【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种数据刻录方法,尤其是指一种数据在闪存中的刻录配置方法, 以改善闪存储存空间的使用效率及提升其工作效能。
技术介绍
闪存(Flash memory)是一种非挥发性的储存组件,由于其具有低耗电、高存取 速率、耐震及重量轻等优点,因此已逐渐地取代部分传统的硬盘装置,而广泛的被使用 在计算机系统及可携式电子装置等作为储存单元之用。一般闪存储存系统的架构图如图1所示,快闪记忆体5包括一控制单元51及一 记忆单元53。闪存记忆体5利用控制单元51来处理主机系统4传来的写入指令与数据。 控制单元51接收主机系统4的指令后,配合逻辑与实体地址的转换运算,对记忆单元53 执行数据存取的动作。请参阅图2,记忆单元53被规划成若干个实体记忆区块(本例为m+1个实体记 忆区块PBAO PBAm),其中实体记忆区块就是记忆单元53最小的数据抹除单位。而 一个实体记忆区块中又划分成多个实体记忆页(本例中每个实体记忆区块中有n+1个实体 记忆页PPAO PPAn),其中实体记忆页则为记忆单元53最小的数据写入单位。当主机系统4传送数据写入指令及相关的数据给控制单元51,控制单元51执行 逻辑与实体地址转换后,便从记忆单元53中任意挑选一已抹除的实体记忆区块(假设为 实体记忆区块ΡΒΑ0),然后再将欲写入的数据依实体记忆页的顺序(0,1,2,......,η),写入实体记忆区块中。公知的记忆单元53的数据更新方法如图3所示,首先,控制单元51收到一笔数 据更新的指令,该指令指示将更新记忆单元53的实体记忆区块PBAO的实体记忆页PPAO 上的数据D00。于是控制单元5 ...
【技术保护点】
一种闪存储存系统的数据刻录方法,其特征在于,该闪存储存系统包含一控制单元以及一记忆单元,其中该记忆单元包含多个实体记忆区块,该实体记忆区块为该记忆单元最小的抹除单位;而该实体记忆区块包括多个实体记忆页,该实体记忆页为该记忆单元最小的写入单位,该方法包括:该控制单元接收一主机系统传来的一写入指令以及一数据,其中该写入指令包含该数据的一逻辑地址与该数据的一数据长度;以及该控制单元依据该数据长度将该数据分配并写入该实体记忆区块。
【技术特征摘要】
1.一种闪存储存系统的数据刻录方法,其特征在于,该闪存储存系统包含一控制单 元以及一记忆单元,其中该记忆单元包含多个实体记忆区块,该实体记忆区块为该记忆 单元最小的抹除单位;而该实体记忆区块包括多个实体记忆页,该实体记忆页为该记忆 单元最小的写入单位,该方法包括该控制单元接收一主机系统传来的一写入指令以及一数据,其中该写入指令包含该 数据的一逻辑地址与该数据的一数据长度;以及该控制单元依据该数据长度将该数据分配并写入该实体记忆区块。2.如权利要求1所述的闪存储存系统的数据刻录方法,其特征在于,该控制单元依据 该数据长度将该数据分配并写入该实体记忆区块,将该数据长度与默认的一门限值作比 较,若该数据长度小于或等于该门限值,则将该数据写入该些实体记忆区块其中的一个 未储存数据长度大于该门限值得数据的实体记忆区块;反之,若该数据长度大于该门限 值,则将该数据写入该些实体记忆区块其中的一个未储存数据长度小于该门限值得数据 的实体记忆区块。3.如权利要求2所述的闪存储存系统的数据刻录方法,其特征在于,该未储存数据 长度大于该门限值的数据的实体记忆区块可为一已储存储存数据长度小于该门限值的数 据的实体记忆区块,而该未储存数据长度小于该门限值的数据的实体记忆区块可为一已 储存储存数据长度大于该门限值的数据的实体记忆区块;或者,该未储存数据长度大于 该门限值的数据的实体记忆区块与该未储存数据长度小于该门限值的数据的实体记忆区 块,分别为一已抹除的实体记忆区块。4.一种闪存储存系统的数据刻录方法,其特征在于,该闪存储存系统包含一控制单 元以及一记忆单元,其中该记忆单元包含多个实体记忆区块,而该实体记忆区块又包含 有多个实体记忆页;以及该控制单元包含一逻辑实体地址对应表,该逻辑实体地址对应 表用于纪录一主机系统与该记忆单元间的传输数据的逻辑地址与实体地址的对应关系, 该方法包括该控制单元接收该主机系统传送的一写入指令以及一数据,其中该写入指令包含该 数据的逻辑地址与该数据的数据长度;该控制单元依据该逻辑实体地址对应表以及该写入指令,来判断该数据是否有部份 数据未切齐该实体记忆页;以及该控制单元依据判断结果,将该数据分配并写入该实体记忆区块。5.如权利要求4所述的闪存储存系统的数据刻录方法,其特征在于,该控制单元判断 该数据是否有部份数据未切齐该实体记忆页,依据...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏佐政,洪世芳,方子维,
申请(专利权)人:威刚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71
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