用磁控溅射法生产ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳能电池的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了用磁控溅射法生产ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳能电池的装置，其特点是该装置由ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置，ＣｄＣｌ２热处理装置和背电极制作装置组成。ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置依次由进料仓（１）、ＣｄＳ镀膜仓（２）、过渡仓（３）、ＣｄＴｅ镀膜仓（４）和出料仓（５）组成；ＣｄＣｌ２热处理装置采用近空间升华法装置将ＣｄＣｌ２镀在ＣｄＳ／ＣｄＴｅ面上；背电极制作装置与ＣｄＳ／ＣｄＴｅ形成装置基本相同，只是将ＣｄＳ镀膜仓换成ＺｎＴｅ镀膜仓，ＣｄＴｅ镀膜仓换成Ｎｉ镀膜仓。然后采用磁控溅射法将ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＣｌ２、ＺｎＴｅ：Ｃｕ和Ｎｉ分别溅射到经清洗激光刻的导电玻璃工件上，用超声焊机焊上引出电极，用ＵＶ胶在电池背面涂覆约２００～５００μｍ厚的胶膜，经ＵＶ干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置，属于太阳能电 池的制备领域。
技术介绍
化合物半导体镀膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到迅速的发展，CdS/ CdTe多晶镀膜太阳能电池由于具有成本低、性能稳定、工序简单等优点。同时也具有多晶镀 膜化合物半导体，异质结器件等基本特点，是目前极有前途的太阳能电池之一。CdS/CdTe太阳能电池的制备方法有近空间升华法，电沉积法、分子束外延、物理气 相沉积法和化学水溶法等，目前大多采用近空间升华法，它有一定的优点，但也存在一些不 足，如能耗高、基片温度高、不易大面积制作。中国专利公开了 CN101299443题为“ 一种柔性碲化镉镀膜太阳能电池结构”， CN101267007题为“超薄基片注射的碲化镉太阳能电池”，为了扩大电池的应用范围，加入石 墨和金属解决导电性等不同目的。但工艺复杂、繁琐、成本高。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足而提供一种用磁控溅射法生产CdS/ CdTe太阳能电池的装置，其特点是该装置通过对电压、电源、气压和距离控制，控制膜的质 量，使用磁控溅射技术制作CdS/CdTe太阳能电池。本技术的目的由以下技术措施实施用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置1.用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置由CdS/CdTe的形成装置，CdCl2 热处理装置和背电极制作装置三大部分组成(1) CdS/CdTe 的形成装置CdS/CdTe的形成装置由进料仓、CdS镀膜仓、过渡仓、CdTe镀膜仓和出料仓组成， 进料仓内设加热器和输送系统，输送系统通过CdS镀膜仓、过渡仓、CdTe镀膜仓和出料仓构 成循环系统；仓与仓之间设隔离门，进料仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接； CdS镀膜仓内设CdS靶头，靶头一端与冷却水进口及靶头电源连接；靶头另一端与冷却水出 口连接，输送系统上放置工件夹具，工件夹具固定工件，CdS镀膜仓的前、后设真空门，真空 门与CdS镀膜仓的连接处设密封圈，CdS镀膜仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连 接；过渡仓内送输送系统，过渡工件，过渡仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接； CdTe镀膜仓内设CdTe靶头，其余部分设置和连接同CdS镀膜仓；出料仓的设置和连接同过 渡仓全部仓位由支架支撑。(2)CdCl2热处理装置将上述装置形成的CdS/CdTe膜的工件用激光刻第二条线后进入CdCl2热处理装 置，再用近空间升华法装置将CdCl2镀在CdS/CdTe面上。(3)背电极制作装置背电极制作装置由进料仓、ZnTe镀膜仓、过渡仓、Ni镀膜仓和出料仓组成，它与 CdS/CdTe的形成装置基本相同，进料仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的进料仓， ZnTe镀膜仓的设置和连接同CdS镀膜仓、过渡仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的过 渡仓，Ni镀膜仓的设置和连接同CdTe镀膜仓、出料仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装 置的出料仓。