变压器空载低功耗控制模块制造技术

涉及降低待机功耗及变压器的空载低功耗技术，可使≥１Ｗ、≤２５０Ｗ变压器的空载功耗达到≯０．３Ｗ的目的，特征是在变压器的输入端串入了“可控硅双控电路”的５、６端，输出端串入了电流互感器的一次线，电流互感器的二次级接“可控硅双控电路”的７、８端。欧盟ＥｕＰ指令和美国能效之星标准将全面实施，根据其标准２５０Ｗ以下的铁芯变压器的空载功耗要求不得大于０．５Ｗ，甚至０．３Ｗ，本发明专利技术解决了铁芯变压器空载功耗及凡是用铁芯变压器的机电产品待机功耗不大于０．３Ｗ的问题，制造简单，性价比高，体积小。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及降低待机功耗技术、特别是电子变压器降低空载消耗的

技术介绍
欧盟EuP指令和美国能效之星标准2010年将全面实施，根据欧盟EuP指令和 美国能效之星标准250W以下的铁芯变压器的空载功耗要求不得大于0.5W，到 2011年要求不得大于0. 3W，否则就不能打CE标志,而现有的变压器特别是》 5Wto《250W的变压器很难做到，这将严重影响我国用到铁芯变压器的机电产品 的出口，中国专利申请号为200620053371.7的《自动功率控制变压器》及申请 号为93244439. 3的《无功耗变压器》均不能达到能使《1W及》50Wto《250W变 压器的空载功耗不大于0. 5W、成本低廉的目的。
技术实现思路
为解决电子变压器特别是铁芯式电源适配器空载功耗问题,本专利技术是在接市 电1、 2的变压器的输入回路与既受RC移相触发信号控制又受过零触发信号控 制的可控硅双控电路SKU的端5、端6串联，变压器的输出端3、 4的回路 中串入了电流互感器H的一次线Ll，电流互感器H的二次级L2接可控硅双控 电路SKU的端7、端8。可控硅双控电路SKU可以由多个方案实现方案1--可控硅双控电路SKU可以由整流桥、可控硅、二极管、电阻器、 电容器组成，整流桥DZ的两AC端接端5、端6，电阻Rl的一端和可控硅Ql的阳 极A接整流桥DZ的+ ，电容器Cl的一端和可控硅Ql的阴极K接整流桥DZ的-，电阻Rl和电容器Cl的联接点经二极管D2由正到负接可控硅Ql的G 极；电阻R2与电容C2串联后跨接于可控硅Ql的控制极G与阴极K之间，可控 硅Ql的阴极K接端7,电阻R2与电容C2的联接点经二极管D2由负到正至端8。 方案2— 可控硅双控电路SKU可以由双向可控硅、二极管、电阻器、电 容器、电流互感器组成，双向可控硅Q的T2和电阻R1联接后接端5，双向可控 硅Q的T1和电容器C1、 C2联接后接端6、端7，电阻R1与电容C1的联接点经 触发二极管Dl接双向可控硅Q的G极，电阻R2与电容C2串联后跨接于可控硅 Ql的控制极G与阴极K之间，电阻R2与电容C2的联接点经二极管D2由正到负 至端8。方案3— 可控硅双控电路SKU可以由双向可控硅、二极管、过零触发电路、 电阻器、电容器组成，双向可控硅Q的T2和电阻R1联接后接端5，双向可控硅 Q的Tl和电容器Cl联接后接端6，电阻Rl与电容Cl的联接点经触发二极管Dl 接双向可控硅Q的G极，过零触发电路GL的g、 k分别接双向可控硅Q的G禾口 Tl,过零触发电路GL的ul、 u2端接端7和断8。也可以将过零触发电路GL的0 端接电流互感器H的中心抽头。本专利技术的优点是解决了变压器的空载功耗不大于0.3W的问题，制造简单，性 价比高，体积小。附图说明图l一为本专利技术的结构图图2—为本专利技术中可控硅双控电路的第一方案电路图 图3—为本专利技术中可控硅双控电路的第二方案电路图 图4一为本专利技术中可控硅双控电路的第三方案电路图具体实施方式结合附图现将实施方式述说如下变压器BT的输入绕组Nl与可控硅双控电路SKU的端1端2串联，变压 器BT的输出绕组N2串入电流互感器H的一次线Ll，电流互感器的二次绕组L2 联接于可控硅双控电路SKU的端7、端8。可控硅双控电路SKU列举如下 3个方案方案1—如图2，可控硅双控电路SKU可以由整流桥、可控硅、二极管、 电阻器、电容器组成，整流桥DZ的两AC端接端5、端6，电阻Rl的一端和可控 硅Ql的阳极A接整流桥DZ的+ ,电容器Cl的一端和可控硅Ql的阴极K接 整流桥DZ的-，电阻Rl和电容器Cl的联接点经二极管D2由正到负接可控 硅Ql的G极；电阻R2与电容C2串联后跨接于可控硅Ql的控制极G与阴极K 之间，可控硅Ql的阴极K接端7，电阻R2与电容C2的联接点经二极管D2由负 到正至端8。方案2—如图3，可控硅双控电路SKU可以由双向可控硅、二极管、电阻 器、电容器、电流互感器组成，双向可控硅Q的T2和电阻R1联接后接端5，双 向可控硅Q的T1和电容器C1、 C2联接后接端6、端7，电阻R1与电容C1的联 接点经触发二极管Dl接双向可控硅Q的G极，电阻R2与电容C2串联后跨接于 可控硅Ql的控制极G与阴极K之间，电阻R2与电容C2的联接点经二极管D2 由正到负至端8。方案3—如图4，可控硅双控电路SKU可以由双向可控硅、二极管、过零 触发电路、电阻器、电容器组成，双向可控硅Q的T2和电阻R1联接后接端5，双 向可控硅Q的Tl和电容器Cl联接后接端6，电阻Rl与电容Cl的联接点经触发二极管D1接双向可控硅Q的G极，过零触发电路GL的g、 k分别接双向可控硅 Q的G和Tl，过零触发电路GL的ul、 u2端接端7和端8，，也可以将过零触发 电路GL的0端接电流互感器H的中心抽头。本文档来自技高网...

