道增强型MOSFET的漏极分别 与该快速二极管的正极以及该电感的一端电连接。该快速二极管的负极以及该电感的另 一端分别与该第一电容的两端电连接，该第一电容的两端为发光二极管驱动电路的输出 端，其与发光二极管模组电连接。相对于现有技术，所述发光二极管驱动电路的该脉宽调变控制芯片的Vin引脚连 接一外接电压后，该脉宽调变控制芯片的Vcc引脚输出一个电压，该滑动变阻器的滑动 端的滑动调节用于改变输入该脉宽调变控制芯片的LIN_D引脚的电压大小，以改变该脉 宽调变控制芯片输出的PWM控制信号的占空比，从而改变该发光二极管驱动电路的输出 电流的大小。因此，该发光二极管驱动电路的输出电流的负载可以接不同数量的发光二 极管，其具有较好的组装灵活性。并且可以通过调节流经发光二极管电流大小，从而调 节发光二极管的工作亮度。附图说明图1是本专利技术实施例提供的发光二极管驱动电路的电路示意图。 具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步的详细说明。请参见图1，本专利技术实施例提供的一种发光二极管驱动电路10，其包括一个脉 宽调变控制芯片11，一个输入单元12以及一个输出单元13。所述脉宽调变控制芯片11设置有多个基本引脚，其包括Vin引脚，Vcc引脚， LIN_D引脚，PWM_D引脚，GND引脚，ISEN引脚，DRV引脚，Rose引脚。在本实施例中，该脉宽调变控制芯片11为集成芯片FP6700，其可以支持高压与降压架构，且其 输出电流可大于1安培。其中，该集成芯片FP6700为天钰科技股份有限公司于2008年 4月1号公开的一款驱动芯片。该集成芯片FP6700的Vin引脚与一外接电压VDD电连接，其电连接处定义为第 一节点A。该Rose引脚通过第一电阻111接地。该第一电阻111的大小的设定用于改 变该集成芯片FP6700输出的PWM控制的频率值。优选地，该第一节点A通过一个第 一电容112接地，该第一电容112为一个滤波电容，以用于滤除杂信号。该脚与一个脉宽调变(Pulse WidthModulation，PWM)信号电连接。该GND引脚接地。该 ISEN引脚为该集成芯片FP6700内部的比较器的输入端。该输入单元12包括一个第二电容121，一个第二电阻122、一个第三电阻123、 一个滑动变阻器124。该第二电容121—端与该集成芯片FP6700的Vcc引脚电连接，其 相连接处定义为第二节点B，该第二电容121的另一端接地。该第二电容121用于滤除 该Vcc输出的电压中的杂信号。该滑动变阻器124包括一个第一端、一个第二端以及一 个滑动端。该滑动变阻器124的第一端与第二端分别与该第二电阻122以及第三电阻123 电连接。该第二电阻122的另一端与该第二节点B电连接。该第三电阻123的另一端接 地，且该接地点定义为第三节点C。该滑动变阻器124的滑动端与该集成芯片FP6700的 LIN_D引脚电连接，且相连接处定义为第四节点D。优选地，该输入单元12进一步包括 一个第三电容125，该第三电容125的两端分别电连接该第三节点C与第四节点D。该第三电容125为滤波电容，用于滤除杂信号。该输出单元13包括有一个第四电阻131、一个第五电阻132，一个第六电阻 133，一个N沟道增强型MOSFET 134电感135，一个快速二极管136，一个第二电容 137。优选地，该输出单元13进一步包括一个第七电阻138以及一个第八电阻139。具体地，该第四电阻131的两个端分别电连接该集成芯片FP6700的DRV引脚与 该N沟道增强型MOSFET 134的栅极，且该第四电阻131与该N沟道增强型MOSFET 134 的栅极相连接处定义为第五节点E。该第五电阻132的一端与该第五节点E电连接，另一 端接地。该第四电阻131与该第五电阻132用于抑制该N沟道增强型MOSFET 134关闭 时产生的高频杂信号。该第六电阻133的一端与该N沟道增强型MOSFET 134的源极电 连接，另一端接地。该第七电阻138的两端分别电连接该集成芯片FP6700的ISEN引脚 以及该N沟道增强型MOSFET 134的源极。该第八电阻139的一端与该集成芯片FP6700 的ISEN引脚电连接，另一端接地。该七电阻138与该第八电阻139用于抑制该第六电阻 136两端的电压中的高频杂信号。该N沟道增强型MOSFET 134的漏极同时与该快速二 极管136的正极以及该本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管驱动电路，其包括： 一个脉宽调变控制芯片，其具有Ｖｉｎ引脚，Ｖｃｃ引脚，ＬＩＮ＿Ｄ引脚，ＰＷＭ＿Ｄ引脚，ＧＮＤ引脚，ＩＳＥＮ引脚，ＤＲＶ引脚，Ｒｏｓｃ引脚，该Ｖｉｎ引脚连接一外接电压，该Ｒｏｓｃ引脚通过一个第一电阻接地，该ＰＷＭ＿Ｄ引脚连接一个脉宽调变信号，该ＧＮＤ引脚接地； 一个输入单元，其包括一个滑动变阻器，该滑动变阻器具有一个第一端，一个第二端以及一个滑动端，该第一端与该第二端分别与该Ｖｃｃ引脚以及ＧＮＤ引脚电连接，该滑动端与该ＬＩＮ＿Ｄ引脚电连接；一个输出单元，其包括一个第二电阻，一个第三电阻，一个第四电阻，一个第五电阻，一个Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ，一个电感，一个快速二极管以及一个第二电容，该Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ的栅极通过该分压电路与该ＤＲＶ引脚电连接，该Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ的源极通过该第二电阻与该ＩＳＥＮ引脚电连接，并通过该第三电阻接地，该Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ的栅极通过该第四电阻与该ＤＲＶ引脚电连接，且该Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ的栅极通过该第五电阻接地，该Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ的漏极分别与该快速二极管的正极以及该电感的一端电连接，该快速二极管的负极以及该电感的另一端分别与该第一电容的两端电连接，该第一电容的两端为发光二极管驱动电路的输出端，其与发光二极管模组电连接。...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管驱动电路，其包括一个脉宽调变控制芯片，其具有Vin引脚，Vcc引脚，LIN_D引脚，PWM_D引脚， GND引脚，ISEN引脚，DRV引脚，Rose引脚，该Vin引脚连接一外接电压，该Rose引脚通过一个第一电阻接地，该脚连接一个脉宽调变信号，该GND引脚接地；一个输入单元，其包括一个滑动变阻器，该滑动变阻器具有一个第一端，一个第二 端以及一个滑动端，该第一端与该第二端分别与该Vcc引脚以及GND引脚电连接，该滑 动端与该LIN_D引脚电连接；一个输出单元，其包括一个第二电阻，一个第三电阻，一个第四电阻，一个第五电 阻，一个N沟道增强型M0SFET，一个电感，一个快速二极管以及一个第二电容，该 N沟道增强型MOSFET的栅极通过该分压电路与该DRV引脚电连接，该N沟道增强型 MOSFET的源极通过该第二电阻与该ISEN引脚电连接，并通过该第三电阻接地，该N 沟道增强型MOSFET的栅极通过该第四电阻与该DRV引脚电连接，且该N沟道增强型 MOSFET的栅极通过该第五电阻接地，该N沟道增强型MOSF...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪隆裕，孔圣翔，陈世权，赖志铭，
申请(专利权)人：富士迈半导体精密工业上海有限公司，沛鑫能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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