采用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别溅射到经清洗激光刻的导 电玻璃工件上，用超声焊机焊上引出电极，用UV胶在电池背面涂覆约200 500 u m厚的胶 膜，经UV干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。附图说明图1为CdS/CdTe膜的形成装置示意图。图2为A-A剖示图。1.进料仓，2. CdS镀膜仓，3.过渡仓，4. CdTe镀膜仓，5.出料仓，6.输送系统，7.工 件，8.真空系统，9.加热器，10.氩气流量控制系统，11.支架，12.控制系统，13. CdS靶头， 14. CdTe靶头，15.隔离门，16.密封圈，17.冷却水进口及靶头电源，18.冷却水出口，19.真 空仓门，20.工件夹具。图3为背电极制作装置示意图。图4为A-A剖示图。1.进料仓，2. ZnTe镀膜仓，3.过渡仓，4. Ni镀膜仓，5.出料仓，6.输送系统，7.工 件，8.真空系统，9.加热器，10.氩气流量控制系统，11.支架，12.控制系统，13. ZnTe靶头， 14. Ni靶头，15.隔离门，16.密封圈，17.冷却水进口及靶头电源，18.冷却水出口，19.真空 仓门，20.工件夹具。具体实施方式下面通过实施例对本技术进行具体的描述，不能理解为对本专利技术保护范围的 限制。实施例11.用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置由CdS/CdTe的形成装置，CdCl2 热处理装置和背电极制作装置组成(1) CdS/CdTe 的形成装置如图1所示，CdS/CdTe的形成装置由进料仓l、CdS镀膜仓2、过渡仓3、CdTe镀膜 仓4和出料仓5组成，进料仓1内设加热器9和输送系统6，输送系统通过CdS镀膜仓2、过 渡仓3、CdTe镀膜仓4和出料仓5构成循环系统，仓与仓之间设隔离门15，进料仓外分别与 真空系统8、氩气系统10和控制系统12连接；CdS镀膜仓2内设CdS靶头13，靶头一端与 冷却水进口及靶头电源17连接，靶头另一端与冷却水出口 18连接；输送系统6上放置工件 夹具20，工件夹具固定工件7，CdS镀膜仓的前、后设真空门19，真空门与CdS镀膜仓的连接 外设密封圈16，CdS镀膜仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接；过渡仓3内送输 送系统。过渡工件，过渡仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接；CdTe镀膜仓4内设CdTe靶头14，其余部分设置和连接同CdS镀膜仓2 ；出料仓5的设置和连接同过渡仓3， 全部仓位由支架11支撑。(2)CdCl2热处理装置将上述装置形成的CdS/CdTe膜的工件用激光刻第二条线后进入CdCl2热处理装 置，再用近空间升华法装置将CdCl2镀在CdS/CdTe面上。(3)背电极制作装置如图2所示，背电极制作装置由进料仓l、ZnTe镀膜仓2、过渡仓3、Ni镀膜仓4和 出料仓5组成，它与CdS/CdTe的形成装置基本相同，进料仓1内设加热器9和输送系统6， 输送系统通过ZnTe镀膜仓2、过渡仓3、Ni镀膜仓4和出料仓5构成循环系统，仓与仓之间 设隔离门15，进料仓外分别与真空系统8、氩气系统10和控制系统12连接；ZnTe镀膜仓2 内设ZnTe靶头13，靶头一端与冷却水进口及靶头电源17连接，靶头另一端与冷却水出口 18连接，输送系统6上放置工件夹具20，工件夹具固定工件7，ZnTe镀膜仓的前、后设真空 门19，真空门与ZnTe镀膜仓的连接外设密封圈16，ZnTe镀膜仓外分别与真空系统、氩气系 统和控制系统连接；过渡仓3内送输送系统。过渡工件，过渡仓外分别与真空系统、氩气系 统和控制系统连接；Ni镀膜仓4内设Ni靶头14，其余部分设置和连接同ZnTe镀膜仓2 ；出 料仓5的设置和连接同过渡仓3，全部仓位由支架11支撑。