高阻抗光电耦合器制造技术

一种高阻抗光电耦合器，由电压信号输入部分和电压信号输出部分组成，其中输入部分包括电光源氖管ＨＬ１、限流电阻Ｒ１和隔离电容Ｃ１串联后分别与电压信号输入端１、２相连，电压信号输入端１、２分别与被测电路相连；输出部分光敏器件光敏电阻ＲＬ两端分别与两个输出端３、４相连；当电压信号输入端１、２加载电压使氖管ＨＬ１起辉后，光敏电阻ＲＬ的阻值随着变化产生电信号，经输出端３、４输出。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光电耦合技术，尤其涉及一种高阻抗光电耦合器件。
技术介绍
光电耦合器是一种以光为媒介传输电信号的光电转换器件，由电光源和光敏器件 组成，在光电耦合器的输入端加电信号使电光源发光，光照射到光敏器件上，光敏器件产生 光电流从引脚输出，从而实现电-光-电的转换。光电耦合器具有体积小、寿命长、抗干扰 能力强、输入与输出在电气上完全隔离等特点。因而广泛的应用在隔离电路、负载接口、固 态继电器等电路中。光电耦合器的种类较多，普遍使用的电光源为发光二极管，光敏器件为 光敏二极管、光敏三极管等。由于输入端电光源发光二极管的输入阻抗和耐压较低，在电子 线路中应用非常广泛，但在交流(AC220V、AC380V)电路中应用受到局限。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足，本技术旨在提供一种利用氖管做电光源的高阻 抗光电耦合器，即能够在交流(AC220V、 AC380V)线路中可直接正常工作的高阻抗光电耦合 器件。 为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案 —种高阻抗光电耦合器，包括电压信号输入部分和电压信号输出部分组成，所述 电压信号输入部分分别由限流电阻R1和隔离电容C1和电光源HL1构成，电压信号输出部 分由光敏器件RL构成，其特征在于电光源HL1两端分别与限流电阻Rl和隔离电容Cl串 联连接后再与光敏器件HL1共同封装在同一个密闭的壳体内，并电光源HL1直接照射光敏 器件RL上。 所述电光源HL1为氖管。 所述光敏器件RL为光敏电阻、光敏二极管或光敏三极管等。 所述限流电阻R1阻值大于1M伲衾氲缛鹏鯖1为小容量高耐压电容，耐压大于 1000V。 本技术取得的技术进步本技术的输入输出具有很高的阻抗，在MQ级， 在交流AC220V、 AC380V和直流小于500V电路中相当于开路。本技术具有三端隔离的 特点，即输入部分与输出部分具有隔离作用，输入部分的两个输入端X、Y也有隔离作用。本 技术工作电压范围宽，电压范围在60V 500V之间。本技术在交、直流电路中均 无需配置整流电路，即可正常工作，直接驱动可控硅，构成新的高阻抗固态继电器。附图说明图1所示为本技术高阻抗光电耦合器电路结构原理图。 图2所示为本技术高阻抗光电耦合器构成的高阻抗固态继电器电路结构原 理图。 图3所示为本技术高阻抗光电耦合器构成的多点感应式触摸开关电路结构 原理图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。 实施例1 :图l所示为本技术高阻抗光电耦合器电路结构原理图。高阻抗光电 耦合器由电压信号输入部分和电压信号输出部分组成，其中输入部分包括电光源氖管HL1、 限流电阻R1和隔离电容C1。氖管HL1—端与隔离电容串联后与电压信号输入端1相连，氖 管HL1另一端与限流电阻R1串联后与电压信号输入端2相连，电压信号输入端1、2分别与 被测电路相连；输出部分光敏器件光敏电阻RL两端分别与两个输出端3、4相连；当电压信 号输入端1、2加载电压氖管HL1起辉后，光敏电阻RL的阻值随着变化产生电信号，经输出 端3、4输出。 