【技术保护点】
变压器空载低功耗控制模块，其特征在于变压器ＢＴ的输入绕组Ｎ１与“可控硅双控电路”ＳＫＵ的端１、端２串联，变压器ＢＴ的输出绕组Ｎ２串入电流互感器Ｈ的一次线Ｌ１，电流互感器的二次绕组Ｌ２联接于“可控硅双控电路”ＳＫＵ的端７、端８。

【技术特征摘要】
1、变压器空载低功耗控制模块，其特征在于变压器BT的输入绕组N1与“可控硅双控电路”SKU的端1、端2串联，变压器BT的输出绕组N2串入电流互感器H的一次线L1，电流互感器的二次绕组L2联接于“可控硅双控电路”SKU的端7、端8。2、 根据权利要求1所述的变压器空载低功耗控制模块,其特征在于可控硅 双控电路SKU可以由整流桥、可控硅、二极管、电阻器、电容器组成，整流桥 DZ的两AC端接端5、端6,电阻Rl的一端和可控硅Ql的阳极A接整流桥DZ的+，电容器Cl的一端和可控硅Ql的阴极K接整流桥DZ的-，电阻Rl和 电容器Cl的联接点经二极管D2由正到负接可控硅Ql的G极；电阻R2与电容 C2串联后跨接于可控硅Ql的控制极G与阴极K之间，可控硅Ql的阴极K接端 7，电阻R2与电容C2的联接点经二极管D2由负到正至端8。3、 根据权利要求1所述的变压器空载低功耗控制模块，其特征在于可控硅 双控电路SKU也...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨景华，施琴芳，杨波，梅春妹，居艳，
申请(专利权)人：杨景华，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]