【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体电子元器件,尤其是涉及对一种耐热霍尔元件等结构的改良
技术介绍
目前,公知的锑化铟霍尔元件是由下层晶片、上层晶片、塑封体、管脚构成,对产品的寿命和可靠性有较高的要求。中国专利公开了一种锑化铟霍尔元件(授权公告号CN 201017910Y),其主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、十字形锑化铟感知膜和金电 极组成,十字形锑化铟感知膜上覆盖有十字形液体树脂保护膜,十字形液体树 脂保护膜图形尺寸稍小于十字形锑化铟感知膜图形尺寸;十字形液体树脂保护膜的 十字宽度大于十字形锑化铟感知膜的十字宽度。但是当这种电子元器件在回流 炉或波峰炉中进行管脚焊接时,本体会处于高温下,塑封体和内部的晶片会受热膨胀,因为 塑封体、晶片的材质不同,其热膨胀系数有差别,而且两者受热程度也不同,因而会产生较 大的内部应力,使得晶片的功能区域受到挤压,会造成晶片功能劣化,甚至损坏失效。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种耐热霍尔元件,其主要是解决现有技术所存 在的电子元器件在回流炉或波峰炉中进行管脚焊接时,本体会处于高温下,元器件会产生较 大的内部应力,使得晶片的功能区域受到挤压,会造成晶片功能劣化,甚至损坏失效等的技 术问题。本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的本技术的一种耐热霍尔元件,包括塑封体,塑封体内封装有芯片,其特征在于所述 的芯片包括有下层晶片,下层晶片上部连接有上层晶片,上层晶片顶端设有柔性保护胶层; 下层晶片上设有两个及以上个电极,电极通过金属线连接管脚,管脚外端伸出塑封体外。在 上层晶片上面添加一层柔性保护胶,通过烘烤使保护胶与上 ...
【技术保护点】
一种耐热霍尔元件,包括塑封体(1),塑封体(1)内封装有芯片,其特征在于所述的芯片包括有下层晶片(2),下层晶片(2)上部连接有上层晶片(3),上层晶片(3)顶端设有柔性保护胶层(4);下层晶片(2)上设有两个及以上个电极(5),电极通过金属线(6)连接管脚(7),管脚外端伸出塑封体(1)外。
【技术特征摘要】
1.一种耐热霍尔元件,包括塑封体(1),塑封体(1)内封装有芯片,其特征在于所述的芯片包括有下层晶片(2),下层晶片(2)上部连接有上层晶片(3),上层晶片(3)顶端设有柔性保护胶层(4);下层晶片(2)上设有两个及以上个电极(5),电极通过金属线(6)连接管脚(7),管脚外端伸出塑封体(...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈占胜,
申请(专利权)人:浙江博杰电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:86[中国|杭州]
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