实施例2 :图2所示为本技术高阻抗光电耦合器构成的高阻抗固态继电器电 路结构原理图。高阻抗固态继电器由电压信号输入部分和电压信号输出驱动部分组成，其 中输入部分由电光源氖管HL1、限流电阻R1和隔离电容C1串联后分别与输入端1、2相连接 构成。输出部分由光敏电阻RL的一端与可控硅的阳极连接后再与输出端3相接，另一端与 电阻R2、延时电容C2相连后再与可控硅BT的控制端相连接，可控硅的另一端阴极与输出端 4相连接，压敏电阻RV的两端分别与可控硅的阴极和阳极两端相连构成。 实施例3 :图3所示为本技术高阻抗光电耦合器构成的多点感应式触摸开关 电路结构原理图。主要由感应电压检测电路、开关状态存储电路和输出执行电路三部分组 成。感应电压检测电路由高阻抗光电耦合器的输入部分HL1、R1、C1串联一端与多点感应电 极Y-—Yn连接，另一端与电源VCC连接，高阻抗光电耦合器输出部分RL的一端与电源VCC 连接，另一端与电阻R2、延时电容C2相连后再与开关状态存储的输入端CP相连接；开关状 态存储电路的输出端Q与输出电路中的可控硅BT的控制端相连接，可控硅的阳极与负载 HL2相连接再与电源火线端L相接，可控硅的另一端阴极与电源的零线N相连接，压敏电阻 RV的两端分别与可控硅的阴极和阳极两端相连接；其中开关状态存储电路由双稳态D触发 器构成，D触发器接成二分频计数状态。工作过程是要开关电灯时，用手轻轻触摸开关电 极Y-—Yn等其中一感应电极，这时电源火线端L通过HL2銷1一HL—R1—Y经人体分布电 容与大地相连构成回路，这时高阻抗光电耦合器的氖管(HL1)起辉点亮，光敏电阻RL的阻 值减小，输出一计数脉冲到D触发器的计数端CP，D触发器翻转输出端Q输出高电平控制可 控硅BT导通，负载电灯HL2点亮，完成开灯的一个过程；用手再轻轻触摸开关电极Y-—Yn 等其中一感应电极时，氖泡HL1点亮，光敏电阻RL的阻值减小，再输出一计数脉冲到D触发 器的计数端CP， D触发器翻转输出端Q输出低电平控制可控硅BT截止，负载电灯HL2熄灭， 完成关灯的一个过程。灯泡HL2可以换成不同的负载。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高阻抗光电耦合器，所述高阻抗光电耦合器包括电压信号输入部分和电压信号输出部分组成，所述电压信号输入部分分别由限流电阻（Ｒ１）、电光源（ＨＬ１）和隔离电容（Ｃ１）构成，电压信号输出部分由光敏器件（ＲＬ）构成，其特征在于：氖管（ＨＬ１）两端分别与限流电阻（Ｒ１）和隔离电容（Ｃ１）串联连接后再与光敏器件（ＨＬ１）共同封装在同一个封闭的壳体内，并电光源（ＨＬ１）直接照射到光敏器件（ＲＬ）上。

【技术特征摘要】
一种高阻抗光电耦合器，所述高阻抗光电耦合器包括电压信号输入部分和电压信号输出部分组成，所述电压信号输入部分分别由限流电阻(R1)、电光源(HL1)和隔离电容(C1)构成，电压信号输出部分由光敏器件(RL)构成，其特征在于氖管(HL1)两端分别与限流电阻(R1)和隔离电容(C1)串联连接后再与光敏器件(HL1)共同封装在同一个封闭的壳体内，并电光源(HL1)直接照射到光敏器件(RL)上。2. 如权利要求1所述的一种高阻抗光电耦合器，其特征在于所述电光源(HL1)为氖管。3. 如权利要求l所述的一种高阻抗光电耦合器，其特征在于所述光敏器件(RL)为光 敏电阻、光敏二极管或光敏三极管。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨树昌，
申请(专利权)人：杨树昌，
类型：实用新型
国别省市：21[中国|辽宁]