电容结构制造技术

本发明专利技术提供一种电容结构，其包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及第二电极层，设于第一介电层上，其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容结构，且特别涉及复合式凹凸电容结构。技术背景电子组件的小型化及高效能需求已随着电子产品的清、薄、短，小的应用而被 不断的要求，因此对于电容组件的进一步要求，除了小尺寸及大电容值之外，又增加了 在高频段也要维持低阻抗的效能(宽频低阻抗)要求。具有高频低阻抗的内藏式大电容 组件将是用来解决高速切换电路所产生的电源噪声的有效技术。组件电容值(C)可以下列方程式表示

【技术保护点】
一种电容结构，包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及第二电极层，设于该第一介电层上，其中该第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使该第一电极层与该第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。

【技术特征摘要】
1.一种电容结构，包括 第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及 第二电极层，设于该第一介电层上，其中该第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使该第一电极层与该第二 电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。2.如权利要求1所述的电容结构，其中该第一电极层具有凹凸结构，该第二电极层为 平面电极。3.如权利要求1所述的电容结构，其中该第一电极层为平面电极，该第二电极层具有 凹凸结构。4.如权利要求1所述的电容结构，其中该第一电极层与该第二电极层皆具有凹凸结构。5.如权利要求1所述的电容结构，还包括 第二介电层，设于该第二电极层上；以及 第三电极层，设于该第二介电层上。6.如权利要求5所述的电容结构，其中该第三电极层为平面电极。7.如权利要求5所述的电容结构，其中该第三电极层具有凹凸结构。8.如权利要求5所述的电容结构，还包括 第三介电层，设于该第三电极层上；以及 第四电极层，设于该第三介电层上。9.如权利要求8所述的电容结构，其中该第三电极层为平面电极。10.如权利要求8所述的电容结构，其中该第三电极层具有凹凸结构。11.如权利要求1所述的电容结构，其中该两种不同距离为两种不同垂直距离。12.如权利要求1-11任一所述的电容结构，其中该凹凸结构具有两种以上深度的凹 口，使该第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴仕先，李明林，赖信助，刘淑芬，陈孟晖，洪金贤，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]