采用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别溅射到经清洗激光刻的导 电玻璃工件上，用超声焊机焊上引出电极，用UV胶在电池背面涂覆约200 500 u m厚的胶 膜，经UV干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用磁控溅射法生产ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳能电池的装置，其特征在于该装置由ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置，ＣｄＣｌ↓［２］热处理装置和背电极制作装置组成：（１）ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置由进料仓（１）、ＣｄＳ镀膜仓（２）、过渡仓（３）、ＣｄＴｅ镀膜仓（４）和出料仓（５）组成，进料仓（１）内设加热器（９）和输送系统（６），输送系统通过ＣｄＳ镀膜仓（２）、过渡仓（３）、ＣｄＴｅ镀膜仓（４）和出料仓（５）构成循环系统；仓与仓之间设隔离门（１５），进料仓外分别与真空系统（８）、氩气系统（１０）和控制系统（１２）连接；ＣｄＳ镀膜仓（２）内设ＣｄＳ靶头（１３），靶头一端与冷却水进口及靶头电源（１７）连接，靶头另一端与冷却水出口（１８）连接；输送系统（６）上放置工件夹具（２０），工件夹具固定工件（７），ＣｄＳ镀膜仓的前、后设真空门（１９），真空门与ＣｄＳ镀膜仓的连接处设密封圈（１６），ＣｄＳ镀膜仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接；过渡仓（３）内设送输送系统，过渡工件，过渡仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接；ＣｄＴｅ镀膜仓（４）内设ＣｄＴｅ靶头（１４），其余部分设置和连接同ＣｄＳ镀膜仓（２）；出料仓（５）的设置和连接同过渡仓（３），全部仓位由支架（１１）支撑；（２）ＣｄＣｌ↓［２］热处理装置将上述装置形成的ＣｄＳ／ＣｄＴｅ膜的工件用激光刻第二条线后进入ＣｄＣｌ↓［２］热处理装置，再用近空间升华法装置将ＣｄＣｌ２镀在ＣｄＳ／ＣｄＴｅ面上；（３）背电极制作装置　　背电极制作装置由进料仓（１）、ＺｎＴｅ镀膜仓（２）、过渡仓（３）、Ｎｉ镀膜仓（４）和出料仓（５）组成，它与ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置基本相同，进料仓（１）的设置和连接同ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置的进料仓，ＺｎＴｅ镀膜仓（２）的设置和连接同ＣｄＳ镀膜仓、过渡仓的设置和连接同ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置的过渡仓，Ｎｉ镀膜仓（４）的设置和连接同ＣｄＴｅ镀膜仓、出料仓（５）的设置和连接同ＣｄＳ／ＣｄＴｅ的形成装置的出料仓；采用磁控溅射法将ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＣｌ↓［２］、ＺｎＴｅ：Ｃｕ和Ｎｉ分别溅射到经清洗激光刻的导电玻璃工件上，用超声焊机焊上引出电极，用ＵＶ胶在电池背面涂覆约２００～５００μｍ厚的胶膜，经ＵＶ干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。...

【技术特征摘要】
用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置，其特征在于该装置由CdS/CdTe的形成装置，CdCl2热处理装置和背电极制作装置组成(1)CdS/CdTe的形成装置CdS/CdTe的形成装置由进料仓(1)、CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓(4)和出料仓(5)组成，进料仓(1)内设加热器(9)和输送系统(6)，输送系统通过CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓(4)和出料仓(5)构成循环系统；仓与仓之间设隔离门(15)，进料仓外分别与真空系统(8)、氩气系统(10)和控制系统(12)连接；CdS镀膜仓(2)内设CdS靶头(13)，靶头一端与冷却水进口及靶头电源(17)连接，靶头另一端与冷却水出口(18)连接；输送系统(6)上放置工件夹具(20)，工件夹具固定工件(7)，CdS镀膜仓的前、后设真空门(19)，真空门与CdS镀膜仓的连接处设密封圈(16)，CdS镀膜仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接；过渡仓(3)内设送输送系统，过渡工件，过渡仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接；CdTe镀膜仓(4)内设...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯仁义，
申请(专利权)人：成都中光电阿波罗太阳能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]